赤外線 950 nm 発光ダイオード、GaAs VSMS3700 - Vishay

VSMS3700
Vishay Semiconductors
赤外線 950 nm 発光ダイオード、GaAs
特徴
• パッケージタイプ：表面実装
• パッケージ形態：PLCC-2
• 寸法（長さ×幅×高さ単位：mm）
：3.5 x 2.8
x 1.75
• 最大波長：λp = 950 nm
• 高い信頼性
• 指向半値角：ϕ = ± 60°
• 低順電圧
94 8553
• 高パルス電流での動作に最適
• Si 光検出器との良好なスペクトルマッチング
• IR エミッタシリーズ VEMT3700 にマッチしたパッケージ
• フロアライフ：168 時間、MSL 3、J-STD-020 に準拠
製品紹介
• 鉛フリーリフローはんだ付け
VSMF3700 は GaAs 技術を用いた表面実装（SMD）用
PLCC-2 パッケージに組み込まれた赤外線 950 nm 発光ダイ
オードです。
• AEC-Q101 準拠
• RoHS 指令 2002/95/EC および WEEE 2002/96/EC に準
拠
• ビシェイ社のオートモーティブグレード製品の詳細につ
いては、以下のウェブサイトをご覧ください。
www.vishay.com/applications
用途
• 触知型キーボードの赤外線エミッタ
• 省スペース設計の IR ダイオード
• PCB 実装型赤外線センサ
• 超小型フォトインタラプターのエミッタ
製品概要
型名
VSMS3700
IE（mW/sr）
φ (deg)
4.5
± 60
λP（nm）
950
tR（ns）
800
注:
試験条件については、「基本特性」の表を参照してください。
オーダー情報
パッケージ
備考
パッケージ形態
VSMS3700-GS08
オーダーコード
テープおよびリール
MOQ：7500 個、1500 個 / リール
PLCC-2
VSMS3700-GS18
テープおよびリール
MOQ：8000 個、8000 個 / リール
PLCC-2
注:
MOQ：最小発注量
** 「Vishay Material Category Policy (www.vishay.com/doc?99902)」を参照してください。
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VSMS3700
赤外線 950 nm 発光ダイオード、GaA
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絶対最大定格
パラメータ
試験条件
VR
値
5
単位
V
SYMBOL
逆電圧
順方向電流
IF
100
mA
ピーク順方向電流
tp/T = 0.5、tp = 100 μs
IFM
200
mA
順方向サージ電流
tp = 100 μs
IFSM
mW
℃
許容損失
PV
1.5
170
ジャンクション温度
Tj
100
A
使用温度範囲
Tamb
- 40 ∼ + 85
℃
保存温度範囲
Tstg
℃
K/W
はんだ付け温度
熱抵抗ジャンクション / 雰囲気
図 11、J-STD-020 に準拠
Tsd
- 40 ∼ + 100
260
J-STD-051、PCB 上にはんだ付け
RthJA
250
℃
注:
特に指定がない限り Tamb = 25 °C
120
160
IF - Forward Current (mA)
PV - Power Dissipation (mW)
180
140
120
100
RthJA = 250 K/W
80
60
40
100
80
60
RthJA = 250 K/W
40
20
20
0
0
0
10
20 30
40
50
60
70 80
90
0
100
Tamb - Ambient Temperature (°C)
21341
21342
図 1 - 許容損失限界 VS. 周囲温度
10
20 30 40
50 60 70 80
90 100
Tamb - Ambient Temperature (°C)
図 2 - 順電流限界 VS. 周囲温度
基本特性
パラメータ
順電圧
VF の温度係数
逆方向電流
ジャンクション静電容量
放射強度
放射力
≥e の温度係数
試験条件
SYMBOL
IF = 100 mA、tp = 20 ms
VF
スペクトルバンド幅
⊃p の温度係数
立ち上がり時間
立ち下がり時間
仮想光源の直径
TYPICAL
MAX.
1.3
1.7
単位
V
IF = 1 A、tp = 100 μs
VF
1.8
V
IF = 100 mA
TKVF
- 1.3
mV/K
VR = 5 V
IR
VR = 0 V、f = 1 MHz、E = 0
100
μA
pF
8
mW/sr
30
Cj
IF = 100 mA、tp = 20 ms
Ie
IF = 1.5 A、tp = 100 μs
IF = 100 mA、tp = 20 ms
Ie
φe
IF = 100 mA
TKφe
- 0.8
ϕ
指向半値角
最大波長
MIN.
1.6
4.5
35
15
mW/sr
mW
%/K
deg
IF = 100 mA
λp
± 60
950
IF = 100 mA
Δλ
50
nm
IF = 100 mA
TKλp
IF = 20 mA
tr
0.2
800
nm/K
ns
nm
IF = 1 A
tr
400
ns
IF = 20 mA
tf
800
ns
IF = 1 A
tf
d
400
ns
0.5
mm
EN 60825-1
注:
特に指定がない限り Tamb = 25 °C
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基本特性
特に指定がない限り Tamb = 25 °C
100
10 000
IF - Forward Current (mA)
Ie - Radiant Intensity (mW/sr)
Tamb < 60 °C
tp/T = 0.005
0.01
1000
0.02
0.05
100
0.2
0.5
DC
0.1
10
1
0.01
0.1
1
tp - Pulse Length (ms)
95 9985
1
0.1
100
10
10
100
Φe - Radiant Power (mW)
I F - Forward Current (mA)
104
1000
10 3
10 2
10 1
10 0
0
1
2
3
100
10
1
0.1
100
4
V F - Forward Voltage (V)
94 7996
101
102
103
104
IF - Forward Current (mA)
94 8012
図 7 - 放射力 VS. 順電流
図 4 - 順電流 VS. 順電圧
1.2
1.6
1.1
1.2
IF = 10 mA
Ie rel; Φe rel
VF rel - Relative Forward Voltage (V)
103
図 6 - 放射強度 VS. 順電流
10 4
1.0
0.9
IF = 20 mA
0.8
0.4
0.8
0.7
0
94 7990
102
IF - Forward Current (mA)
94 7956
図 3 - パルス順電流 VS. パルス長
10 -1
101
20
40
60
80
Tamb - Ambient Temperature (°C)
図 5 - 相対順電圧 VS. 周囲温度
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100
0
- 10 0 10
94 7993
50
100
140
T amb - Ambient Temperature (°C)
図 8 - 相対放射強度 VS. 周囲温度
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赤外線 950 nm 発光ダイオード、GaA
0°
10°
20°
1.0
0.75
0.5
0.25
IF = 100 mA
0
900
0.9
50°
0.8
60°
70°
0.7
1000
950
80°
0.6
0.4
0.2
0
94 8013
λ - Wavelength (nm)
94 7994
40°
1.0
ϕ - Angular Displacement
30°
Ie, rel - Relative Radiant Intensity
Φe rel - Relative Radiant Power
1.25
図 9 - 相対放射力 VS. 波長
図 10 - 相対放射強度 VS. 角変位
パッケージ寸法単位：ミリメートル［mm］
technical drawings
according to DIN
specifications
0.9
1.75 ± 0.1
3.5 ± 0.2
Pin identification
Mounting Pad Layout
4
A
area covered with
solder resist
2.6 (2.8)
C
2.2
2.8 ± 0.15
1.2
4
Ø 2.4
1.6 (1.9)
3 + 0.15
Drawing-No.: 6.541-5067.01-4
Issue: 5; 04.11.08
20541
ダイ位置（参考のみ）
X = 中心から +/- 0.2 mm
Y = 中心から +/- 0.2 mm
Z = 1.13 mm +/- 0.25 mm、ダイの表面からデバイスの裏面まで
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赤外線 950 nm 発光ダイオード、GaAs
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はんだ付けプロファイル
300
Temperature (°C)
max. 260 °C
245 °C
255 °C
240 °C
217 °C
250
Adhesive tape
200
max. 30 s
150
Blister tape
max. 100 s
max. 120 s
100
max. ramp up 3 °C/s max. ramp down 6 °C/s
50
0
0
50
19841
100
150
200
250
300
Component cavity
Time (s)
94 8670
図 12 - ブリスタテープ
図 11 - 鉛フリーリフローはんだ付けプロファイル、J-STD-020 に
準拠
ドライパック
2.2
2.0
3.5
3.1
水分の吸収を防止するため、デバイスは水分遮断バッグ
（MBB）に詰めて輸送および保管されています。それぞれの
バッグには乾燥剤が同封されています。
5.75
5.25
フロアライフ
フロアライフ（MBB から取り出してからはんだ付けまでの
時間）は，MBB ラベルに示す時間を超えてはなりません。
フロアライフ：168 時間
条件：Tamb < 30 °C、RH < 60 %
MSL3、J-STD-020 に準拠。
3.6
3.4
4.0
3.6
8.3
7.7
1.85
1.65
1.6
1.4
4.1
3.9
0.25
4.1
3.9
2.05
1.95
乾燥
94 8668
水分が吸収されている場合は、はんだ付けを行う前にデバ
イスを加熱し乾燥させてください。条件については、
J-STD-020 またはラベルを参照してください。リールに巻
かれたデバイスについては、推奨条件 192 時間、40 °C (+
5 °C)、RH < 5 % で乾燥させてください。
テープおよびリール
PLCC-2 構成部品は、構成部品を自動的に挿入するために帯
電防止ブリスタテープ（DIN IEC (CO) 564）で包装されてい
ます。ブリスタテープの空洞は粘着テープで覆われていま
す。
図 13 - PLCC-2 用のテープ寸法（単位：mm）
リールに梱包されないデバイス
リール 1 巻に対して個数にして最大 0.5%、すなわちリール
の最初と最後の部分に部品が存在しない可能性がありま
す。この間隙の後に構成部品が連続 6 個存在する場合、最
大で連続 3 個の構成部品が存在しない可能性があります。
De-reeling direction
94 8158
> 160 mm
Tape leader
40 empty
compartments
min. 75 empty
compartments
Carrier leader
Carrier trailer
図 14 - リールの最初と最後
テープリーダは 160 mm 以上で、その後に 40 個以上の空の
コンパートメントを持つキャリアテープリーダが続きま
す。カバーテープがキャリアテープをシールしていなけれ
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ば、キャリアテープはテープリーダーの一部となります。最
後の部品の後には 75 個以上の空のコンパートメントを持つ
キャリアテープトレーラー続き、それらはカバーテープで
シールされています。
剥がす力は 0.1 N と 1.0 N の間で、剥がす速度は 5 mm/s 必
要です。部品がブリスタから飛び出ないように、カバーテー
プをフィード方向に対して 180°の角度で引かなければな
りません。
10.0
9.0
120°
4.5
3.5
13.00
12.75
2.5
1.5
Identification
Label:
Vishay
type
group
tape code
production
code
quantity
カバーテープを剥がす力
63.5
60.5
14.4 max.
180
178
94 8665
図 15 - リール GS08 の寸法
10.4
8.4
120°
4.5
3.5
13.00
12.75
2.5
1.5
Identification
Label:
Vishay
type
group
tape code
production
code
quantity
62.5
60.0
321
329
14.4 max.
18857
図 16 - リール GS18 の寸法
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欧州指令について
ビシェイ・インターテクノロジー社は、RoHS に準拠するすべての製品は、電気・電子機器（EEE）における特定の有害物質
の使用を規制する欧州議会及び理事会による新指令（Directive 2011/65/EU of The European Parliament and of the Council
of June 8, 2011）に適合することをここに証明します。ただし、準拠しないと明記されている場合を除きます。
ビシェイ社の資料によっては、RoHS 指令 2002/95/EC に適合と記述するものがあります。指令 2002/95/EC に適合するすべ
ての製品は、指令 2011/65/EU にも適合することをここに証明します。
ビシェイインターテクノロジー社は、同社の製品すべてが JEDEC JS709A に準拠するハロゲンフリーであることをこの書面
にて証明します。ビシェイ社製品の文献の中には、IEC 61249-2-21 の定義が残るものもありますが、これら製品はすべて
JEDEC JS709A に準拠します。
Revision: 02-Oct-12
1
Document Number: 99900

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