Effficient Power P Conver C rsion（E EPC）、窒化ガガリウムムのモノノリシッック・ハハーフブブリッジを製品化化、48 V 入力、、12 V出出力で効効率 97％％以上をを実現 GaN ハーフブリリッジの EPC C2105 は、完完全なバックク・コンバーータ・システテムの効率とと電力密度を度を改善するソソリューショョンを提供しします。スイイッチング 300 3 kHz で 448 V から 12 2Vへの変換変換時に 10 A で効率がほほぼ 98％、ススイッチンググ 300 kHz で 48 V から 1.0 V への変変換時に 14 4 A で効率 84 8 ％が得られれます。エフィシエント・パワー・ココンバージョョン社（EPC：Efficient Po ower Conve rsion Corporation、本社：カリフォルルニア州エルルセグンド））は 2014 年 11 月 13 日、日耐圧 80 V のモノリシッハーフブリッッジのエンハハンスメントト・モード GaN G トランジジスタ「EPC C2105」を製製品化ク・ハしました。単一デデバイスに 2 個の eGaN N®パワーFET T を統合するることによっって、相互接接続イプリント回路路基板上に必必要な間隔がが除去されまます。エンドド・ユーザーの電ンダクタンスとプ換システムののアセンブリリ・コストをを削減するとと同時に、（（特により高高い周波数での）力変換効率と電力密度のの両方を向上上できます。。EPC2105 は、高周波 DC-DC 変換換に最適でああり、テム負荷へのの 1 段の変換換が高効率でで実現できまます。 48 V から直接、1 V のシステジ部品 EPC2105 内の各デデバイスは、耐圧 80 V です。上側の FET のオオン抵ハーフブリッジ値で 10 mΩ、下側の FE ET は 2.3 mΩ Ω（標準値）です。ハイイサイド FET T の面抗 RDDS(on)は標準値積は、VIN / VOUT 比が大きいバ比バック・コンンバータにおおいて、効率的な DC-DC C 変換を最適適化すめに、ローササイド・デババイスの 1/4 4 の面積ですす。EPC2105 5 は、スイッッチング速度度や熱るため特性のの改善のためめにチップススケール•パッケージで提提供され、電電力密度を高高めるためにに、面積は、わずか 6.0 05 mm×2.3 mm です。開発基板開発基板「EPC9041」は、面積 2 インチ×1.5 インチ（1 インチは 2.54cm）で、集積化された 1 個のハーフブリッジ EPC2105 に加え、米テキサス・インスツルメンツ社のゲート•ドライバ LM5113、電源回路、バイパス・コンデンサを搭載しています。この基板は、最適なスイッチング特性が得られるようにレイアウトされており、波形測定と効率計算を単純化するために、さまざまなプローブ・ポイントを備えています。 eGaN FET の設計情報とサポート： EPC2105 のデータシートは、http://epc-co.com/epc/jp/製品/eGaNFET.aspx でダウンロードできます。開発基板 EPC9041 のクイック・スタート・ガイド：http://epc-co.com/epc/jp/製品/デモ・ボード/EPC9041.aspx アプリケーション・ノート： DC-DC の効率と電力密度を向上するための GaN の統合は、 http://bit.ly/EPCan018 にあります。ビデオ：統合された GaN パワーで効率と電力密度を向上は、 https://www.youtube.com/user/EPCCorporation でご覧になれます。