FC4B22180L - パナソニック

Doc No. TT4-EA-14949
Revision. 1
製品規格
MOS FET
FC4B22180L
FC4B22180L
ゲート抵抗内蔵デュアルNチャネルMOSFET
Unit: mm
リチウムイオン2次電池保護回路用
1.74
3
1
2
特長
y 低ソース・ソース間オン抵抗:Rss(on)typ. = 9.4 mΩ（VGS = 4.5 V)
y ＣＳＰ(チップサイズパッケージ)
y 鉛フリー対応パッケージ（EU RoHS / MSL:Level 1　適合）
0.11
1.74
4
0.65
φ0.3
形名表示記号: 17
包装仕様
(0.545)
エンボスタイプ（熱圧着方式）： 10 000 個 / 巻（標準）
0.65
(0.545)
1. Source (FET1) 3. Gate (FET2)
2. Gate (FET1)
4. Source (FET2)
絶対最大定格　Ta = 25 °C
項目
ソース・ソース間電圧
ゲート・ソース間電圧
ソース電流
許容損失
DC *1
DC *2
Pulse *3
DC *1
DC *2
チャネル温度
保存温度
熱抵抗　チャネル・外気間
Note
DC *1
DC *2
記号
定格
単位
VSS
VGS
IS1
IS2
ISp
PD1
PD2
Tch
Tstg
Rth1
Rth2
20
±8
5
10
50
0.4
1.5
150
-55 to +150
312
83
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
°C/W
°C/W
*1 FR4基板実装時
(25.4mm × 25.4mm × t1.0mm, 36μm Copper)
*2 セラミック基板実装時
(70mm × 70mm × t1.0mm)
*3 t = 10 μs, Duty Cycle ≤ 1 %
Panasonic
JEITA
Code
MLGA004-W-1717-RB
―
―
Equivalent circuit
(S2)
4
(G2)
3
1
(S1)
2
(G1)
FET2
FET1
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Doc No. TT4-EA-14949
Revision. 1
製品規格
MOS FET
FC4B22180L
電気的特性　Ta = 25 °C ± 3 °C
項目
記号
ソース・ソース間降伏電圧
ソース・ソース間遮断電流
VSSS
ISSS
ゲート・ソース間漏れ電流
IGSS
Vth
RSS(on)1
RSS(on)2
RSS(on)3
RSS(on)4
VF(s-s)
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
ゲートしきい値電圧
ソース・ソース間オン抵抗
ダイオード順方向電圧
入力静電容量　*1
出力静電容量　*1
帰還静電容量　*1
ターンオン遅延時間 *1,*2
上昇時間 *1,*2
ターンオフ遅延時間 *1,*2
下降時間 *1,*2
総ゲート電荷量 *1
ゲート・ソース電荷量 *1
ゲート・ドレイン電荷量 *1
Note
条件
最小標準最大
IS = 1 mA, VGS = 0 V
VSS = 20 V, VGS = 0 V
VGS = ±8 V, VSS = 0 V
VGS = ±5 V, VSS = 0 V
IS = 0.64 mA, VSS = 10 V
IS = 2.5 A, VGS = 4.5 V
IS = 2.5 A, VGS = 3.8 V
IS = 2.5 A, VGS = 3.1 V
IS = 2.5 A, VGS = 2.5 V
IF = 2.5 A, VGS = 0 V
単位
20
0.35
7
7.3
8.1
8.6
VSS = 10 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz
VDD = 10 V, VGS = 0 to 4.0 V
IS = 2.5 A
VDD = 10 V, VGS = 4.0 to 0 V
IS = 2.5 A
VDD = 10 V
VGS = 0 to 4.0 V,
IS = 2.5 A
0.90
9.4
10
11.1
13.4
0.8
2440
200
160
0.9
1.6
5
2.4
23
6
5
V
μA
1.0
±10
±1.0
1.4
11.9
12.9
15.8
22.6
1.2
μA
V
mΩ
V
pF
μs
μs
nC
測定方法は、日本工業規格　JIS C 7030 トランジスタ測定方法による
*1 設計保証の項目
*2 ターンオン遅延時間 / 上昇時間 / ターンオフ遅延時間 / 下降時間　測定回路
Note2:測定回路
VDD = 10 V
IS = 2.5 A
RL = 4.0 Ω
Vout
S2
90 %
Vin
10 %
Rg
G2
90 %
G1
Vin
4V
90 %
Vout
Rg
10 %
10 %
50 Ω
0V
PW = 10 μs
D.C. ≤ 1 %
S1
td(on) tr
td(off)
tf
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Revision. 1
製品規格
MOS FET
FC4B22180L
Technical Data ( reference )
IS - VSS
RSS(on) - IS
Source-source ON-state Resistance
RSS (on) ( mΩ )
10
Source Current IS ( A )
VGS = 4.5 V
8
3.8 V
3.1 V
6
2.5 V
4
2.0 V
2
※Pulse measurement
0
0
0.1
0.2
0.3
20
※Pulse measurement
15
2.5 V
3.1 V
3.8 V
10
VGS = 4.5 V
5
1
3
5
IS - VGS
9
RSS(on) - VGS
10
1
Ta = 85 °C
0.1
25 °C
0.01
-40 °C
0.001
0
0.5
1
1.5
2
Source-source ON-state Resistance
RSS (on) ( mΩ )
30
※Pulse measurement
Source Current IS ( A )
7
Source Current IS (A)
Source-source Voltage VSS (V)
※Pulse measurement
20
Ta = 85 °C
10
25 °C
0
1
2
Gate-source Leakage Current IGS ( A )
※Pulse measurement
Ta = 85 °C
0.1
25 °C
0.01
-40 °C
0.001
0.2
0.4
4
5
IGS - VGS
10
0
3
Gate-source Voltage VGS ( V )
IF - VF
1
-40 °C
IS = 2.5 A
Gate-source Voltage VGS ( V )
Diode Forward Current IF ( A )
2.0V
0.6
0.8
Body Diode Forward Voltage VF ( V )
1
1.E-02
※Pulse measurement
1.E-04
Ta = 85 °C
25 °C
1.E-06
1.E-08
-40 °C
1.E-10
0
2
4
6
8
10
Gate-source Voltage VGS (V)
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Revision. 1
製品規格
MOS FET
Technical Data ( reference )
ISS - VSS
Dynamic Input/Output Characteristics
1.E-03
5.0
Gate - source Voltage VGS ( V )
Zero Gate Voltage Source Current ISS ( A )
FC4B22180L
1.E-04
1.E-05
1.E-06
Ta = 85 °C
1.E-07
1.E-08
25 °C
1.E-09
-40 °C
1.E-10
0
5
10
15
20
25
4.5
IS = 2.5 A
4.0
8V
3.5
10 V
3.0
2.5
VDD = 12 V
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
30
0
Source-source Voltage VSS ( V )
15
20
25
30
Safe Operating Area
1000
1000
limited by
RSS(on) （VGS = 3.8 V）
100
10
1
Ta = 25 °C,
Mounted on FR4 board ( 25.4 mm × 25.4 mm × t1.0 mm )
using the minimum recommended pad size (36μm Copper ).
0.1
0.0001 0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width tsw ( s )
Source Current IS ( A )
Thermal Resistance Rth ( °C/W )
10
Gate Charge ( nC )
Rth - tsw
Normalized Effective Transient Thermal Impedance
5
100
PW = 10 μs
10
500 μs
1 ms
3 ms
11 ms
100 ms
1s
1
0
0
Ta = 25 °C,
Mounted on FR4 board
( 25.4 mm × 25.4 mm × t1.0 mm )
using the minimum recommended
pad size (36μm Copper ).
0.1
1
DC
10
100
Source-source Voltage VSS ( V )
Thermal Response
10
Ta = 25 °C,
Mounted on FR4 board ( 25.4 mm × 25.4 mm × t1.0 mm )
using the minimum recommended pad size (36μm Copper ).
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Square Wave Pulse Duration ( s )
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製品規格
MOS FET
FC4B22180L
MLGA004-W-1717-RB
Unit: mm
1.74±0.04
3
1
2
+0.05
0.11-0.02
1.74±0.04
4
(0.545)
0.65
φ0.30±0.03
0.65
(0.545)
Land Pattern (Reference) (Unit: mm)
0.65
φ0.3
0.65
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条件を守ってご使用ください。
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20100202

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