掲示期間 H-26-212 1 月 19 日~2 月 3 日 総合研究機構エレクトロニクス研究所に この件に関する問い合 わせは広報課へ 電界放出形電子顕微鏡(FE ー SEM)を導入・設置 【FE-SEM 仕様:メーカー 日本電子 型式 JSM7100F/EDS/EBSD】 日時:平成 27 年 1 月 15 日(木)11:00~11:40 場所:B 棟 6F エレクトロニクス研究所計測室 内容:FE-SEM 導入テープカット及び機器デモンストレーション 西日本新聞 1 月 16 日(金) 朝刊に掲載されました。 《披露を兼ねてテープカット》 《機器デモンストレーションを実施》 (導入機器の特徴) (1) 最高観察倍率は100万倍、1.2ナノメートル(nm)(= 1.2 mの10億分の1)、最 大横7 cm×高さ 5cmの試料観察が可能。 広範な分野の試料をナノレベルで 分析・研究できる。 (2) エネルギー分散形X線分析装置(EDS)及び結晶方位解析装置(EBSD)まで装着 した形での導入・設置は九州の私立大学で初。全国的に見てもトップクラス の性能を有する。 (3)オプション機器の装着により、従来は別々の機器で行っていた試料表面の元 素分布の観察及び物質の結晶構造の分析を1台で実施することが可能とな り、作業の大幅な時間短縮と研究の効率化が図られる。 (4)本事業は、文部科学省私立大学等研究設備整備費等補助事業に採択された。 (FE-SEMの位置づけ:大学の研究戦略) (1) 本機器を中核機器として位置づけ、エレクトロニクス研究所の研究機能の強 化を図り、他の競争的研究助成の獲得や、地域の企業等との共同研究のニー ズも高い。 (2) ナノレベル観察が可能なトップレベルの性能を活用し、特に、金属、半導体、 セラミック分野での最先端かつ独創的な研究の創出を目指す。 (3) 学生を最先端計測機器に習熟させることで、先端材料開発等に高い研究力・ 技術力をもった技術者養成につなげる。
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