2SD1149

本製品はRoHS指令(EU 2002/95/EC)に対応しています。
トランジスタ
2SD1149
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形
低周波増幅用
Unit : mm
0.40+0.10
–0.05
■ 特長
0.4±0.2
5˚
(0.65)
2
1
止
2.8+0.2
–0.3
1.50+0.25
–0.05
• 直流電流増幅率 hFE が高い
• コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat)が低い
• エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)VEBO が高い
• ミニ型パッケージのため機器の小形化およびテーピング，
マ
ガジン包装による自動挿入が可能
(0.95) (0.95)
1.9±0.1
2.90+0.20
–0.05
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
:// は守品
w ホ廃
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
.c さ
o. い
を
jp
。
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
0.16+0.10
–0.06
3
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
VCBO
100
V
コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時)
VCEO
100
V
エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)
VEBO
15
V
IC
20
mA
コレクタ電流
尖頭コレクタ電流
コレクタ損失
保存温度
ICP
50
mA
PC
200
mW
Tj
150
°C
Tstg
−55 ∼ +150
°C
守
接合温度
1.1+0.3
–0.1
単位
0 to 0.1
定格
廃
記号
1.1+0.2
–0.1
10˚
項目
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
EIAJ : SC-59
Mini3-G1 Package
形名表示記号 : 1V
■ 電気的特性 Ta = 25°C ± 3°C
保
項目
記号
条件
最小
標準
最大
単位
VCBO
IC = 10 µA, IE = 0
100
V
コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時)
VCEO
IC = 1 mA, IB = 0
100
V
エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)
VEBO
IE = 10 µA, IC = 0
15
コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時)
ICBO
VCB = 60 V, IE = 0
ICEO
VCE = 60 V, IB = 0
hFE
VCE = 10 V, IC = 2 mA
VCE(sat)
IC = 10 mA, IB = 1 mA
0.05
VCB = 10 V, IE = −2 mA, f = 200 MHz
100
保
守
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
コレクタ・エミッタ間遮断電流(B 開放時)
直流電流増幅率
*
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
トランジション周波数
fT
400
V
0.1
µA
1.0
µA
1 200

0.20
V
MHz
注 ) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
2. * : ランク分類
ランク
R
S
hFE
400 ∼ 800
600 ∼ 1 200
発行年月 : 2003年1月
SJC00208CJD
1
本製品はRoHS指令(EU 2002/95/EC)に対応しています。
2SD1149
PC  Ta
IC  VCE
240
IC  VBE
80
60
VCE = 10 V
Ta = 25°C
50
160
120
80
IB = 100 µA
80 µA
60 µA
50 µA
40 µA
60
40
30 µA
20 µA
20
10 µA
40
80
120
0
160
周囲温度 Ta (°C)
6
8
10
12
廃
VCE = 10 V
1 500
守
1
25°C Ta = 75°C
−25°C
0.01
0.1
1
10
1 200
900
600
0
0.1
100
4
2
1
10
10
0
0.4
0.8
1.2
100
fT  I E
200
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
160
120
80
40
−1
−10
−100
NV  VCE
Rg = 100 kΩ
80
22 kΩ
5 kΩ
60
22 kΩ
40
5 kΩ
20
0.1
コレクタ電流 IC (mA)
SJC00208CJD
VCB = 10 V
Ta = 25°C
100
60
0
0.01
2.0
エミッタ電流 IE (mA)
100 V = 10 V
CE
GV = 80 dB
Function = FLAT
T = 25°C
80 a
Rg = 100 kΩ
40
1.6
ベース・エミッタ間電圧 VBE (V)
0
− 0.1
100
20
1
1
0
NV  IC
3
0
20
コレクタ電流 IC (mA)
IE = 0
f = 1 MHz
Ta = 25°C
保
守
5
−25°C
300
雑音電圧 NV (mV)
保
Cob  VCB
25°C
雑音電圧 NV (mV)
0.1
直流電流増幅率 hFE
Ta = 75°C
10
30
hFE  IC
1 800
IC / IB = 10
6
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
4
40
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
コレクタ電流 IC (mA)
2
2
−25°C
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
:// は守品
w ホ廃
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
.c さ
o. い
を
jp
。
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
VCE(sat)  IC
100
0
トランジション周波数 fT (MHz)
0
Ta = 75°C
10
止
40
0
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ損失 PC (mW)
200
25°C
1
0
IC = 1 mA
GV = 80 dB
Function = FLAT
Ta = 25°C
1
10
100
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
本書に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1)
本書に記載の製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は、当該国における法令、特に安全保障輸出
管理に関する法令を遵守してください。
(2)
本書に記載の技術情報は、製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、弊社または他社の知的財産権
もしくはその他の権利に基づくライセンスは許諾されていません。したがって、上記技術情報のご使用に起因して第三
者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、弊社はその責任を負うものではありません。
(3) 本書に記載の製品は、標準用途 − 一般電子機器(事務機器、通信機器、計測機器、家電製品など)に使用されること
を意図しております。
特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼす恐れのある用途
− 特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)にご使用をお考えのお客様および弊
社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、事前に弊社営業窓口までご相談願います。
(4) 本書に記載の製品および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合がありますのでご了承ください。した
がって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に最新の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認
ください。
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
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w ホ廃
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
.c さ
o. い
を
jp
。
止
(5) 設計に際しては、絶対最大定格、動作保証条件(動作電源電圧、動作環境等)の範囲内でご使用いただきますようお願
いいたします。特に絶対最大定格に対しては、電源投入および遮断時、各種モード切替時などの過渡状態においても、
超えることのないように十分なご検討をお願いいたします。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器
の故障、欠陥については弊社として責任を負いません。
また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モードをご考慮の上、弊
社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを生じさせない冗長設計、延焼対策設計、
誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じていただきますようお願いいたします。
廃
(6) 製品取扱い時、実装時およびお客様の工程内における外的要因（ESD、EOS、熱的ストレス、機械的ストレス）による
故障や特性変動を防止するために、使用上の注意事項の記載内容を守ってご使用ください。
また、防湿包装を必要とする製品は、保存期間、開封後の放置時間など、個々の仕様書取り交わしの折に取り決めた
条件を守ってご使用ください。
守
保
保
090506
守
(7) 本書の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断りいたします。

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