2SC5089

2SC5089
東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形
2SC5089
○ VHF~UHF 低雑音増幅用
•
単位: mm
雑音特性が優れています。
: NF = 1.1dB, |S21e|2 = 13dB (f = 1 GHz)
絶対最大定格 (Ta = 25°C)
項
目
記
号
定
格
単位
コ レ ク タ ・ ベ ー ス 間 電 圧
VCBO
20
V
コ レ ク タ ・ エ ミ ッ タ 間 電 圧
VCEO
10
V
エ ミ ッ タ ・ ベ ー ス 間 電 圧
VEBO
1.5
V
流
IC
40
mA
流
IB
20
mA
失
PC
150
mW
コ
ベ
コ
レ
ク
ー
タ
電
ス
レ
ク
電
タ
損
接
合
温
度
Tj
125
°C
保
存
温
度
Tstg
−55~125
°C
注:
S-MINI
JEDEC
―
本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内で
JEITA
SC-59
の使用においても、高負荷 (高温および大電流/高電圧印加、多大な
温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下す
東 芝
2-3F1A
るおそれがあります。
質量: 12mg (標準)
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いお
よびディレーティングの考え方と方法) および個別信頼性情報 (信
頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
1
2010-02-17
2SC5089
マイクロ波特性 (Ta = 25°C)
項
目
記
入
電
雑
力
音
利
得
指
数
測 定 条 件
最小
標準
最大
単位
GHz
VCE = 8 V, IC = 20 mA
7
10
⎯
2
VCE = 8 V, IC = 20 mA, f = 1 GHz
10
13
⎯
2
VCE = 8 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
⎯
7
⎯
NF (1)
VCE = 8 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz
⎯
1.1
2.5
NF (2)
VCE = 8 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
⎯
1.7
⎯
最小
標準
最大
単位
fT
ト ラ ン ジ シ ョ ン 周 波 数
挿
号
⎪S21e⎪ (1)
⎪S21e⎪ (2)
dB
dB
電気的特性 (Ta = 25°C)
項
目
記
号
測 定 条 件
コ
レ
ク
タ
し
ゃ
断
電
流
ICBO
VCB = 10 V, IE = 0
⎯
⎯
1
μA
エ
ミ
ッ
タ
し
ゃ
断
電
流
IEBO
VEB = 1 V, IC = 0
⎯
⎯
1
μA
VCE = 8 V, IC = 20 mA
50
⎯
160
⎯
⎯
0.7
⎯
pF
⎯
0.5
1.0
pF
直
コ
流
レ
電
ク
帰
流
タ
増
出
還
力
幅
容
容
注 1: hFE 分類
率
hFE
(注 1)
量
Cob
量
Cre
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz (注 2)
R: 50~100, O: 80~160
注 2: Cre は 3 端子法でエミッタ端子をブリッジのガード端子に接続して測定する。
現品表示
3
形名
hFE 分類
MDR
1
2
2
2010-02-17
2SC5089
hFE – IC
Cob, Cre – VCB
4
コレクタ出力容量 Cob (pF)
帰還容量 Cre (pF)
300
直流電流増幅率
hFE
200
100
70
50
30
20
VCE = 8 V
2
2
3
5
10
7
IC
コレクタ電流
30
20
Cob
1
0.7
Cre
0.5
0.3
0.2
f = 1 MHz
Ta = 25°C
0.1
0.1
Ta = 25°C
10
1
3
50
0.2
0.3
0.5 0.7
VCB
7
10
(V)
2
(dB)
12
2
10
⎪S21e⎪
8
6
4
2
VCE = 8 V
10
8
6
4
VCE = 8 V
2
f = 2 GHz
Ta = 25°C
Ta = 25°C
0
1
5
⎪S21e⎪ – IC
挿入電力利得
(GHz)
3
(mA)
12
fT
2
コレクタ・ベース間電圧
fT – IC
トランジション周波数
1
2
3
5
10
7
IC
コレクタ電流
20
0
1
30
2
(mA)
3
5
7
コレクタ電流
2
⎪S21e⎪ – f
10
20
IC
(mA)
30
50
NF – IC
30
5
IC = 20 mA
25
Ta = 25°C
(dB)
4
NF
20
15
雑音指数
挿入電力利得
⎪S21e⎪
2
(dB)
VCE = 8 V
10
3
f = 2 GHz
2
1
5
f = 1 GHz
VCE = 8 V
Ta = 25°C
0
0.1
0.2
0.3
周
波
0.5
0.7
1
数
f (GHz)
2
0
1
3
2
3
5
7
コレクタ電流
3
10
20
IC
(mA)
30
50
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2SC5089
2
⎪S21e⎪ – VCE
PC – Ta
IC = 20 mA
12
6
4
2
0
0
160
120
コレクタ損失
⎪S21e⎪
挿入電力利得
8
(mW)
Ta = 25°C
10
PC
f = 2 GHz
2
(dB)
200
2
4
6
8
コレクタ・エミッタ間電圧
Sパラメータ
80
40
0
0
10
25
VCE (V)
50
75
周囲温度
100
Ta
125
150
(°C)
ZO = 50 Ω, Ta = 25°C
VCE = 8 V, IC = 5 mA
S11
周波数
S21
S12
S22
(MHz)
Mag.
Ang.
Mag.
Ang.
Mag.
Ang.
Mag.
Ang.
200
0.653
−48.5
10.080
136.2
0.046
63.5
0.766
−27.9
400
0.420
−82.1
7.242
112.7
0.069
57.6
0.561
−35.0
600
0.284
−105.7
5.393
98.9
0.086
57.9
0.466
−35.4
800
0.214
−126.0
4.245
89.7
0.103
59.4
0.420
−34.9
1000
0.169
−146.7
3.508
82.2
0.121
60.6
0.394
−34.7
1200
0.155
−166.4
3.012
75.9
0.140
61.9
0.382
−35.1
1400
0.152
174.1
2.645
70.2
0.162
62.1
0.374
−36.1
1600
0.154
156.7
2.350
65.0
0.182
61.3
0.363
−38.5
1800
0.161
145.9
2.136
60.2
0.202
60.5
0.355
−41.0
2000
0.181
134.5
1.972
55.8
0.224
60.6
0.345
−44.0
VCE = 8 V, IC = 20 mA
S11
周波数
S21
S12
S22
(MHz)
Mag.
Ang.
Mag.
Ang.
Mag.
Ang.
Mag.
Ang.
200
0.275
−80.2
17.464
114.7
0.033
68.9
0.506
−36.6
400
0.147
−116.5
9.693
97.8
0.057
72.0
0.353
−32.4
600
0.097
−150.0
6.680
88.8
0.082
72.7
0.313
−27.9
800
0.083
179.5
5.088
82.3
0.106
72.1
0.300
−25.9
1000
0.084
151.3
4.141
76.7
0.131
71.2
0.295
−25.2
1200
0.095
135.6
3.497
72.2
0.156
69.8
0.295
−25.7
1400
0.108
124.2
3.058
67.7
0.182
67.7
0.297
−27.3
1600
0.121
113.8
2.699
63.2
0.206
65.2
0.289
−30.1
1800
0.128
108.4
2.432
59.2
0.228
63.0
0.283
−33.2
2000
0.146
104.2
2.241
55.5
0.253
61.6
0.274
−36.5
4
2010-02-17
2SC5089
S21e
VCE = 8 V
IC = 5 mA
Ta = 25°C
S11e
VCE = 8 V
IC = 5 mA
Ta = 25°C
(単位: Ω)
90°
10
j50
120°
j25
60°
j100
j150
j10
150°
6
f = 0.2 GHz
10
30°
4
0.8
j250
0
8
0.4
1.2
1.6
2.0
2
2.0
25 1.6
250
100
50
±180° 10
1.2
8
6
4
2
0°
0
0.8
−j250
−j10
0.4
−150°
f = 0.2 GHz
−j25
−30°
−j150
−j100
−60°
−120°
−90°
−j50
S12e
VCE = 8 V
IC = 5 mA
Ta = 25°C
120°
S22e
VCE = 8 V
IC = 5 mA
Ta = 25°C
(単位: Ω)
90°
0.25
60°
0.20
j25
j150
30°
1.2
0.10
j10
j250
0.8
0.4
0.05
f = 0.2 GHz
±180°
j100
2.0
1.6
0.15
150°
j50
0
0.05 0.10 0.06
0.15
0°
0.20 0.25
0
10
25
50
1.6
2.0
0.8
0.4
−j10
−150°
250
100
1.2
−30°
f = 0.2 GHz −j250
−j150
−j25
−60°
−120°
−90°
−j100
−j50
5
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2SC5089
S21e
VCE = 8 V
IC = 20 mA
Ta = 25°C
S11e
VCE = 8 V
IC = 20 mA
Ta = 25°C
(単位: Ω)
j50
j25
120°
f = 0.2 GHz
j100
j150
j10
0
10
12
30°
0.4
2.0
25
60°
16
150°
j250
1.6
1.2
90°
20
8
4
250
100
50
±180° 20
0.8
16
12
8
4
0.8
1.2
1.6
2.0
0°
0
0.4
f = 0.2 GHz
−j10
−j250
−150°
−30°
−j150
−j25
−j100
−60°
−120°
−90°
−j50
S12e
VCE = 8 V
IC = 20 mA
Ta = 25°C
120°
S22e
VCE = 8 V
IC = 20 mA
Ta = 25°C
(単位: Ω)
90°
0.25
60°
2.0
j50
j25
0.20
j100
1.6
0.15
150°
j150
1.2
30°
0.8
0.10
0.05
j250
0.4
f = 0.2 GHz
±180°
j10
0
0.05 0.10 0.06
0.15
0°
0.20 0.25
0
10
25
50
1.6
2.0
−150°
−j10
−30°
1.2
250
100
0.8
0.4
f = 0.2 GHz
−j250
−j150
−j25
−60°
−120°
−90°
−j100
−j50
6
2010-02-17
2SC5089
製品取り扱い上のお願い
• 本資料に掲載されているハードウェア、ソフトウェアおよびシステム(以下、本製品という)に関する情
報等、本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。
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得て本資料を転載複製する場合でも、記載内容に一切変更を加えたり、削除したりしないでください。
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本製品をご使用頂く場合は、本製品の誤作動や故障により生命・身体・財産が侵害されることのないよう
に、お客様の責任において、お客様のハードウェア・ソフトウェア・システムに必要な安全設計を行うこ
とをお願いします。なお、設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報(本資料、仕様書、デー
タシート、アプリケーションノート、半導体信頼性ハンドブックなど)および本製品が使用される機器の
取扱説明書、操作説明書などをご確認の上、これに従ってください。また、上記資料などに記載の製品デー
タ、図、表などに示す技術的な内容、プログラム、アルゴリズムその他応用回路例などの情報を使用する
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てください。
• 本製品は、一般的電子機器(コンピュータ、パーソナル機器、事務機器、計測機器、産業用ロボット、家
電機器など)または本資料に個別に記載されている用途に使用されることが意図されています。本製品は、
特別に高い品質・信頼性が要求され、またはその故障や誤作動が生命・身体に危害を及ぼす恐れ、膨大な
財産損害を引き起こす恐れ、もしくは社会に深刻な影響を及ぼす恐れのある機器(以下“特定用途”とい
う)に使用されることは意図されていませんし、保証もされていません。特定用途には原子力関連機器、
航空・宇宙機器、医療機器、車載・輸送機器、列車・船舶機器、交通信号機器、燃焼・爆発制御機器、各
種安全関連機器、昇降機器、電力機器、金融関連機器などが含まれます。本資料に個別に記載されている
場合を除き、本製品を特定用途に使用しないでください。
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るいはその他軍事用途の目的で使用しないでください。また、輸出に際しては、
「外国為替及び外国貿易法」、
「米国輸出管理規則」等、適用ある輸出関連法令を遵守し、それらの定めるところにより必要な手続を行っ
てください。
• 本製品の RoHS 適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問合せください。本
製品のご使用に際しては、特定の物質の含有・使用を規制する RoHS 指令等、適用ある環境関連法令を十分
調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じ
た損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。
7
2010-02-17