コンパレータノイズがA/Dコンバータの 性能に与える影響に関する研究 ◎吉原 慶,浅田 友輔,宮原 正也, 岡田 健一,松澤 昭 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 Matsuzawa Matsuzawa Lab. & of Okada Lab. Tokyo Institute Technology 発表内容 2 • 研究背景 • A/Dコンバータの動作原理 – Flash ADC – Subranging ADC – SAR ADC • 解析結果 • まとめ 2008/09/17 K. Yoshihara, Tokyo Tech. Matsuzawa Matsuzawa Lab. & Okada Lab. Tokyo Institute of Technology 研究背景 3 -中速・中分解能のA/D変換には、オペアンプベースのADC であるPipeline ADCが用いられていたが、近年ではコンパ レータベースのSAR ADCも用いられるようになってきた。そ のため、より詳細なコンパレータの解析が必要である。 Type , Year Speed [MS/s] FoM [fJ] [1] Pipeline , 2000 40 1900 [2] SAR , 2000 [3] Pipeline , 2008 [4] SAR , 2008 0.5 100 40 3830 62 54 FoM Power 2 ENOB f s ENOB :有効ビット f s :サンプリング 周波数 -コンパレータベースのADCにおいて、コンパレータノイズが 性能に与える影響についての解析を行った。 2008/09/17 K. Yoshihara, Tokyo Tech. Matsuzawa Matsuzawa Lab. & Okada Lab. Tokyo Institute of Technology コンパレータノイズ 4 Vout Vin Vref Vin Vout Vref -ノイズの影響により、コンパレータの出力が変化する点が 幅を持つようになる(不感帯と呼ばれる)。 有効ビット ENOB 2008/09/17 SNR 1.76 6.02 K. Yoshihara, Tokyo Tech. Matsuzawa Matsuzawa Lab. & Okada Lab. Tokyo Institute of Technology ADC 特徴 5 Flash Subranging SAR 高速 低速 低 高 大 小 2n-1個×1 2n/2個×2回 1個×n回 回 速度 分解能 消費電力 コンパレータ 動作回数 1.0E+05 Subranging 2006 SAR 2006 Flash 2006 Subranging 2007 SAR 2007 Flash 2007 Subranging 2008 SAR 2008 Flash 2008 Speed[MS/s] 1.0E+04 1.0E+03 1.0E+02 1.0E+01 1.0E+00 1.0E-01 1.0E-02 1.0E-03 1.0E+00 2008/09/17 1.0E+02 1.0E+04 FoM[fJ] K. Yoshihara, Tokyo Tech. 1.0E+06 1.0E+08 Matsuzawa Matsuzawa Lab. & Okada Lab. Tokyo Institute of Technology Flash ADC 6 -コンパレータを2n-1個並列に配置し、同時に比較を行う。 ノイズの影響は全コンパレータで一様。 Vin Vref Vref 2n-1 2n-2 1 .... 2 E n c n o bit d e r 0 Vin コンパレータ動作回数 2008/09/17 K. Yoshihara, Tokyo Tech. 1 0 0 1 1 1 1 2n-1個×1回 Matsuzawa Matsuzawa Lab. & Okada Lab. Tokyo Institute of Technology Subranging ADC 7 -Flash ADCを二段階に分け、変換を行う。 上位ビットの変換はノイズの許容範囲が広い。 Vin Vref n/2 bit flashADC n/2 bit DAC + + - upper n/2 bit Vin lower n/2 bit n/2 bit flashADC Vref 0 0 1 0 1 0 1 1 2n/2 コンパレータ動作回数 2008/09/17 Vref 2n/2 Vref K. Yoshihara, Tokyo Tech. 2n/2個×2回 Matsuzawa Matsuzawa Lab. & Okada Lab. Tokyo Institute of Technology SAR ADC 8 -DACの出力を上位ビットから順に1とし、比較を行い確定していく。 下位ビットの変換ではノイズによる誤変換を起こす確率が高い。 Vref Vin Register n bit n bit DAC DACout 3Vref 4 Vref 2 Vin 1 コンパレータ動作回数 2008/09/17 K. Yoshihara, Tokyo Tech. 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1個×n回 Matsuzawa Matsuzawa Lab. & Okada Lab. Tokyo Institute of Technology SAR ADCでのノイズの影響 Flash ADC 9 SAR ADC MSB MSB-1 MSB-2 -コンパレータノイズが一様とすると、SAR ADCの ノイズによる影響はFlash ADCと同程度となる。 2008/09/17 K. Yoshihara, Tokyo Tech. Matsuzawa Matsuzawa Lab. & Okada Lab. Tokyo Institute of Technology ENOB 理論式 10 :コンパレータノイズの標準偏差 Flash、Subranging型 1 Vref 2 -ノイズパワー: ,量子化ノイズ: n 12 2 2 1 Vref ,信号電力: 2 2 2 2 n 3 SNR 10log 12 2 log1 12 n V / 2 ref ENOBFlash,Subranging 2 n 1.66 log1 12 V / 2n ref SAR型 i :i番目の変換動作時のコンパレータノイズ n i 1 2 2 -ノイズパワー: 2 n 1i i i 1 ENOBSAR 2008/09/17 ≈ ENOBFlash,subranging K. Yoshihara, Tokyo Tech. Matsuzawa Matsuzawa Lab. & Okada Lab. Tokyo Institute of Technology シミュレーション結果 11 -ノイズによるENOBの低下は、コンパレータの比較 回数に依らずほぼ同程度となった。 ENOB 6 5.8 5.6 5.4 5.2 5 Flash Subranging SAR approximation 4.8 4.6 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 [LSB] ENOB@=0.5 Flash Subranging SAR 5.06 5.10 5.05 2008/09/17 K. Yoshihara, Tokyo Tech. Matsuzawa Matsuzawa Lab. & Okada Lab. Tokyo Institute of Technology まとめ 12 • コンパレータノイズによるENOBの劣化は、 比較回数の違いがほぼ影響しないことを確 認した。 ENOB@=0.5 Flash Subranging SAR 5.06 5.10 5.05 • 今後、各変換毎にコンパレータノイズを変化 させ、ノイズによる影響のより詳細なシミュ レーションを行う必要がある。 2008/09/17 K. Yoshihara, Tokyo Tech. Matsuzawa Matsuzawa Lab. & Okada Lab. Tokyo Institute of Technology 参考文献 13 [1]I. Mehr and L. Singer, “A 55-mW, 10-bit, 40-Msample/s Nyquist-Rate CMOS ADC,” IEEE JSSC, vol.36, no.3, pp.318-325, March 2000. [2]J. Park, H.J. Park, J.W. Kim, S. Seo and P. Chug, “A 1mW 10-bit 500KSPS SAR A/D Converter,” IEEE ISCAS, pp.581-584, May 2000. [3]M. Boulemnakher, E.Andre, J.Roux and F. Paillardet, “A 1.2V 4.5mW 10b 100MS/s Pipeline ADC in a 65nm CMOS,” ISSCC Digest of Technical Papers, pp.250-611, February 2008. [4]V. Giannini, P. Nuzzo, V. Chironi, A. Baschirotto, G. Van der Plas and J. Craninckx, “An 820uW 9b 40MS/s Noise-Tolerant Dynamic-SAR ADC in 90nm Digital CMOS,” ISSCC Digest of Technical Papers, pp.238-610, February 2008. 2008/09/17 K. Yoshihara, Tokyo Tech. Matsuzawa Matsuzawa Lab. & Okada Lab. Tokyo Institute of Technology 14 2008/09/17 K. Yoshihara, Tokyo Tech. Matsuzawa Matsuzawa Lab. & Okada Lab. Tokyo Institute of Technology 15 Vref Vref DACout 3Vref 4 Vref 2 3Vref 4 Vref 2 Vin 1 0 0 1 1 0 1 0 1 0 Vout=39 Vout_error=40 2008/09/17 DACout K. Yoshihara, Tokyo Tech. Vin 1 0 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 Vout=32 Vout_error=31 Matsuzawa Matsuzawa Lab. & Okada Lab. Tokyo Institute of Technology 16 1 2 Vq 量子化ノイズ→ 12 ,コンパレータノイズ→ ,信号電力→ 2 2 Vq :1LSB Vref / 2n Vq2 SNR 10 log n 1 2 Vq 2 2 2 q V 2 n 2 2 2 n 3 10log 12 2 log1 12 V q 12 SNR 1.76 ENOB 6.02 2 1.76 n 3 1.66log 12 2 log1 12 V 6.02 q 2 n 1.66 log1 12 V / 2n ref 2008/09/17 K. Yoshihara, Tokyo Tech. Matsuzawa Matsuzawa Lab. & Okada Lab. Tokyo Institute of Technology 2 17 6bit SAR ADCでσを変化させたときの 理論値とシミュレーションの誤差 sigm a0 sigm a1 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 2008/09/17 sigm a2 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 sigm a3 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0 0.125 0.25 0.375 0.5 sigm a4 0 0.125 0.25 0.375 0.5 sigm a5 0 0.125 0.25 0.375 0.5 コンパレータノイズ 信号パワー 理論値 6.67572E-06 0.125 36.65212 1.00136E-05 0.125 36.14628 2.00272E-05 0.125 34.90827 3.67165E-05 0.125 33.40567 6.00815E-05 0.125 31.91511 K. Yoshihara, Tokyo Tech. Si m値 49.46479 50.46479 51.46479 52.46479 53.46479 EN O B 5.796034 5.712006 5.506358 5.256755 5.009154 Sim 5.79874 5.687708 5.476471 5.227174 5.027118 誤差率 0.0467 -0.42539 -0.54278 -0.56274 0.358624 Matsuzawa Matsuzawa Lab. & Okada Lab. Tokyo Institute of Technology
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