第 62 回応用用物理学会会春季学術講講演会シンポジウムシム進化するるパワーー半導体体・・・シ・シリコンンからワワイドバンンドギャャップへへ日時：：2015 年 3 月 12 日(木木) 13:15〜〜18:15 [12p-B4-1∼1 0] 場所：：東海大学湘湘南キャンンパス春季季学術講演会会場 B4 室室(6B-104) 企画の趣旨旨近年、ワワイドバンドギドギャップ半導導体である S SiC がパワーー半導体としして電源機器器、モーターー駆動、車両両等の主要な分な分野で使われれ始めてきたた。また Ga aN も小容量量、高速用途へへと応用が始始まろうとししている。一一方で、更なるる特性改善ををめざして、、Ga2O3、AllN、ダイヤモモンドといっったワイドババンドギャッップ半導体ももパワー半導体導体の観点からの研究がななされているる。しかしなながら、これれらのパワーー半導体が本本来期待されれる特性を発揮揮し、これまで主流を占占めてきたシシリコンパワワーデバイススと肩を並べべるまでにはは克服すべきき課題が多く残く残されている。これまでで、個々の材材料を個別にに議論してききたが、このの分野のよりり一層の発展展には、これままで培ってききたシリコンンの技術、ああるいは SiC や GaN 等のの技術の横展展開が不可欠欠と考えられれる。そこでで、本シンポポジウムでは、、パワー半導導体を材料横横断的に見たたとき、共通通点はなにかか、それぞれれの半導体の特の特徴はなにかにかを認識し、し、新たな展開開を模索するると共に今後後の研究開発発の方向性をを探ることをを目的とする。る。プログラムム 13:15〜13:3 30 イントロロダクトリーー〇木本恒暢 1 （1.京京大） 00 戦略的イイノベーショョン創造プロログラム(SIP))「次世代パワーエレククトロニクス」」の取り組みみ 13:30〜14:0 大森達夫 1、田中中保宣 1 （1.内閣府） 30 パワーデデバイスの現現状と今後のの進展についいて 14:00〜14:3 〇齋藤渉 1 （1.東芝芝） 14:30〜15:0 00 パワーデデバイス用単単結晶の結晶晶成長〇柿本浩一 1、ガオオビング 1、リュウ、キキン 1、中野智 1、西澤伸一 2、原田田博文 3、宮宮村佳児 3、関口隆隆史 3、寒川川義裕 1 （1.九大応力研研, 2.産総研, 3.物質材料機機構） 15:00〜15:3 30 結晶評価価の立場からら見た各種パパワー半導体材材料〇〇山本秀和 1 （1.千千葉工大工））休憩（15:30 〜 15:45） 15:45〜16:1 15 物性からら見たパワーーデバイス用用半導体材料須田淳 1 （1.京大大院工） 16:15〜16:4 45 先進パワワーデバイススにおける新新規ゲート絶縁縁膜開発〇渡部平司 1、細井井卓治 1 （1.阪大院工）） 16:45〜17:1 15 イオン注注入技術の適適用の現状〇加地徹 1 （1.豊田田中研） 17:15〜17:4 45 次世代パパワー半導体体モジュールル技術動向〇高橋良和 1、中澤澤治雄 1、西西村芳孝 1 （1.富士電機機） 17:45〜18:1 15 パワー半半導体デバイイスへ要求さされる特性と現と現状〇〇原英英則 1 （1.安川川電機）