ルネサス臨界モードインターリーブPFC IC 中発中開開発 R2A20118A ~ 機能・性能強化版 ~ Rev.1.1 2010年4月ﾌｨﾙﾀ特長 • 保護機能強化 Brownout機能（Æ 項目1） OVP2 （Æ 項目2）・力率特性改善 RAMP Gain切り替え（Æ 項目3 ） •負電圧耐量アップ OCP端子の負電圧耐量アップ（Æ 項目4）ＶＣＣ ZCDS GDM BO GND VREF 最大定格 • Vcc Maximum • Tj operation ZCDM 力率特性改善 1. Brownout機能 OCPM RAMP-GAIN OCPS RT 瞬停対策 : 24V : -40 ～ +150℃ GDS SS 負電圧耐量アップ NC 2つ目のOVP RAMP TL COMP OVP2 NC FB 2. OVP2機能 AC入力電圧を分圧・平滑しBO端子に入力することで、 AC入力電圧が設定電圧よりも低くなった時にスイッチングを停止させることができます。 FB端子とOVP2端子に、２系統のOVP機能を搭載。過電圧に対する安全性がさらに高まりました。FB端子のみで検出している場合、抵抗値が変動した場合に過電圧保護が働きません。 R2A20112 R2A20117 R2A20118A ﾌｨﾙﾀ PFC out Q OVP2 OVP2 (FB*1.09) S R BO PFC out FB スイッチング停止 FB スイッチング停止 OVP1 (FB*1.09) DOVP (FB*1.05) OVP1 (FB*1.09) DOVP (FB*1.05) 3. RAMP-GAIN切り替え機能力率 vs 出力電流（AC入力電圧220V) 力率 vs 出力電流（AC入力電圧100V) 1 1 0.9 0.9 0.8 RAMPgain Enable RAMPgain Disable Power factor RAMPgain Enable RAMPgain Disable Power factor GDのパルス幅はCOMP端子電圧とRAMP 端子波形で制御されますが、AC入力電圧が高いとCOMP端子電圧が低下するため、パルス幅制御がし難くなり力率が悪化します。 AC入力電圧が200V系の場合に、RAMP端子チャージ電流を増加させることでCOMP端子電圧を高くし、力率を改善する機能です。 0.8 0.7 0.7 In AC 200V system, Ramp gain is good 0.6 0.6 0.5 0.5 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 Iout (A) 0.6 0.7 0.8 0.9 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 Iout (A) 0.6 0.7 0.8 0.9 4．負電圧耐量アップパワーMOSFETがターンオフした際、ドレイン電流が急激に遮断されることによって寄生インダクタンスに逆起電力が発生し、パワーMOSFETの過電流を検出しているOCP端子に負電圧が印加される場合があります。 ICに負電圧が印加されると、IC内の寄生素子がONして正常な動作ができない可能性があります。負電圧はターンオフのスピードやパターンの設計でも抑えられますが、IC側で耐量を向上することで、R2A20118Aは従来製品より一層使いやすくなりました。 OPC端子最大定格 GD PFC IC GD ID OCP 寄生インダクタンス -0.3V (R2A20117) ID OCP -1.0V 電流検出抵抗負電圧ルネサスエレクトロニクス株式会社 URL http://japan.renesas.com/pfcic ©2010. Renesas Electronics Corporation, All rights reserved. (R2A20118A)