高速赤外線 940 nm 発光ダイオード、GaAIAs 二重ヘテロ（DH

VSMF3710
Vishay Semiconductors
高速赤外線 940 nm 発光ダイオード、GaAIAs 二重ヘテロ（DH）
特徴
• パッケージタイプ：表面実装
• パッケージ形態：PLCC-2
• 寸法（長さ×幅×高さ単位：mm）
：3.5 x 2.8
x 1.75
• 最大波長：λp = 890 nm
• 高い信頼性
• 高い放射力
• 高い放射強度
94 8553
• 指向半値角：ϕ = ± 60°
• 低順電圧
• 高パルス電流での動作に最適
製品紹介
• 高い変調帯域：fc = 12 MHz
VSMB3940X01 は、高い放射力と速度を実現する GaAlAs 二
重ヘテロ（DH）技術を用いた赤外線 890nm 発光ダイオー
ドを表面実装（SMD）用 PLCC-2 パッケージに組み込みま
した。
• Si 光検出器との良好なスペクトルマッチング
• フロアライフ：168 時間、MSL 3、J-STD-020 に対応
• 鉛フリーリフローはんだ付け
• AEC-Q101 準拠
• 素材分類 : コンプライアンスの定義については、
www.vishay.com/doc?99912 をご参照ください。
用途
• 高速 IR データ転送
• 省スペース用途向け高出力エミッタ
• 高性能の透過または反射センサ
製品概要
型名
V SMF 3710
Ie （mW/sr）
10
φ (deg)
λp （nm）
890
± 60
tr （ns）
30
注:
試験条件については、「基本特性」の表を参照してください。
オーダー情報
パッケージ
備考
VSMF3710-GS08
オーダーコード
テープおよびリール
MOQ：7500 個、1500 個 / リール
パッケージ形態
PLCC-2
VSMF3710-GS18
テープおよびリール
MOQ：8000 個、8000 個 / リール
PLCC-2
注:
MOQ：最小発注量
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本文書は、予告なしに変更される場合があります。ここに記載された製品および本文書は、ビシェイ社の免責条項に基づいています。詳細はビシェ
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高速赤外線 940 nm 発光ダイオード、
GaAIAs 二重ヘテロ（DH）
絶対最大定格
パラメータ
SYMBOL
試験条件
逆電圧
VR
値
5
単位
V
IF
100
mA
ピーク順方向電流
tp/T = 0.5、tp = 100 μs
I FM
200
mA
順方向サージ電流
tp = 100 μs
I FSM
1
A
許容損失
PV
160
mW
ジャンクション温度
Tj
100
℃
順方向電圧
使用温度範囲
T amb
- 40 ∼ + 95
℃
保存温度範囲
T stg
℃
℃
K/W
はんだ付け温度
熱抵抗ジャンクション / 雰囲気
図 8、J-STD-020 に準拠
T sd
- 40 ∼ + 110
260
J-STD-051、PCB 上にはんだ付け
R thJA
250
注:
特に指定がない限り T amb = 25 °C
100
160
IF - Forward Current (mA)
PV - Power Dissipation (mW)
180
140
120
100
80
RthJA = 250 K/W
60
40
20
80
60
RthJA = 250 K/W
40
20
0
0
0
20
40
60
80
Tamb - Ambient Temperature (°C)
100
0
図 1 - 許容損失限界 VS . 周囲温度
順電圧
40
60
80
100
図 2 - 順電流限界 VS . 周囲温度
基本特性
パラメータ
20
Tamb - Ambient Temperature (°C)
試験条件
SYMBOL
IF = 100 mA、tp = 20 ms
VF
MIN.
TYPICAL
MAX.
1.4
1.6
単位
V
IF = 1 A、tp = 100 μs
VF
2.3
V
V F の温度係数
IF = 1 mA
TK VF
- 1.8
mV /K
逆方向電流
VR = 5 V
IR
ジャンクション静電容量
放射強度
放射力
φe の温度係数
V R = 0 V、f = 1 MHz 、E = 0
Cj
IF = 100 mA、tp = 20 ms
Ie
IF = 1 A、tp = 100 μs
100
IF = 100 mA、tp = 20 ms
Ie
φe
IF = 100 mA
TKφe
- 0.35
ϕ
指向半値角
10
μA
pF
22
mW/sr
125
6
10
40
mW/sr
mW
%/K
deg
ピーク波長
IF = 100 mA
λp
± 60
890
スペクトルバンド幅
IF = 100 mA
∆λ
40
nm
λ p の温度係数
IF = 100 mA
TKλp
立ち上がり時間
IF = 100 mA
tr
0.25
30
nm/K
ns
立ち下がり時間
カットオフ周波数
仮想光源の直径
nm
IF = 100 mA
tf
30
ns
IDC = 70 mA、IAC = 30 mA pp
fc
d
12
MHz
0.44
mm
注:
特に指定がない限り T amb = 25 °C
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GaAIAs 二重ヘテロ（DH）
基本特性
特に指定がない限り T amb = 25 °C
1.25
10 000
0.01
1000
0.02
0.05
100
0.2
0.5
DC
0.1
10
1
0.01
0.1
1
10
0.75
0.5
0.25
0
800
100
tp - Pulse Length (ms)
95 9985
1.0
1000
900
λ - Wavelength (nm)
20082
図 6 - 相対放射力 VS . 波長
図 3 - パルス順電流 VS . パルス長
0°
10°
20°
30°
Ie, rel - Relative Radiant Intensity
IF - Forward Current (mA)
1000
100
tp = 100 µs
tp/T = 0.001
10
40°
1.0
0.9
50°
0.8
60°
1
0
1
2
3
4
VF - Forward Voltage (V)
18873_1
70°
0.7
ϕ - Angular Displacement
IF - Forward Current (mA)
Φe rel - Relative Radiant Power
Tamb < 60 °C
tp/T = 0.005
80°
0.6
0.4
0.2
0
94 8013
図 7 - 相対放射強度 VS . 角変位
図 4 - 順電流 VS . 順電圧
Ie - Radiant Intensity (mW/sr)
100
10
tp = 1 µs
1
0.1
1
18874
10
100
1000
IF - Forward Pulse Current (mA)
図 5 - 放射強度 VS . 順電流
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高速赤外線 940 nm 発光ダイオード、
GaAIAs 二重ヘテロ（DH）
パッケージ寸法単位：ミリメートル［mm］
Technical drawings
according to DIN
cations
0.9
1.75 ±0.1
3.5 ± 0.2
0.8
n
4
A
2.6 (2.8)
C
Ø2.4
3
Area covered
with solderresist
1.2
2.2
2.8±0.15
Pin identi
Mounting Pad Layout
1.6 (1.9)
+0.15
4
Dimensions: Re ow and vapor phase (wave soldering )
Drawing-No.: 6.541-5067.01-4
Issue: 6; 23.09.13
はんだ付けプロファイル
ドライパック
300
Temperature (°C)
max. 260 °C
245 °C
255 °C
240 °C
217 °C
250
200
フロアライフ
max. 30 s
150
max. 100 s
max. 120 s
100
max. ramp down 6 °C/s
50
0
19841
水分の吸収を防止するため、デバイスは水分遮断バッグ
（MBB）に詰めて輸送および保管されています。それぞれの
バッグには乾燥剤が同封されています。
max. ramp up 3 °C/s
フロアライフ（MBB から取り出してからはんだ付けまでの
時間）は，MBB ラベルに示す時間を超えてはなりません。
フロアライフ：168 時間
条件：T amb < 30 °C、RH < 60 %
MSL 3、J-STD -020 に準拠。
乾燥
0
50
100
150
200
250
300
Time (s)
図 8 - 鉛フリーリフローはんだ付けプロファイル、J-STD -020 に準拠
水分が吸収されている場合は、はんだ付けを行う前にデバ
イスを加熱し乾燥させてください。条件については、
J-STD -020 またはラベルを参照してください。リールに巻
かれたデバイスについては、推奨条件 192 時間、40 °C
(+ 5 °C)、RH < 5 % で乾燥させてください。
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GaAIAs 二重ヘテロ（DH）
テープおよびリール
PLCC-2 構成部品は、構成部品を自動的に挿入するために帯
電防止ブリスタテープ（DIN IEC (CO) 564）で包装されてい
ます。ブリスタテープの空洞は粘着テープで覆われていま
す。
シールされています。
4.5
3.5
Adhesive tape
2.5
1.5
Blister tape
Component cavity
94 8670
10.0
9.0
120°
Identification
Label:
Vishay
type
group
tape code
production
code
quantity
図 9 - ブリスタテープ
13.00
12.75
63.5
60.5
14.4 max.
180
178
94 8665
図 12 - リール GS08 の寸法
2.2
2.0
3.5
3.1
10.4
8.4
120°
5.75
5.25
3.6
3.4
4.0
3.6
2.5
1.5
1.85
1.65
1.6
1.4
4.1
3.9
4.1
3.9
4.5
3.5
8.3
7.7
0.25
2.05
1.95
94 8668
図 10 - PLCC-2 用のテープ寸法（単位：mm）
リールに梱包されないデバイス
リール 1 巻に対して個数にして最大 0.5%、すなわちリール
の最初と最後の部分に部品が存在しない可能性がありま
す。この間隙の後に構成部品が連続 6 個存在する場合、最
大で連続 3 個の構成部品が存在しない可能性があります。
De-reeling direction
94 8158
Identification
Label:
Vishay
type
group
tape code
production
code
quantity
13.00
12.75
62.5
60.0
321
329
14.4 max.
18857
図 13 - リール GS18 の寸法
カバーテープを剥がす力
剥がす力は 0.1 N と 1.0 N の間で、剥がす速度は 5 mm/s 必
要です。部品がブリスタから飛び出ないように、カバーテー
プをフィード方向に対して 180°の角度で引かなければな
りません。
> 160 mm
Tape leader
40 empty
compartments
min. 75 empty
compartments
Carrier leader
Carrier trailer
図 11 - リールの最初と最後
テープリーダは 160 mm 以上で、その後に 40 個以上の空の
コンパートメントを持つキャリアテープリーダが続きま
す。カバーテープがキャリアテープをシールしていなけれ
ば、キャリアテープはテープリーダーの一部となります。最
後の部品の後には 75 個以上の空のコンパートメントを持つ
キャリアテープトレーラー続き、それらはカバーテープで
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すべての製品、製品の仕様及びデータは、信頼性、機能、設計等の改良に伴い、予告なしに変更される場合があります。
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使用が許諾されることはありません。本書に示された製品名や表示は、その所有者の商標である場合があります。
欧州指令について
ビシェイ・インターテクノロジー社は、RoHS に準拠するすべての製品は、電気・電子機器（EEE）における特定の有害物質
の使用を規制する欧州議会及び理事会による新指令（Directive 2011/65/EU of The European Parliament and of the Council
of June 8, 2011）に適合することをここに証明します。ただし、準拠しないと明記されている場合を除きます。
ビシェイ社の資料によっては、RoHS 指令 2002/95/EC に適合と記述するものがあります。指令 2002/95/EC に適合するすべ
ての製品は、指令 2011/65/EU にも適合することをここに証明します。
ビシェイインターテクノロジー社は、同社の製品すべてが JEDEC JS709A に準拠するハロゲンフリーであることをこの書面
にて証明します。ビシェイ社製品の文献の中には、IEC 61249-2-21 の定義が残るものもありますが、これら製品はすべて
JEDEC JS709A に準拠します。
Revision: 02-Oct-12
1
Document Number: 99900

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