Glossary & Comments 箇所原語・原文訳語・訳文＆コメント貴所ケース番号： 000000 ida ケース番号： YYYYYYY 翻訳者番号： PE000000 ― チェッカー番号最終チェック担当者：特許グループ○○ 翻訳の参考のために調査した特許分 US6838287 類： US4963815 IPC G01N 27/00; 27/07; US6055849 (G01N: INVESTIGATING ANALYSING MATERIALS OR BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES) 書式フォント Times New Roman フォントサイズ１２ｐページの余白上下左右とも２．５ｍｍ行数２８行行送り２４．３５ｐｔクレーム構成要素の機能的表現は、原則として“configured to”を使用して導入させの構成要ていただきました。こうすることで、その機能を「常に」行うという限定解釈素を回避でき、「所定の条件のもとで」行う場合も包含できる利点があるため使用させていただきました。【発明の開示】クレームと同様に一文で訳出すると長くなり、どれが構成要素であるか分かりにくくなるため、複数の文章に分けて読者である審査官が読みやすくなるようにさせていただきました。まず最初の一文で構成要素のみを列記して、続く文で構成要素の詳しい説明を記載させていただきました。要約も同様な記載方法とさせていただきました。ご確認いただきますようお願い致します。全般ガスセンサ gas sensor 全般電界効果型トランジスタ field-effect transistor 全般ゲート絶縁膜 gate insulation film … … アイ・ディー・エー株式会社翻訳部特許グループ tel：06－6360－6300 fax：06－6360－6303 1 Glossary & Comments 箇所要約原語・原文訳語・訳文＆コメント米国内用の要約として、参照番号の無い下記の訳文を念のため記載させていただきます。 A gas sensor includes two field-effect transistors, gate insulation films, gate electrodes, a first gate electrode, and a second gate electrode. The gate insulation films are over the respective two field-effect transistors. The gate electrodes are over the respective gate insulation films and the respective two field-effect transistors. The first gate electrode is on one of the two field-effect transistors. The second gate electrode is on another one of the two field-effect transistors. (73 words) アイ・ディー・エー株式会社翻訳部特許グループ tel：06－6360－6300 fax：06－6360－6303 2