Efficient Power Conversion（EPC）、小さい実装面積で大電流を扱えるワイド・ピッチの eGaN FET®ファミリーを追加新しい eGaN®パワー・トランジスタは、確立した製造プロセスや組み立てラインとの互換性を強化し、大量生産が容易な高性能でワイド・ピッチのチップスケール・パッケージに収めたパワー・トランジスタのポートフォリオに追加されます。エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は 2015 年 5 月 21 日、ワイド・ピッチの接続レイアウトで設計した eGaN FET を 3 品種発売しました。これらの製品は、はんだボール(40 V EPC2030、60 V EPC2031、 100 V EPC2032)・ピッチを 1mm に広くしたことが特徴で、EPC 社の「リラックス・ピッチ」のデバイス・ファミリーの拡張です。このワイド・ピッチは、実装面積が 2.6mm×4.6mm と非常に小さいにもかかわらず、高い電流処理能力を可能にするために、デバイスの下により大きなビアを追加して配置することができます。オン抵抗が同等の最先端のシリコン・パワーMOSFET と比べて、これらの製品は、非常に小型で、何倍も優れたスイッチング特性を備えています。高い周波数の DC-DC コンバータ、DC-DC コンバータや AC- DC コンバータの同期整流、モーター駆動、D 級オーディオなどの用途に最適です。型番耐圧 VDS オン抵抗 RDS(on) （Typ 値）ゲート電荷 QG （Typ 値）ドレイン電流 ID （パルス） EPC2030 40 V 1.8 mΩ 18 nC 495 A EPC2031 60 V 2.0 mΩ 17 nC 450 A EPC2032 100 V 3.0 mΩ 14 nC 300 A eGaN FET の設計情報とサポートデータシートは、http://epc-co.com/epc/Products/eGaNFETs.aspx でダウンロードできます。 EPC について EPC は、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPC は、最高のシリコン・パワーMOSFET よりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FET を初めて製品化しました。DC-DC コンバータ、ワイヤレス・パワー伝送、包絡線追跡、RF 伝送、パワー・インバータ、リモート・センシング技術（LiDAR）、D 級オーディオ・アンプなどの用途で、パワー MOSFET を置き換えられます。EPC のウエブサイトは、www.epc-co.com です。 eGaN は、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。