RB521G-30FH : ダイオード

RB521G-30FH
Diode
࡚ࠪ࠶࠻ࠠ࡯ࡃ࡝ࠕ࠳ࠗࠝ࡯࠼
AEC-Q101準拠
RB521G-30FH
Ͷ‫ޒ‬छోၓన̈́Unit : mmͅ
Ͷᄿ๑
சใᅺౘᅺᄿ
䇭䇭䇭䇭䃂䊤䊮䊄ኸᴺ࿑㩿㪬㫅㫀㫋㩷㪑㩷㫄㫄㪀
㪇㪅㪌
㪇㪅㪈㪊㫧㪇㪅㪇㪊
㪇㪅㪌
㪇㪅㪍㫧㪇㪅㪇㪌
㪈㪅㪋㫧㪇㪅㪇㪌
㪈㪅㪇㫧㪇㪅㪇㪌
㪈㪅㪉
Ͷຟෙ
2*ූசङӔ̶ӝһұҖӉћжѿ̝̈́VMD2ͅ
3*ฃVFұҖӉ
4*৸௸ᅘౕћжѿ̝
㪭㪤㪛㪉
Ͷ৓ഈ
ҩӜҥӥҚӆұҟҩӕӝӉӞ̶Ҽङ
㩷
㪇㪅㪉㪎㫧㪇㪅㪇㪊
㪇㪅㪌㫧㪇㪅㪇㪌
!!!!!!Ͷ‫ݷ‬ᇓన
㪩㪦㪟㪤㩷㪑㩷㪭㪤㪛㪉
䍢䍼䍍䍢㩿ᐕㅳᎿ႐㪀
ͶҸ̶ӆӥҢગᄻ̈́Unit : mmͅ
㪇㪅㪈㪏㫧㪇㪅㪇㪌
㱢㪈㪅㪌㪂㪇㪅㪈
䇭䇭䇭䇭䇭㪇
㪉㫧㪇㪅㪇㪌
㪏㪅㪇㫧㪇㪅㪊
㩷㩷㩷㩷㩷㩷㩷㪇㪅㪈
㪇㪅㪋
㪉㪅㪈㫧㪇㪅㪈
㪈㪅㪈㪈㫧㪇㪅㪇㪌
㪊㪅㪌㫧㪇㪅㪇㪌
㪈㪅㪎㪌㫧㪇㪅㪈
㪋㫧㪇㪅㪈
㱢㪇㪅㪌
㪇㪅㪊
㪉㫧㪇㪅㪇㪌
㪋㫧㪇㪅㪈
㪇㪅㪎㪍㫧㪇㪅㪈
㪇㪅㪍㪌㫧㪇㪅㪇㪌
Ͷಌഴ਻ോชެ̈́Ta=25ͨͅ
Parameter
ෞᅺࡳၑশใ‫ٽ‬
ဓ࣍ౘᅺใᅺ
ಕຈ୵ҧ̶Ҫใᅺ䋨60Hz䊶1cyc䋩
಄৽࿪ܽ๗
ေജܽ๗ཧ‫ڗ‬
Limits
30
100
500
125
-40䌾+125
Symbol
VR
Io
IFSM
Tj
Tstg
Unit
V
mA
mA
㷄
㷄
䃂㔚᳇⊛․ᕈ䋨㪫㪸㪔㪉㪌㷄䋩
Parameter
୵ၑশใ‫ٽ‬
Symbol
VF
Min.
-
Typ.
-
Max.
0.35
Unit
V
ࡳၑশใᅺ
IR
-
-
10
μA
Conditions
IF=10mA
VR=10V
Rev.B
1/3
Diode
RB521G-30FH
10000
Ta=25℃
0.1
0.01
0.001
0
100
200
300
400
500
600
1
0.01
R EV ER SE CU R R EN T:IR (uA )
FOR WA R DV OLTA GE:V F(mV )
280
270
260
Ta=-25℃
0.1
0
10
A V E:270.2mV
8.3ms
10
A V E:3.90A
5
0
15
14
10
12
Rth(j-c)
ｶﾞﾗｽｴﾎﾟｷｼ基板実装時
IM =
10mA
1ms
A V E:17.34pF
11
10
C t DIS PERS IO NMAP
10
Ifs m
8.3ms 8.3ms
1cyc
5
1
10
NUM
B ER OF CYCLES
IFSM- C YC LE C HARAC TERIS TIC S
IF=100m
A
300us
1000
t
5
0
1
10
TIM E:t( ms)
IFSM- t CHA RA CTERIS TIC S
100
0.08
0.08
D=1/2
0.06
S in(θ＝180)
0.04
0
Ifs m
0.1
0.02
tim e
0.1
10
TIM E:t( s)
R th- t CHAR ACTER IS TIC S
100
0.1
FOR WA R DPOWER
D IS S IP AT IO N:Pf(W )
T RANS IENT
THA ER MA L IM PEDANCE:Rth(℃ / W)
13
A V E:2.017uA
5
IFSM DIS RES IO NMAP
Rth(j-a )
20
16
15
0
15
17
20
PEA K SU R GE
FOR WA R DCU R R EN T:IFSM(A)
PEA K SU R GE
FOR WA R DCU R R EN T:IFSM(A)
1cyc
10
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
IR DIS PERS IO NMAP
Ifs m
5
REV ERSE V OLTA GE:V R(V )
V R- Ct CHA RA CTERIS TIC S
18
10
1000
0
19
0
20
10
0.001
1
20
Ta=25℃
VR=10V
n=30pcs
V F DIS PERS IO NMAP
100
10
30
REV ERSE V OLTA GE：
V R(V )
V R- IR CHA RA CTERIS TIC S
25
250
15
20
30
Ta=25℃
IF=10mA
n=30pcs
290
Ta=25℃
10
FORWA RD V OLTA GE：
V F(mV )
V F- IF CHA RA CTERIS TIC S
300
CAP ACIT ANCE BET WEEN
T ERMIN A LS:C t(pF)
Ta=-25℃
1
Ta=75℃
100
f=1MHｚ
C APAC ITA N CE B ETWEEN
T ERMIN A LS:C t(pF)
Ta=75℃
1000
PEA K SU R GE
FOR WA R DCU R R EN T:IFSM(A)
10
Ta=125℃
100
Ta=125℃
0
0.1
A V ERA GE RECTIFIED
FOR WAR D CUR R ENT：
Io(A)
Io- PfC HARACTERIS TIC S
DC
R EV ER SE POWER
D IS S IP AT IO N:PR (W)
100
R EV ER SE CU R R EN T:IR (uA )
FOR WA R DCU R R EN T:IF (mA)
1000
0.2
0.06
0.04
DC
S in(θ＝180)
0.02
0
D=1/2
0
10
20
30
REV ERSE V OLTA GE:V R(V )
V R- P R CHA RA CTERIS TIC S
Rev.B
2/3
Diode
RB521G-30FH
0A
0V
0.2
DC
Io
t
T
VR
D =t/ T
VR=15V
Tj=125℃
D =1/ 2
0.1
S in(θ＝180)
0
0
25
50
75
100
A MB IENT TEMPERATURE:Ta(℃)
D erating Curveﾞ(I o-Ta)
125
0.3
A V ER A GE RECTIFIED
FOR WA R DCU R R EN T:Io(A)
A V ER A GE RECTIFIED
FOR WA R DCU R R EN T:Io(A)
0.3
0A
0V
0.2
DC
Io
t
T
VR
D =t/ T
VR=15V
Tj=125℃
D=1/2
0.1
S in(θ＝180)
0
0
25
50
75
100
CASE TEMPAR ATUR E:Tc(℃)
D erating Curveﾞ(I o-Tc)
125
Rev.B
3/3
Appendix
ご注意 ● 本資料の一部または全部を弊社の許可なく、転載・複写することを堅くお断りします。 ● 本資料の記載内容は改良などのため予告なく変更することがあります。本資料に記載されている内容は製品のご紹介資料です。ご使用にあたりましては、別途仕様書を必ずご請求の上、ご確認下さい。 ● 記載されております応用回路例やその定数などの情報につきましては、本製品の標準的な動作や使い方を説明するものです。従いまして、量産設計をされる場合には、外部諸条件を考慮していただきますようお願いいたします。 ● ここに記載されております製品に関する応用回路例、情報、諸データは、あくまで一例を示すものであり、これらに関します第三者の工業所有権等の知的財産権、及びその他の権利に対して、権利侵害がないことの保証を示すものではございません。従いまして（1）上記第三者の知的財産権の侵害の責任、又は、（2）これらの製品の使用により発生する責任につきましては弊社は、その責を負いかねますのでご了承ください。 ● 本資料に記載されている製品の販売に関し、その製品自体の使用、販売、その他の処分以外には弊社の所有または管理している工業所有権など知的財産権またはその他のあらゆる権利について明示的にも黙視的にも、その実施または利用を買主に許諾するものではありません。 ● 本品は、特定の機器・装置用として特別に設計された専用品とみなされるため、その機器・装置が外為法に定める規制貨物に該当するか否かを判断していただく必要があります。 ● 本製品は「耐放射線設計」はなされておりません。本資料に掲載されている製品は、一般的な電子機器（AV機器、OA機器、通信機器、家電製品、アミューズメント機器など）への使用を意図しています。極めて高度な信頼性が要求され、その製品の故障や誤動作が直接人命に関わるような機器・装置（医療機器、輸送機器、航空宇宙機、原子力制御、燃料制御、各種安全装置など）へのご使用を検討される際は、事前に弊社営業窓口までご相談願います。 ●輸出貿易管理令について本資料に掲載した製品は、輸出貿易管理令別表 1の16項に定める関税定率法別表第85類の貨物の対象となりますので、輸出する場合には、大量破壊兵器などの不拡散のためのキャッチオール規制に基づく客観要件又はインフォーム要件に該当するか否かを判定願います。 Appendix1-Rev1.1

Download Report