状況： • Sigケーブル側から100ns (500mVpp)の矩形波を入力し、 ICからの出力をHVケーブルを介してオシロで確認 • 出力をオシロで確認したときの信号の様子（青色）CR 回路による微分波が確認できる 100ns Sigケーブル( 67m) Func. genera tor オシロ • IC各チャンネルの微分波の高さを見ると17mV~20mVと一様に分布していた • そこからICのキャパシタンスがどれくらいの精度で一致しているか割り出す • 設計精度は3mmの厚さに対して 100μm 3.3%、電極の一辺が100mm に対して100μmの精度で合わしているので、キャパシタンス精度はほとんど厚さで決まっているとみてよい 20mV IC HV.ケーブル(70m) V • ケーブルによる減衰量の違いは考慮しないものとする • オシロを流れる電流(つまり電圧:V=RI) の時間積分（∫idt）は同じはず • オシロは同じチャンネルを使っているので読み出し抵抗値の違いは無いと考えられる • とすると微分波の高さの違いはキャパシタンスの違いで生じていると考えられる • この違いは例えば右上図のV-‐t曲線を時間積分すれば算出できて、 ∞ ∫ Ve 1 0 − t CR ∞ dt = ∫ V2e − V1 V2 t (C +ΔC )R 正極性の波形だけピックアップ C C+ΔC t dt 0 ⇔ V1CR = V2 (C + ΔC)R ∴V1 :V2 = C + ΔC : C ΔVとΔCの関係 ΔV/V = -‐ΔC/C • 測定した微分波の高さは17mV-‐20mVで一様分布しているとして、平均値18.5mV。 • -‐1.5mV~+1.5mV(全幅)なので1σをとると1.5×2/√12=0.87mV • ということで、1σ=0.87/18.5~4.7%でふらついている事になる • ここから想定されるキャパシタンスのふらつき（ΔC/C）を前ページで求めた関係を用いて、ΔC/C=4.7% • 設計値の許容誤差からくるふらつきだと、ΔC/C~3.3% • 測定値の方が設計値よりも誤差が大きい誤差が大きい原因 • タッチパネルからICまではポリイミドでつながっている • Chごとにその長さが違うと減衰量が変わるので、微分波の高さに違いが現れる • スペックによると、減衰量は1m当たり~1%（10MHz）なので、この可能性は多いにあると考えられる