4．トランジスタ動作の基本性質

４．トランジスタ動作の基本性質
（1）トランジスタは電流増幅をする素子
〈2）トランジスタは定電流動作をする素子
（3）トランジスタは回路電流を制御する素子
練習問題
1．つぎの文章の
の中に適することはを入れ、文章を完成しなさい。
トランジスタの動作は，基本的には VBE によって I E を制御し，そして，その I E
を I B と I C とに 1 : hFE の割合で分流する素子ですが，用途上はつぎのよう
な見かたをするほうが便利な場合があります。
（１）トランジスタは，ベース電流 I B を hFE 倍に増幅するという電流増幅
をする素子です。
（２）トランジスタは VBE によって定まる一定の電流をコレクタ端子に流す素子
であり，コレクタ・エミッタ間に加える電圧にかかわらず，流れる電流を一
定にするという定電流動作をする素子です。
（３）トランジスタは回路に流れる電流を制御する素子であり，制御しようとす
る回路にトランジスタの CE 間を接続すれば， VB によって回路電
流の値を任意に制御することができます。
2
2．図aの特性をもち， hFE ＝100のトランジスタを用いて，図bの回路を構成しました。
VB の値を0．7〔Ⅴ〕にしたとき， I E , I B , I C
はいくらになりますか。
IC
IE
hFE  100
2mA
IB
0.7V VBE
0.7V
VCC
VBE
VB
IE
図a
I E  2　[m A]
IB 
図b
1
2
 IE 
[m A]  20[ A]
1  hFE
101
hFE
100
IC 
 IE 
 2　[m A]  2　[m A]
1  hFE
101
3
3．図のように，ホトダイオードをトランジスタのベース回路に接続したとき，10μAの
ベース電流が流れました。
I Cと I E を求めなさい。
I C ＝（ア）
IE
＝（イ）
1
1
〔mA〕
〔mA〕
IC
光
hFE  100
10μA
I C  hFE  I B  10010[A]  1[mA]
10V
IE
I E  (1  hFE )  I B  10110  1[mA]
4
4・図の回路で I C  1mA になるように VB を調整しました。
つぎの問いに答えなさい。
（１） VCC を10〔Ⅴ〕から15〔Ⅴ〕に変更すると，コレクタ電流はどうなりますか。
〈2）抵抗 Rx の値を 1k から 2k に変更すると，コレクタ電流はどのようになりますか。
IC  1mA
(1)VCCが10Vから 15Vに変っ
て、トランジスタの
Rx
VCEが
VO
変化しても、定電流特性
により 1[m A]に変化はない。
(2)2[k]にすると Rxの電圧
低下は増大して VCEが減っ
VB
VCC
10V
ても、その定電流特性に
より 1[m A]に変化はない。
5
5・図aの特性をもち， hFE  100 のトランジスタを用いて，図bの回路を構成しました。
ランプに流れる電流を20〔mA〕にするには， VB をいくらにすれよいですか。
また，このとき I B の値はいくらになりますか。
(ア ) VB  0.8[V ]
IC
(イ ) I B 
hFE
20[m A]

100
 0.2[m A]
IC
mA
40
hFE  100
20
10V
10
0.9V
0.7V
0.8V
VBE
図b
図a
6

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