物理システム工学科３年次物性工学概論第火曜１限0023教室第13回スピンエレクトロニクスと材料[3] 磁気記録材料大学院ナノ未来科学研究拠点量子機能工学分野佐藤勝昭第１2回に学んだこと  磁石は何でできているか      磁性体を構成する元素 3d遷移金属 4f希土類周期表とs,p,d,f軌道磁性の起源    磁石をどんどん小さくすると究極のミニ磁石→原子磁気モーメント磁気モーメントの起源：角運動量   軌道角運動量スピン角運動量前回の質問  磁気的な単極は見つかっていないのか   これまでに見つかっていないし、今後も見つからないだろうと考えられています。磁石がいろいろ紹介されたが用途は？    ネオジム磁石は強力ですが、キュリー温度が低いので温度の高いところで使えないという欠点があります。フェライト磁石はあまり強くないが価格が安いという特徴があります。磁石関係のHPを参照してください。強磁性：なぜ自発磁化をもつのか    これまで原子が磁気モーメントをもつことを述べたそれでは、強磁性体ではなぜ原子の磁気モーメントの向きがそろっているのか。また、なぜ強磁性体はキュリー温度以上になると磁気秩序を失い、常磁性になるのか。なぜ原子の磁気モーメントがそろっているのか（１）局在磁性モデル常磁性 J>0 強磁性 J<0 反強磁性交換相互作用 H=-JS1S2 なぜ原子の磁気モーメントがそろっているのか（２）遍歴電子磁性モデル(バンドモデル)   多数(↑)スピンのバンドと少数(↓)スピンのバンドが電子間の直接交換相互作用のために分裂し、熱平衡においてはフェルミエネルギーをそろえるため↓スピンバンドから↑スピンバンドへと電子が移動し、両スピンバンドの占有数に差が生じて強磁性が生じる。磁気モーメントMは、M=( n↑- n↓)B で表される。このため原子あたりの磁気モーメントは非整数となる。非磁性半導体との比較なぜTc以上で自発磁化がなくなるのか   磁気モーメントをバラバラにしようとする熱擾乱の作用が、磁気モーメントをそろえようとする交換相互作用に打ち勝つと、磁気秩序が失われ常磁性になる。磁気秩序がなくなる温度を、強磁性体ではキュリー温度とよびTCと記述する。反強磁性体ではネール温度とよびTNと記述する。 M-T曲線 ×は鉄、●はニッケル、○はコバルトの実測値、実線はJ としてスピンS=1/2,1,∞をとったときの計算値磁気ヒステリシスはなぜ生じるのか  強磁性体の磁区     反磁界(demagnetization field) M 磁気異方性磁壁移動と磁化回転保磁力 H なぜ初磁化状態では磁化がないのか：反磁界と磁区   磁化が特定の方向を向くとすると、N極からS極に向かって磁力線が生じる。この磁力線は考えている試料の外を通っているだけでなく、磁性体の内部も貫いている。この磁力線を反磁界という。反磁界の向きは、磁化の向きとは反対向きなので、磁化は回転する静磁力を受けて不安定となる。磁化の方向が逆方向の縞状の磁区と呼ばれる領域に分かれるならば、反磁界がうち消し合って静磁エネルギーが低下して安定する。反磁界(demagnetization field)   磁性体表面の法線方向の磁化成分をMn とすると、表面には単位面積あたり = Mnという大きさの磁極(Wb/m2)が生じる。磁極からはガウスの定理によって全部で /μ0の磁力線がわき出す。このうち反磁界係数 Nを使って定義される磁力線 NMは内部に向かっており、残りは外側に向かっている。すなわち磁石の内部では、Mの向きとは逆方向の反磁界が存在する。 - + M (a)磁化と磁極 S 反磁界 N (b) 磁力線 S N (c) 磁束線反磁界係数N ： (近角強磁性体の物理より） Nのx, y, z成分をNx, Ny, Nzとすると、Hdi=-NiMi/0 (i=x,y,z) と表され、Nx, Ny, Nzの間には、Nx+ Ny+ Nz=1が成立する。  球形：Nx= Ny= Nz=1/3  z方向に無限に長い円柱：Nx= Ny= 1/2、Nz=0  無限に広い薄膜の場合：Nx= Ny= 0、Nz=1となる。  実効磁界Heff=Hex-NM/0 z Nz=1/3 x Nz=1 Nx= 1/2 y z Nx=1/3 x y Ny=1/3 Ny= 1/2 y Nz=0 z x Nx= 0 Ny= 0 反磁界と静磁エネルギー  磁化Mが反磁界Hdのもとにおかれると U=MHdだけポテンシャルエネルギーが高くなる。磁区形成による静磁エネルギーの低下縞状磁区(stripe domain)の場合  境界条件(/ z)z=-0=/20 のもとにラプラス方程式を解くと単位表面積あたりの静磁エネルギー =(2Is2/20) n (1/n2)∫0d sin n(/d)x =(2Is2d/20) n=odd (1/n3)=5.40104Is2dとなり、  ストライプの幅dが減少すれば、静磁エネルギーはdに比例して減少することが導かれる。 y z ＋ - d ＋ - x 磁気異方性(magnetic anisotropy)     磁性体は半導体と違って形状・寸法・結晶方位とか磁化の方位などによって物性が大きく変化する。形状磁気異方性:反磁界によるエネルギーの損を最小化する結晶磁気異方性:磁界を結晶のどの方位に加えるかで磁化曲線が変化する性質スピン軌道相互作用:電子軌道は結晶軸に結びついているので、磁気的性質と電子軌道との結びつきを通じて、磁性が結晶軸と結びつく。結晶磁気異方性結晶方位で磁化のしやすさが変わる。   磁化しやすさは、結晶の方位に依存する。鉄は立方晶であるが、[100]が容易軸、[111]は困難軸 z 困難軸 y x 容易軸磁区構造単磁区磁極が生じ静磁エネルギーが上がるボルテックス静磁エネルギーは下がるが交換エネルギーが増加環流磁区縞状磁区磁区と磁区の境界に磁壁エネルギーを貯えている単磁区構造の例   FIB法で作製したCoCrPt円柱ナノドット(500nm径)三角格子配列パターンのMFM像 (佐藤研M修了生長谷川君測定) CoCrPtは垂直磁気記録媒体材料：磁気異方性が強いボルテックス(vortex)構造の例  電子ビームリソグラフィによるシリコン埋め込みパーマロイ円形ナノドット (200nm径)のMFM画像 (佐藤研M1山本君作製) 220nm 50nm 環流磁区(closure domain)構造  電子ビームリソグラフィによるシリコン埋め込みパーマロイ正方形ドット(1m辺)の MFM画像 (森下研M2手塚君作製) スピン構造 MFM像シミュレーション理論による環流磁区構造のシミュレーション；佐藤研D2 町田君による縞状磁区の例  MFM(磁気力顕微鏡) で観測したパーマロイ (Fe20Ni80合金)薄膜の縞状磁区 (佐藤研M修了松本君測定) 寸法による磁区構造の変化  FIB加工したCoドット (面内磁化)膜厚200nm  1m径：縞状磁区, 200nm径：単一磁区小さなドットでは磁区に分かれると磁壁のエネルギーが高くなるので単磁区になろうとする大きなドットでは多磁区構造をとる方が静磁エネルギーが低いので多磁区になる。佐藤研修了生長谷川君作製ヒステリシスと磁区磁気飽和初磁化状態磁壁移動残留磁化状態磁化回転単一磁区逆磁区の発生と成長核発生磁気記録(magnetic recording)        磁気記録の歴史磁気テープと磁気ディスク記録媒体と磁気記録ヘッド高密度化を支えるＭＲ素子光磁気記録ハイブリッド磁気記録固体磁気メモリ（ＭＲＡＭ）磁気記録の歴史    1898年V.Poulsen(デンマーク)：発明：磁性体の磁化状態を制御することによる情報記憶技術。 1900年磁気録音機としてパリ万国博に出品され、「最近の発明のなかで最も興味あるもの」として賞賛される。 1921年L.De Forest(米国)の真空管による増幅器の発明、1930年代リング型磁気ヘッドと微粉末塗布型テープの開発→磁気記録技術の実用化磁気記録過程佐藤勝昭編著「応用物性」 (オーム社, 1991)図5.18 記録波長      媒体に近接して配置した磁気ヘッドのコイルに信号電流を流し、信号に対応した強さと向きをもつ磁束を発生し、媒体に加える。媒体は、ヘッドからの磁束を受けて磁化され、信号に対応する残留磁化の向きと強度をもつ磁区が形成される。記録波長（信号１周期に対応する媒体上の長さ) =v/f (v:媒体と磁気ヘッドの相対速度, f:信号周波数) 記録減磁：高周波信号になると、媒体が十分に動かないうちに磁界の向きが反対になり、十分に記録できなくなる現象磁気記録の再生原理（１）誘導型ヘッド    電磁誘導現象コイルを通る磁束が変化するとき、磁束の時間微分に比例した電圧Eがコイルに発生する。出力は微分波形となる再生電圧は、記録波長 (媒体上の信号１周期に対応する長さ)と媒体・ヘッドの相対速度の積に比例佐藤勝昭編著「応用物性」 (オーム社, 1991)図5.19, 5.20 電磁誘導  E t 再生の原理スペーシングロス磁気記録の再生原理（2） MR(磁気抵抗)ヘッド   媒体から洩れ出す磁束により磁性体の電気抵抗が変化する現象(MR:磁気抵抗効果)を用いて、電圧に変えて読み出す。当初AMR(異方性磁気抵抗効果)が用いられたが90年代半ばからGMR(巨大磁気抵抗効果)が用いられるようになった。 MRヘッド NS NS NS NS 漏れ磁界磁化曲線とGMR GMR(SV)ヘッドの原理 M H R H  F1とF2の保磁力が異なれば反平行スピンの時に抵抗が高くなる。 GMR(巨大磁気抵抗効果)とは？   強磁性体(F１)/非磁性金属(N)/強磁性(F2)多層膜 F1, F2平行なら抵抗小。反平行なら抵抗大。フリー層ピン層スピンバルブ  NiFe(free)/Cu/NiF e(pinned)/AF(Fe Mn)の非結合型サンドイッチ構造フリー層非磁性層ピン止め層反強磁性層 (例 FeMn) 最近はSAFに置き換え交換バイアス記録密度とヘッド浮上量 HDの記録密度の状況   HDの記録密度は、1992年にMRヘッドの導入によりそれまでの年率25%の増加率(10年で10倍)から年率60%(10年で100倍)の増加率に転じ、1997年からは、GMRヘッドの登場によって年率100%(10年で 1000倍)の増加率となっている。超常磁性限界は、40Gb/in2とされていたが、AFC(反強磁性結合)媒体の登場で、これをクリアし、実験室レベルの面記録密度は2003年時点ですでに150 Gb/in2に達し、2004年には200 Gb/in2に達すると見込まれる。ハードディスクのトラック密度、面記録密度の変遷超常磁性限界 GMRヘッド MR ヘッド HDの記録密度の状況   HDの記録密度は、1992年にMRヘッドの導入によりそれまでの年率25%の増加率(10年で10倍)から年率 60%(10年で100倍)の増加率に転じ、1997年からは、 GMRヘッドの登場によって年率100%(10年で1000 倍)の増加率となっている。超常磁性限界は、40Gb/in2とされていたが、AFC(反強磁性結合)媒体の登場で、これをクリアし、実験室レベルの面記録密度は2003年時点ですでに150 Gb/in2に達し、2004年内には200 Gb/in2に達する。ハードディスクの記録密度に限界が   1970年から1990年にかけての記録密度の増加は 10年で10倍の伸び率であったが、1990年代になると10年で100倍という驚異的な伸び率で増大した。これは再生用磁気ヘッドの進展によるところが大きい。その後も記録媒体のイノベーションにより、実験室レベルでは100Gb/in2を超えるにいたった。しかし、2000年を過ぎた頃からこの伸び方にブレーキがかかってきた。これは、後述するように磁性体の微細化による超常磁性限界が見え始めていることが原因とされる。 CoCrTa媒体のCo元素面内分布 Cr CoCr 多結晶記録媒体の記録磁区と磁壁   現在使われているハード理想的な遷移線ディスク媒体は図に示すように直径数nmのCoCr系強磁性合金の結晶粒が、粒界に偏析したCr粒に囲ま実際の遷移線れ、互いに分離した多結晶媒体となっている。微粒子のサイズが小さくなっていくと、磁気ヘッドによって記録された直後は、記録磁区内のすべての粒子の磁化が記録磁界の方向に向いているが、時間とともに各粒の磁化がバラバラな方向に向いていき、記 10 nm 録された情報が保てないという現象が起きてくる。超常磁性限界 Cr   CoCr 現在使われているハードディスク媒体は CoCrPtBなどCoCr系の多結晶媒体である。強磁性のCoCr合金の結晶粒が偏析したCr粒に囲まれ、互いに分離した膜構造になっている。磁気ヘッドによって記録された直後は、磁化が記録磁界の方向に向いているが、微粒子のサイズが小さくその異方性磁気エネルギーKuV (Ku は単位体積あたりの磁気異方性エネルギー、V は粒子の体積)が小さくなると、磁化が熱揺らぎ kTによってランダムに配向しようとして減磁するという現象が起きる。これを超常磁性限界と呼んでいる。熱揺らぎによる減磁現象  実際、20 Gb/in2の記録媒体では、その平均の粒径は10 nm程度となり、各結晶粒は磁気的に独立に挙動し、記録された情報が保てない。  細江譲：日本応用磁気学会サマースクール２７テキストp.97(2003) 熱減磁と活性化体積   =KuV/kT>60 でないと熱減磁が心配細江譲：MSJサマースクール２７テキスト p.97(2003) 熱的安定条件     ハードディスクの寿命の範囲でデータが安定であるための最低条件は、=KuV/kT>60とされている。面記録密度Dとすると、粒径dはD-1/2に比例するが、記録される粒子の体積Vはほぼd3に比例するのでVはDの増大とともにD-3/2に比例して減少する。この減少を補うだけ、磁気異方性Kuを増大できれば、超常磁性限界を伸ばすことができる。単磁区の微粒子を仮定し、磁化反転が磁化回転によるとすると、保磁力Hcは Hc=2Ku/Msと書かれるからD3/2以上の伸びで保磁力を増大すれば救済できるはずである[1]。しかし、Hcが大きすぎると、通常の磁気ヘッドでは記録できなくなってしまう。これを救うのがハイブリッド記録である。 [1] T.W. McDaniel and W.A. Challener: Proc. MORIS2002, Trans Magn. Soc. Jpn. 2 (2002) 316. AFC(反強磁性結合)媒体   AFC媒体 (antiferromagnetically coupled media)というのは、 Ruの超薄膜を介して反強磁性的に結合させた媒体のことで、交換結合によって見掛けのVを増大させて、安定化を図るものである。富士通ではSF(synthetic ferromagnet)媒体と称する強磁性結合媒体を用いて超常磁性限界の延伸を図っている。反強磁性結合(AFC)媒体の模式図 CoCrPtB層 Ru層 CoCrPtB層 AFC媒体、ＳＦ媒体では、交換結合で見かけのＶを増大超常磁性限界はどこまで伸ばせられるか   このような方法によって超常磁性限界の到来を多少遅らせることはできても、せいぜい 500Gbits/in2迄であろうと考えられている。保磁力を大きくすれば安定性が向上することは確実であるが、磁気ヘッドで書き込めなくなってしまう。ヘッドの飽和磁束密度には限界があるし、ヘッドの寸法の縮小にも限界がある。現行の磁気ヘッドは理論限界の1/2程度のところにまで到達しており、改善の余地はほとんど残されていない。超常磁性の克服   保磁力の大きな媒体にどのようにして記録するのかという課題への１つの回答が、パターンドメディアを用いた垂直磁気記録技術であるが、もう１つの回答が熱磁気記録である。パターンド・メディア   物理的に孤立した粒子が規則的に配列熱アシスト記録（光・磁気ハイブリッド記録）  記録時に温度を上昇させてHcを下げ記録。室温ではHcが増大して熱的に安定になる。垂直磁気記録   従来の磁気記録は記録された磁化が媒体の面内にあるので、面内磁気記録と呼ばれる。長手記録とも呼ばれる。高密度になると、１つの磁区の磁化が隣り合う磁区の磁化を減磁するように働く。これに対し、垂直磁気記録では、隣り合う反平行の磁化は互いに強めあうので、記録が安定。熱アシスト記録材料  熱磁気記録に用いられる媒体としては、従来からHDDに用いられてきたCoCr系のグラニュラー媒体を利用する方法と、MO媒体として使われてきたアモルファス希土類遷移金属合金媒体を用いる方法が考えられる。また、短波長MO材料として検討されたPt/Co多層膜媒体を用いることも検討されている。いずれにせよ、室温付近で大きなHcを示し、温度上昇とともに通常の磁気ヘッドで記録できる程度にHcが減少する媒体が望ましい。ナノインプリントと自己組織化を利用したパターンドメディア 80nm-pitch, 40nmf resist groove by imprinting CoCrPt layer 喜々津氏(東芝)のご好意による光磁気記録  記録：熱磁気(キュリー温度）記録   再生：磁気光学効果       光を用いてアクセスする磁気記録磁化に応じた偏光の回転を電気信号に変換 MO, MDに利用互換性が高い書き替え耐性高い：1000万回以上ドライブが複雑(偏光光学系と磁気系が必要） MSR, MAMMOSなど新現象の有効利用可能光磁気媒体  MOディスクの構造ポリカーボネート基板窒化珪素保護膜・（MOエンハンスメント膜を兼ねる） Al反射層 groove land 樹脂 MO記録膜 (アモルファスTbFeCo) 光磁気記録 (1)情報の記録    M レーザ光をレンズで集め磁性体を加熱キュリー温度以上になると磁化を消失冷却時にコイルからの磁界を受けて記録 Tc 温度 Tc コイル外部磁界光磁気記録媒体光スポット光磁気記録 (2)ビットの安定性補償温度(Tcomp)の利用  アモルファスTbFeCoは一種のフェリ磁性体なので  補償温度Tcompが存在  TcompでHc最大:  記録磁区安定 Hc M Tb FeCo Mtotal Fe,Co Tb Tcomp Tc T 室温アモルファスR-TM合金光磁気記録 (3)情報の読み出し  磁化に応じた偏光の回転を検出し電気に変換 D1 LD + D2 N S S N N S 偏光ビームスプリッタ差動検出器の説明偏光ビームスプリッタ透過光光センサー偏光光反射面－光センサー + 出力 MOドライブ２種類の記録方式  光強度変調(LIM)：現行のMOディスク     電気信号で光を変調磁界は一定ビット形状は長円形磁界変調(MFM)：現行MD, iD-Photo    電気信号で磁界を変調光強度は一定ビット形状は矢羽形記録ビットの形状 (a) (b) MSR方式の図解 MAMMOS(磁区拡大再生) レンズ再生・拡大層記録層磁界印加 (a) レーザ光の照射がないと、記録層から再生層に転写されない  (b) レーザ光が照射されると、高温部で記録層から再生層に転写 (c) 磁界の印加により転写された磁区を拡大逆磁界印加 (d) 逆磁界の印加により転写された磁区を縮小・消滅記録層に書かれた100 nm程度の磁区から読み出し層に転写する際に磁界によって磁区を直径600 nm程度に拡大して、レーザ光の有効利用を図り信号強度を稼いでいるスピン依存トンネル効果とトンネル磁気抵抗効果（TMR） FM1   I FM2 ２つの強磁性体が絶縁体超薄膜を介して接触 FM1とFM2のスピンの相対関係トンネル磁気抵抗効果(TMR)   http://www.apph.tohoku.ac.jp /miyazakilab/tunnel/TMR.html http://mswebs.aistnara.ac.jp/center/LABs/hashiz ume/keyword/tmr.htm TMRデバイス  絶縁体の作製技術が鍵を握っている。 →最近大幅に改善 •TMR ratio as large as 45% was reported. (Parkin: Intermag 99) •Bias dependence of TMR has been much improved by double tunnel junction. (Inomata: JJAP 36, L1380 (1997)) TMRを用いたMRAM     ビット線とワード線でアクセス固定層に電流の作る磁界で記録トンネル磁気抵抗効果で読出し構造がシンプル MRAMの回路図  鹿野他：第１２６回日本応用磁気学会研究会資料p.3-10 MRAM と他のメモリとの比較 SRAM DRAM Flash FRAM MRAM 読出速度高速中速中速中速中高速書込速度高速中速低速中速中高速不揮発性なしなしありありありリフレッシュ不要要不要不要不要セルサイズ大小小中小低電圧化可限不可限可物性工学概論で学んだこと(前半) 第１回 2004.4.13 さまざまな材料の光学現象とその応用第２回 2004.4.20 金属[1] 2.1金属とは何か第３回 2004.4.27 金属[2] 2.2金はなぜ金ぴかか：金属の色第４回 2004.5.11 半導体と光[1] 半導体の色休講 2004.5.18 第５回 2004.5.25 半導体と光[2] 光る半導体, LED 第６回 2004.6.1 光電変換：太陽電池のしくみ第７回 2004.6.8 ミニテスト：金属、半導体の光学的性質物性工学概論で学んだこと(後半) 第8回 2004.6.15 光エレクトロニクス材料[1]：レーザー第9回 2004.6.22 光エレクトロニクス材料[2]：光ファイバー通信第10回 2004.6.29 光エレクトロニクス材料[3]：光ディスク、光メモリ第11回 2004.7.6 スピンエレクトロニクス材料[1]：磁性入門第12回 2004.7.13 スピンエレクトロニクス材料[2]：磁性基礎第13回 2004.7.20 スピンエレクトロニクス材料[3]：磁区、磁気記録 2004. 8.3 期末テスト：光エレクトロニクス材料、スピンエレクトロニクス材料ご静聴ありがとうございました。   この講義では、これまでに学んだり、これから学ぶさまざまな物理現象が工学としてどのように応用されているかについて概論しました。この講義が量子力学や材料物理系科目を学習するときの学習意欲のきっかけになれば幸いです。期末テストについて     8月3日(火)１限講義棟0023番教室光エレクトロニクス、スピンエレクトロニクスから、常識的な知識を問う項目を述べます。授業を聞いていれば、必ずできる問題です。持ち込み可能なもの：参考書１冊、電卓、A4レポート２枚以内（手書きに限る）