CMOSインバータの負荷容量 S. M. Kang g and Y. Leblebici,, “CMOS Digital g Integrated g Circuits – Analysis y and Design g – Third Edition,” , McGraw Hill. ■ 容量の電圧依存性 回路CAD【第11回】 を無視し、定数容量 を無視し 定数容量化 Cload C gd ,n C gd , p ーCMOSインバータの過渡回路シミュレーションー Cdb,n Cdb, p Cint C gb . 近畿大学 生物理工学部 電子システム情報工学科 前教授 秋 濃 俊 郎 http://www2.info.waka.kindai.ac.jp/~akino/ (学内) http://www.waka.kindai.ac.jp/tea/akino/ (学外) 2010/12/6 過渡回路シミュレーション 1 2010/12/6 過渡回路シミュレーション 2 CMOSイン CMOSインバータ タ 定数負荷容量近似 伝播遅延の定義-1 S. M. Kang g and Y. Leblebici, “CMOS Digital g Integrated g Circuits – Analysis y and Design g – Third Edition,” McGraw Hill. S. M. Kang g and Y. Leblebici,, “CMOS Digital g Integrated g Circuits – Analysis y and Design g – Third Edition,” , McGraw Hill. 伝播遅延 2010/12/6 過渡回路シミュレーション 3 2010/12/6 過渡回路シミュレーション 4 伝播遅延の定義-2 遷移遅延の定義-1 S. M. Kang g and Y. Leblebici, “CMOS Digital g Integrated g Circuits – Analysis y and Design g – Third Edition,” McGraw Hill. S. M. Kang g and Y. Leblebici,, “CMOS Digital g Integrated g Circuits – Analysis y and Design g – Third Edition,” , McGraw Hill. 遷移遅延 1 1 V50% VOL VOH VOL VOL VOH 2 2 PHL t1 t0 PLH t3 t 2 P PHL PLH 2 2010/12/6 過渡回路シミュレーション 5 2010/12/6 過渡回路シミュレーション 6 遷移遅延の定義-2 第1次近似の遅延計算-1 S. M. Kang g and Y. Leblebici, “CMOS Digital g Integrated g Circuits – Analysis y and Design g – Third Edition,” McGraw Hill. S. M. Kang g and Y. Leblebici, “CMOS Digital g Integrated g Circuits – Analysis y and Design g – Third Edition,” McGraw Hill. V10% VOL 0.1 VOH VOL Q I C V より、 より C VHL Cload VOH V50% PHL load , I avg , HL I avg , HL V90% VOL 0.9 VOH VOL fall t B t A PLH rise t D tC 2010/12/6 過渡回路シミュレーション 7 2010/12/6 Cload VLH Cload V50% VOL . I avg , LH I avg , LH 過渡回路シミュレーション 8 第1次近似の遅延計算-2 遅延計算の近似 S. M. Kang g and Y. Leblebici,, “CMOS Digital g Integrated g Circuits – Analysis y and Design g – Third Edition,” , McGraw Hill. S. M. Kang g and Y. Leblebici, “CMOS Digital g Integrated g Circuits – Analysis y and Design g – Third Edition,” McGraw Hill. 1 iC Vin VOH , Vout VOH I avg , HL , 2 iC Vin VOH , Vout V50% 1 iC Vin VOL , Vout V50% I avg , LH . 2 iC Vin VOL ,Vout VOL 過渡回路シミュレーション 2010/12/6 9 2010/12/6 過渡回路シミュレーション 放電時 放電時 遅延計算の近似 遅延計算近似の等価回路 S. M. Kang g and Y. Leblebici,, “CMOS Digital g Integrated g Circuits – Analysis y and Design g – Third Edition,” , McGraw Hill. S. M. Kang g and Y. Leblebici,, “CMOS Digital g Integrated g Circuits – Analysis y and Design g – Third Edition,” , McGraw Hill. 10 dVout iC iD , p iD ,n dt 0 Cload iD , p Cload 2010/12/6 dVout iD ,n , 【A】 dt 過渡回路シミュレーション 11 2010/12/6 過渡回路シミュレーション 12 放電時 入力電圧波形近似 解析的遅延式結果 S. M. Kang g and Y. Leblebici,, “CMOS Digital g Integrated g Circuits – Analysis y and Design g – Third Edition,” , McGraw Hill. S. M. Kang and Y. Leblebici, “CMOS Digital Integrated Circuits – Analysis and Design – Third Edition,” McGraw Hill. ■ 微分方程式【A】を解くと、放電時の 】を解くと 放電時の遅延は、 遅延は 2VT ,n 4V V Cload ln l DD T ,n 1, k n VDD VT ,n VDD VT ,n VDD ■同様に、充電時の遅延 同様に 充電時の遅延時間は、 時間は PHL PLH 2010/12/6 過渡回路シミュレーション 13 τPHL の計算-2 VDD 3.3VとVGS 3.3Vの電圧条件で考える。 電圧条件 考 る。 C VDS 2.5Vの時、I sat 2mAの飽和電流を持つ。 t t sa t ここでVT ,n 0.8V.負荷容量がC 300 fFの 時 t 0からt t '1 t satまでが飽和領域に 時、 あり、t t '1 t satからt t 2 t delayまでが線形 領域にあるものとする。τPHLを計算せよ。 2010/12/6 過渡回路シミュレーション 15 過渡回路シミュレーション 2010/12/6 τPHL の計算-1 S. M. Kang g and Y. Leblebici, “CMOS Digital g Integrated g Circuits – Analysis y and Design g – Third Edition,” McGraw Hill. 2 VT , p 4 VDD VT , p Cload l ln 1. VDD k p VDD VT , p VDD VT , p 14 S. M. Kang g and Y. Leblebici,, “CMOS Digital g Integrated g Circuits – Analysis y and Design g – Third Edition,” , McGraw Hill. dVout 1 2 I D I sat k n VOH VT ,n d dt 2 Vo u t 2.5 C dVout I Vo u t 3.3 D dt t 0 t sat kn 2010/12/6 VT ,nC I sat 0.8V 300 fF 120 ps 2mA 2 I sat 2 2 10 3 0.640 10 3 A V 2 2 2 VOH VT ,n 3.3 0.8 過渡回路シミュレーション 16 τPHLの計算-3 τfallの計算-1 S. M. Kang g and Y. Leblebici,, “CMOS Digital g Integrated g Circuits – Analysis y and Design g – Third Edition,” , McGraw Hill. C t t delay S. M. Kang g and Y. Leblebici,, “CMOS Digital g Integrated g Circuits – Analysis y and Design g – Third Edition,” , McGraw Hill. V 1.65 out dVout dVout 1 2 I D k n 2(VOH VT ,n )Vout Vout , dt d 2C , dt 2 k 2VOH VT ,n Vout Vout2 t t sat Vout 2.5 n Vout 1.65 Vout C 1 ln tdelay t sat V 2.5 k n (VOH VT ,n ) 2(VOH VT ,n ) Vout out VDD 5V , Vout V90% 4.5V , Vout V10% 0.5V の場合、C 1 pF , μnCox 20μA V 2 , W L n 10, VT ,n 1.0V として 2VOH VT ,n V1.65 2VOH VT ,n V2.5 C load ln ln k n VOH VT ,n V1.65 V2.5 5 1.65 5 2.5 0.3 10 12 1 ln ln 133 ps 3 0.640 10 3.3 0.8 1.65 2.5 τfallを計算せよ。 を計算せよ tdelay d l 120 133 253 ps 過渡回路シミュレーション 2010/12/6 17 第1次近似でのτfallの計算-1 fall C dVout 1 W 2 k n Vin VT ,n , where k n μnCox dt 2 L n dVout 20 10 6 10 5 1 1.6 109 V s 12 dt 2 1 10 2 t t sat C V 110 12 4.5 0.5 4.05 10 9 s I avg 0.9875 10 3 過渡回路シミュレーション V 4 out 1 d dt dVout 1.6 109 Vout 4.5 t 0 t sat 4.05ns 2010/12/6 18 第1次近似でのτfallの計算-2 1 I Vin 5V ,Vout 4.5V I Vin 5V ,Vout 0.5V 2 1 1 1 2 2 k n Vin VT ,n k n 2Vin VT ,n Vout Vout 2 2 2 1 1 2 20 10 6 10 5 1 25 10.5 0.52 2 2 0.9875mA I avg 過渡回路シミュレーション 2010/12/6 19 2010/12/6 0 .5 0.3125 10 9 s 0.3125ns 9 1.6 10 過渡回路シミュレーション 20 今日の講義のまとめ 実習問題1(第11回) 伝播遅延時間の計算:実習では回路シミュレータが計算 S. M. Kang and Y. Leblebici, “CMOS Digital Integrated Circuits – Analysis and Design – Third Edition,” McGraw Hill. ■ 第一近似の伝播遅延時間 C VHL Cload VOH V50% PHL load , I avg , HL I avg , HL PLH ■ Ln=Lp= 0.18μm=2λ で、Wn=1.62μm=18λ 及び Wp= 44.05μm=45λ 05 45λ とした先週の CMOS インバータのレイア インバ タのレイア ウトから求めた AD と PD の値を使う。その出力に負荷 容量 Cload = 0.5pF, 0 5pF 11.0pF, 0pF 11.5pF 5pF を付けた各場合におい て、回路シミュレータ T-Spice を使って次の入力パルス に対する過渡応答波形を求めて重ね書きせよ その時 に対する過渡応答波形を求めて重ね書きせよ。その時、 以下のような過渡解析モードを使え。 Cload VLH Cload V50% VOL . I avg , LH I avg , LH ■ 解析的伝播遅延時間 PHL PLH 2010/12/6 2VT ,n 4V V Cload ln DD T ,n 1, k n VDD VT ,n VDD VT ,n VDD Vin 1 0 DC 0 PULSE(0.0 2.0 0n 1n 1n 9n 20n) .tran 0.01n 20n 2 VT , p 4 VDD VT , p Cload ln 1. VDD k p VDD VT , p VDD VT , p 過渡回路シミュレーション 21 2010/12/6 過渡回路シミュレーション 22 実習問題2(第11回) CMOSインバータのレイアウト ■ 遅延時間を下記の遅延時間計測の記述を参考に、 問題1のCload = 0.5pF, 1.0pF, 1.5pFの各場合にお けるτPHLとτPLHの伝播求めよ。 45λ .measure tran rise_delay trig v(1) val=1V fall=1 targ v(3) val=1V rise=1 .measure tran fall_delay trig v(1) val=1V rise=1 targ v(3) val=1V fall=1 18λ 2010/12/6 過渡回路シミュレーション 23 2010/12/6 過渡回路シミュレーション 24
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