RB088NS150FH : ダイオード

ショットキーバリアダイオード
RB088NS150FH
Datasheet
AEC-Q101準拠
l外形寸法図(Unit : mm)
l用途
lランド寸法図(Unit : mm)
スイッチング電源用
RB088
NS150
l特長
1
1) カソードコモンデュアル
タイプ
LPDS
2) 低IRタイプ
3) 高信頼性
l回路図
カソード
4) AEC-Q101準拠
ROHM : LPDS
JEITA : TO263S
1
製造年・週・日
l構造
シリコンエピタキシャル
アノード アノード
lテーピング仕様 (Unit : mm)
プレーナ型
l絶対最大定格(Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
尖頭逆方向電圧
VRM
150
V
直流逆方向電圧
VR
150
V
平均整流電流 (*1)
Io
10
A
IFSM
50
A
Tj
150
°C
尖頭順サージ電流 (60Hz·1cyc) (*2)
接合部温度
-55~+150
Tstg
°C
保存温度範囲
(*1) 1素子当りの平均整流電流 1/2Io ガラスエポキシ基板実装時。180°Half sine wave
(*2) 1素子当りの値
l電気的特性(Ta=25°C)
Parameter
Conditions
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
順方向電圧
VF
-
0.78
0.88
V
IF=5.0A
逆方向電流
IR
-
-
15
mA
VR=150V
Rth(j-c)
-
-
2
°C/W
熱抵抗
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1/5
接合部-ケース間
2013.06 - Rev.B
Data Sheet
RB088NS150FH
l電気的特性曲線
10000
REVERSE CURRENT : IR(mA)
FORWARD CURRENT : IF(mA)
10
Ta = 150°C
1
Ta = 125°C
Ta = 75°C
0.1
Ta = 25°C
Ta = -25°C
0.01
100
1
0.001
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS : Ct(pF)
FORWARD VOLTAGE : VF(mV)
5
10
15
20
25
0
50
100
150
Ta=25°C
VF=5A
n=30pcs
780
775
AVE : 765.6mV
770
765
760
755
30
REVERSE VOLTAGE : VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
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Ta = -25°C
785
f = 1MHz
0
Ta = 25°C
0.01
REVERSE VOLTAGE : VR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
100
10
Ta = 75°C
0.1
FORWARD VOLTAGE : VF(mV)
VF-IF CHARACTERISTICS
1000
Ta = 125°C
10
0.0001
100 200 300 400 500 600 700 800 900
Ta = 150°C
1000
VF DISPERSION MAP
2/5
2013.06 - Rev.B
Data Sheet
RB088NS150FH
l電気的特性曲線
455
REVERSE CURRENT : IR(nA)
AVE : 327.3nA
350
Ta=25°C
VR=150V
n=30pcs
325
300
275
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS : Ct(pF)
375
450
445
440
435
430
IR DISPERSION MAP
Ct DISPERSION MAP
30
225
IFSM
8.3ms
1cyc.
200
AVE : 153.5A
150
125
REVERSE RECOVERY TIME : trr(ns)
250
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT : IFSM(A)
AVE : 434.5pF
425
250
175
Ta=25°C
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
100
IFSM DISPERSION MAP
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Ta=25°C
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25*IR
n=10pcs
25
20
15
AVE : 10.7ns
10
5
0
trr DISPERSION MAP
3/5
2013.06 - Rev.B
Data Sheet
RB088NS150FH
l電気的特性曲線
1000
IFSM
8.3ms
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT : IFSM(A)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT : IFSM(A)
1000
8.3ms
1cyc.
100
10
1
10
IFSM
time
100
10
100
1
10
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
TIME : t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
6
Rth(j-c)
1
Mounted on glass epoxy board
IM=10mA
IF=5A
1ms 300ms
0.1
1
10
100
Sin(θ=180)
3
2
0
1000
DC
0
1
2
3
4
5
6
7
8
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT : Io(A)
Io-Pf CHARACTERISTICS
TIME : t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
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4
1
time
0.01
D = 1/2
5
Rth(j-a)
FORWARD POWER
DISPERSION : PF (W)
TRANSIENT
THERMAL IMPEDANCE : Rth (°C/W)
10
0.1
0.001
100
4/5
2013.06 - Rev.B
Data Sheet
RB088NS150FH
l電気的特性曲線
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT : Io(A)
REVERSE POWER
DISPERSION : PR (W)
0.2
DC
0.15
0.1
D = 1/2
Sin(θ=180)
0.05
0
0
50
100
DC
T
D=t/T
VR=750V
Tj=150°C
D = 1/2
5
Sin(θ=180)
0
0
25
50
75
100
D = 1/2
6
4
Sin(θ=180)
2
0
25
50
75
125
100
125
150
3
AVE : 2.21kV
2.5
2
1.5
1
150
AVE : 0.47kV
0.5
0
CASE TEMPERATURE : Tc(°C)
DERATING CURVE (Io-Tc)
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T
VR
t
ELECTROSTATIC
DISCHARGE TEST ESD(kV)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT : Io(A)
10
DC
D=t/T
VR=75V
Tj=150°C
AMBIENT TEMPERATURE : Ta(°C)
DERATING CURVE (Io-Ta)
Io
0V
VR
t
8
REVERSE VOLTAGE : VR(V)
VR-PR CHARACTERISTICS
0A
0V
10
0
150
Io
0A
12
0.25
C=200pF
R=0W
C=100pF
R=1.5kW
ESD DISPERSION MAP
5/5
2013.06 - Rev.B
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1) 本資料の記載内容は改良などのため予告なく変更することがあります。
2) 本資料に記載されている内容は製品のご紹介資料です。ご使用に際しては、別途最新の仕様書を必ず
ご請求のうえ、ご確認ください。
3) ロームは常に品質・信頼性の向上に取り組んでおりますが、半導体製品は種々の要因で故障・誤作動する
可能性があります。
万が一、本製品が故障・誤作動した場合であっても、その影響により人身事故、火災損害等が起こらない
ようご使用機器でのディレーティング、冗長設計、延焼防止、バックアップ、フェイルセーフ等の安全確保
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したがいまして、量産設計をされる場合には、外部諸条件を考慮していただきますようお願いいたします。
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・輸送機器(車載、船舶、鉄道など)、幹線用通信機器、交通信号機器、防災・防犯装置、安全確保のため
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・航空宇宙機器、原子力制御機器、海底中継機器
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14) 本資料の一部または全部をロームの許可なく、転載・複写することを堅くお断りします。
ローム製品のご検討ありがとうございます。
より詳しい資 料やカタログなどご用 意しておりますので、お問合せください。
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R1102A