部品表 番号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 部品 GM管 SD1602HULB AVR ATmega168P FQPF3N90 ERB44-10 1N4148 LED 78N05 2SC1213 16V, 100μF 押しボタンスイッチ コイル 1mH ブザー HV 0.01μF 0.1μF 1000pF 1kΩ 4.7kΩ 33kΩ 4.7MΩ ICソケット 28P ピンソケット ピンヘッダ 基板 ACアダプター DCジャック GM管ホルダー バッテリースナップ 摘要 / 備考 ガイガー・ミュラー計数管 (オプション) LCDキャラクタディスプレイモジュール マイクロコントローラ・プログラム済み NチャネルパワーMOS-FET 高耐圧ファストリカバリダイオード 汎用小信号用スイッチングダイオード 発光ダイオード (白色) 3端子レギュレータ (5V) 汎用NPN型トランジスタ 電解コンデンサ (電圧、容量変更の場合あり) タクトスイッチ インダクタ (102) φ13 圧電ブザー 高耐圧セラミックコンデンサ (103) セラミックコンデンサ (104) セラミックコンデンサ (102) (茶黒赤金) 1/6W (黄紫赤金) 1/6W (橙橙橙金) 1/6W (黄紫緑金) 1/4W スリム300milタイプ (メス) 1×14 (オス) 1×20 蛇の目万能基板 (95X72) スイッチングタイプ (12V) 内径2.1mm外径.5.5mm 電極固定用ホルダー 電池スナップ 「縦型」 個数 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2 1 1 1 3 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2 1 ・高耐圧ファストリカバリダイオード等の足がフォーミングされていますので、曲げ直して取り付けしてください。 ・FETの半田付け時、ニクロム線のコテの場合 破損防止で念のためコンセントを抜き、余熱で半田付けしてください ・番号1~10までの部品は、向きがありますので注意して取り付けしてください 製作説明 1 2 3 4 ジャンパー線が4箇所ありますので、最初に付けます JP1~JP4 (図1) 背の低い抵抗、ダイオード、コンデンサを付けます (図2) その他の部品を付けます (図3) LCDキャラクタディスプレイモジュールにコネクタを付けます (図4) 注意: ピンの穴が16個ありますが、図の位置に付けます 5 基板の裏側のパターンを接続します (図5) 6 マイコンをソケットに挿します、向きに注意 (図6) 操作説明 1 2 3 4 5 6 7 8 完成後、出力電圧 と μSv/h計算用係数を設定する必要があります 電源投入後、初期画面が2秒間表示されますが、表示が消える前から 左側(電圧・係数)又は右側(計測時間) 又は左右両側(パルス検出時間)のスイッチを押し続けると、各設定モードになります 右側のスイッチを押すと数値が変更され、左側のスイッチで決定です 数値を上げると、出力電圧も上がります パルス時間: 設定数値μ秒 周期400Hz固定 実測値では、約1000Vまで上がる事を確認しています 計算用係数も 同じように変更します 小型ガイガー管には数値を少なくし、大型管には数値を大きくします 係数算出例: バックグラウンド(世界平均0.14μSv/h)で25cpmのGM管の場合: (25÷1.4)÷2≒9 より係数を「9」にする 係数算出例: 1μSv/hで600cpmのGM管の場合: 600÷(1÷0.14)÷2=42 より係数を「42」にする ですが、GM管は個体差があるので補正が必要です 計測時間(μSv/h): 30秒 - 表示変化は早いが正確さが劣る。 60秒 - 表示変化は遅いが正確さが優れる パルス検出時間は特に変更の必要はありませんが、ガイガー管の検出時カウントが、1つずつ増えない場合 数値を大きくして1つずつ増えるようにしてください、:数値はできるだけ最小値にしてください 全て設定した値は、電源を切っても保持されますので毎回設定する必要はありません 消音機能: 動作中に右側ボタンを押すことで切換可能 電源断でも保持されます ピーク値: 動作中に左側ボタンを押すことで観覧可能 注: SI-3BG/CI-3BGに定格電圧を加えた場合、自然放射線(BG)レベルでは、 1~2分間に1回しか放射線を検出しないのが正常です、 過電圧を加えることで、検出率を上げ 実用的になりますが、 SI-3BG/CI-3BGの約半数は過電圧を加えると内部で放電してしまいます。 図1 図2 図3 図4 図5 図6 1 A 7V to 12V 7805 0.1u 0.1u B FQPF3N90 1mH ERB44-10 0.01u 4.7M A C GM Tube K 1000p 33k LCD D マイコン 回路的には、だいたいこんな感じです 動作は、マイコンでパルスを作ってFETをスイッチング動作させると、コイルに高電圧が発生するので 高速ダイオードで高電圧を取り出し、ガイガーミュラー管に供給する、 放射線を検出した信号をマイコンの割り込み動作で取り込むと、LED点滅&ブザー音を鳴らす 予定では、マイコンで昇圧後の電圧をフィードバックさせて、一定電圧をGM管に供給にしたかったのだが、 高抵抗値の抵抗が入手しにくい為、今回は定電圧電源の供給(5V)の条件で一定パルスの条件で高電圧を生成する したがって、供給電圧は5Vでなければならない 平均値では、5V, 12mA程度で動作しますが、スイッチング時のパルス発生時には150mA程度必要とするようです 電源の電流容量が少ないと、検出率が低下します 006P(9V角型電池)でも動作いたします 市販の100円ショップ等で販売している、単三2本からUSBの5V電源が取れるアダプターを使っても正常に動作しました 100u B C 高電圧測定 + 高電圧測定 D 1000M LED 電圧を測定する場合、通常のテスターではインピーダンスが低い為正常に電圧を測定できません 右図にある測定プローブの製作が必要になります、テスターに表示された電圧を100倍した数値が測定結果になります 通常のテスターのインピーダンスが、約10MΩありますので回路中の10MΩは不要です 高電圧測定用プローブ 100:1 製作後に実測値の比率で補正計算すれば、良いと思います A 10M 2 3 4 1k 4.7k 2SC1213 IN GND OUT SP E + テスター電圧測定 - テスター電圧測定 E 1 2 3 4 設定値 出力電圧 (V) 1 41 2 56 3 73 4 90 5 107 6 125 7 143 8 161 9 180 10 198 11 217 12 236 13 254 14 274 15 292 16 312 17 331 18 350 19 370 20 389 21 409 22 428 23 447 24 466 25 485 26 504 27 523 28 542 29 561 30 580 31 599 32 618 33 637 34 655 35 675 36 693 37 712 38 731 39 748 40 767 41 786 42 805 43 823 44 840 45 858 46 877 47 895 48 913 49 930 50 948 51 965 52 983 53 1000 54 1018 55 1035 56 1040 57 1040 58 1040 59 1041 60 1042 このデータは、入力インピーダンス1TΩ 100:1のプローブを使用 入力電圧(5V)に左右されますので、あくまで参考値としてください 約1000Vで頭打ちするのは、使用しているパーツの耐圧が FET→900V、 ダイオード→1000V である為と考えられる SI-3BG 動作電圧(V):380~460V → 電圧設定:20~24 バックグラウンド(世界平均0.14μSv/h) = 1CPM 係数算出: (1÷1.4)÷2≒0.4 より係数を「1」にする SI-3BGは感度が低く標準電圧での使用では実用的ではありません 電圧設定を:30~40 と高めにすることで 検出率を高めることができます その場合、係数設定は他を基準としなければなりません SBM-20 動作電圧(V):360~440V → 電圧設定:19~23 推奨動作電圧(V):400V → 電圧設定:21 バックグラウンド(世界平均0.14μSv/h) = 27CPM 係数算出: (27÷1.4)÷2≒10 より係数を「10」にする CI-1G/SI-1G 動作電圧(V):360~440V → 電圧設定:19~23 推奨動作電圧(V):400V → 電圧設定:21 バックグラウンド(世界平均0.14μSv/h) = 24.6CPM 係数算出: (24.6÷1.4)÷2≒9 より係数を「9」にする SI-37G 動作電圧(V):350~550V → 電圧設定:18~28 推奨動作電圧(V):390V → 電圧設定:20 バックグラウンド(世界平均0.14μSv/h) = 15CPM 係数算出: (15÷1.4)÷2≒ 5 より係数を「5」にする 上記係数はあくまでも、標準値であり GM管は個体差があるので補正が必要で、 メーカー製ガイガーカウンター製品も 1台1台補正されているようです
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