BD8682MUV-M : パワーマネジメント - Rohm

Datasheet
車載カメラモジュール用システム電源 IC シリーズ
CMOS センサ用
カメラモジュールシステム電源
BD8682MUV-M
●概要
BD8682MUV-M は CMOS センサ用電源（LDO）と ISP
用電源（スイッチングレギュレータ）と、Nch FET 内蔵・
高耐圧降圧スイッチングレギュレータから構成されてお
り、バッテリーから直接、カメラモジュール用の電源を
供給できます。
さらに、出力電圧を切り替える機能を内蔵しているため、
CMOS センサと ISP の組み合わせを変更できます。
また、小型パーケージである VQFN32SV5050 を用いる
ことで、小型化が要求されるカメラモジュールに対応で
きます。
●重要特性
 入力電圧範囲：
 停止電流：
 動作温度範囲：
 動作周波数(CH1)：
 動作周波数(CH4)：
 出力負荷電流(CH1)：
 出力負荷電流(CH2)：
 出力負荷電流(CH3)：
 出力負荷電流(CH4)：
●特長
■ Nch FET 内蔵高耐圧降圧 CH1 スイッチング
レギュレータ（外付け抵抗にて電圧可変）
■ Pch 出力、CH2 LDO（2.8V、3.3V 切り替え可能）
■ Pch 出力、CH3 LDO（1.8V ON/OFF 切り替え可能）
■ Pch FET 内蔵降圧 CH4 スイッチングレギュレータ
（1.5V、1.2V、1.8V 切り替え可能）
■ 同期整流方式により高効率を実現
■ 出力過電圧保護内蔵（10ms タイマーラッチ方式）
■ 出力低電圧保護内蔵（10ms タイマーラッチ方式）
■ 出力過電流保護内蔵（10ms タイマーラッチ方式）
■ リセット回路内蔵
■ OFF Timer 内蔵
（11s Typ.、機能の ON/OFF 切り替え可能）
■ 出力シーケンス制御回路内蔵
■ 小型パッケージ：VQFN32SV5050
■ AEC-Q100 対応
●用途
■ 車載カメラ、監視カメラなどの CMOS センサを
使用するカメラシステム
5.9V～40V
10μA(Max.)
-40℃～+105℃
500kHz(Typ.)
1MHz(Typ.)
500mA(Max.)
130mA(Max.)
60mA(Max.)
250mA(Max.)
●パッケージ
VQFN032SV5050
W(Typ.) x D(Typ.) x H(Max.)
5.00mm x5.00mm x 1.00mm
VQFN032SV5050
●基本アプリケーション回路
回路例 1
L0
100µH
(5.9V~18V)
+B
PVCC1
VCC
CIN02
22µF×3
CIN01
0.1µF
VREG50
CIN
1µF
5.0V
PVCC4
BOOT1
CIN4
1µF
C5
1µF
CB1
1µF
SW1
L4
10µH
CIN1
10µF
22µH
SW4
Vo1
Vo4
L1
(1.5V, 1.2V, 1.8V)
CO1
22µF
D1
CO4
10µF
PGND1
PGND4
CFB1
2200pF
RFB1
7.5kΩ
FB1
VO4
SS1
RFB2
2.4kΩ
(2kΩ)
SS4
CSS1
0.047µF
CSS4
0.01µF
Figure 1. 回路例 1ٛ
COMP1
VO3
Vo3
(1.8V)
RC1
51kΩ
CC1
2200pF
PVCC2
CO3
4.7µF
SS3
CIN2
1µF
VO2
CSS3
0.01µF
Vo2
GND
CO2
4.7µF
(2.8V, 3.3V)
RRST
SS2
4.7kΩ
EN
CSS2
0.01µF
RSTO
○製品構造：シリコンモノリシック集積回路
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○耐放射線設計はしておりません
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BD8682MUV-M
●端子配置図
23
22
21
20
19
18
17
PGND4
VO4
SS4
SS3
VO3
PVCC2
VO2
SS2
(TOP VIEW)
24
25 SW4
RSTO 16
26 PVCC4
TEST5 15
27 SS1
TEST4 14
28 COMP1
TEST3 13
29 FB1
TEST2 12
30 PGND1
SEL_CH42 11
31 SW1
SEL_CH41 10
SEL_CH3 9
PVCC1
VCC
EN
TEST1
GND
VREG50
SEL_T
SEL_CH2
32 BOOT1
1
2
3
4
5
6
7
8
Figure 2. 端子配置図
●端子説明
端子番号
記
号
機
能
端子番号
記
号
機
能
CH1 SWREG 電源入力端子
17
SS2
CH2 LDO
ソフトスタート時間設定端子
電源入力端子
18
VO2
CH2 LDO 出力端子
コントロール端子
（リバース信号入力）
19
PVCC2
TEST1
テスト端子 1
20
VO3
5
GND
グランド端子
21
SS3
6
VREG50
内部電源出力
22
SS4
7
SEL_T
EN モード切替端子
23
VO4
8
SEL_CH2
CH2 LDO 出力切替端子
24
PGND4
9
SEL_CH3
CH3 LDO 出力切替端子
25
SW4
10
SEL_CH41 CH4 SWREG 出力切替端子 1
26
PVCC4
CH4 SWREG 電源入力端子
11
SEL_CH42 CH4 SWREG 出力切替端子 2
27
SS1
CH1 SWREG
ソフトスタート時間設定端子
1
PVCC1
2
VCC
3
EN
4
CH2 LDO 電源入力端子
CH3 LDO 出力端子
CH3 LDO
ソフトスタート時間設定端子
CH4 SWREG
ソフトスタート設定端子
CH4 SWREG
出力電圧検出端子
CH4 SWREG パワーグランド端子
CH4 SWREG 出力端子
12
TEST2
テスト端子 2
28
FB1
CH1 SWREG エラーアンプ入力端子
13
TEST3
テスト端子 3
29
COMP1
CH1 SWREG エラーアンプ出力端子
14
TEST4
テスト端子 4
30
PGND1
CH1 SWREG パワーグランド端子
15
TEST5
テスト端子 5
31
SW1
16
RSTO
CH2 LDO リセット出力端子
32
BOOT1
CH1 SWREG 出力端子
CH1 SWREG
ハイサイドドライバ電源端子
※TEST1～5 端子は GND にショートしてください。
SEL 端子は VREG50 または GND にショートしてください。
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●ブロック図
REG
VCC
UVLO
VREF
PVCC1
CTL
VREG50
TSD
VREG50
TSD
OSC
UVLO50
PVCC4
BOOT1
SW4
SW1
DRV
Logic
CTL4
UVLO
TSD
DRV
Logic
CTL1
UVLO
TSD
PGND1
PGND4
ERRAMP
ERRAMP
VO4
PWM
FB1
PWM
Vo select
SS1
CTL4
CTL1
slope
SS4
slope
0.5V
0.8V
CH4 SWREG
CH3 LDO
COMP1
CH1 SWREG
CH2 LDO
PVCC2
CTL3
CTL2
AMP
AMP
UVLO
VO3
VO2
0.8V UVLO
TSD
UVLO 0.8V
TSD
SS3
SS2
Vo_select
RSTO
COUNTER
GND
SEQUENCER
EN
CTL1
シーケンス
CTL
リバース
判定
CTL2～4
Vo_select
Protect
OFF
Timer
SEL_T
OFF_LATCH
OFF
Latch
Timer
OVD
UVD
OCP
CTL
UVLO
OSC_D
Vo Select
Figure 3. ブロック図
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●各ブロック動作説明
 リバース判定・OFF Timer ブロック（SEL_T 端子）
SEL_T 端子が High（VREG50 とショート）の場合、リバース判定機能と OFF Timer 機能が動作します。
機能の詳細は P.12 を参照してください（タイミングチャート①参照）。
SEL_T 端子が Low（GND とショート）の場合、リバース判定機能と OFF Timer 機能は動作しません。
従いまして、EN の H/L で回路の動作が決まります（タイミングチャート②参照）。
 リバース判定（フィルタ動作）
Figure 4. SEQUENCER（リバース判定）ブロック
シーケンスブロックには EN のノイズ対策ため、“300μs フィルタ”と“1 パルスマスク”を挿入しています。
“1 パルスマスク”ブロックのマスクは、164ms（Typ.）後にリセットされます。
EN のパルス信号が高 Duty の時、上記のフィルタによって“周波数判定”が不可能な場合には“DC 判定”にて
起動させます。
 出力切り替えブロック（SEL_CH2～CH4）
SEL_CH2、SEL_CH3、SEL_CH41、SEL_CH42 端子の High/Low により、出力電圧の切り替えが可能です。
各端子 High の場合は VREG50 にショートし、Low の場合は GND にショートしてください。
SEL_CH2
Low
High
Vo2
2.8V
3.3V
SEL_CH3
Low
High
Vo3
OFF
1.8V
SEL_CH42
Low
Low
High
High
SEL_CH41
Low
High
Low
High
Vo4
1.5V
1.2V
1.8V
禁止
 基準電圧（VREG50）ブロック
5V 内部基準電圧を生成するブロックです。VREG50 には外付けコンデンサが必要です。挿入するコンデンサは、1μF 以上、
ESR の低いセラミックコンデンサを推奨します。
VREG50 には UVLO の保護機能があり、UVLO 動作時はすべての出力を OFF し、出力電圧とタイマー動作をリセット
します。
また、VREG50 の電流能力は 100mA（Typ.）ですが、IC 内部への供給を目的としているため、他の用途に VREG50 を
使用することは推奨しません。
 タイマーラッチ（Timer Latch）ブロック
Vo1 の過電流保護・短絡保護・過電圧保護または、Vo2～4 の過電流保護・過電圧検出・低電圧検出が一定時間以上（10ms,
Typ.）動作した場合、Timer Latch が動作し、回路を OFF ラッチさせます。OFF ラッチを解除させる方法は、VCC の UVLO
を動作させるか、EN を再度入力させてください。また、VREG50 の UVLO と TSD 動作でもラッチを解除します。（P.13
タイミングチャート⑥参照）
 過熱保護（TSD）ブロック
許容損失を超えた状態が継続するとチップ温度 Tj が上昇し TSD が動作し、全出力と VREG50 が OFF します。
その後、チップ温度 Tj が低下すると回路は自動で復帰します。
TSD 動作中は出力電圧とタイマー動作をリセットします。
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 Protect ブロック
端子名
VCC
VREG50
Vo1
（SW1
FB1）
PVCC2
PVCC4
Vo2
Vo3
Vo4
（SW4）
その他
保護機能
UVLO
UVLO
OCP
OCP + Timer Latch
SCP + Timer Latch
OVP
OVP + Timer Latch
OVP
OVP + Timer Latch
OCP + Timer Latch
UVD + Timer Latch
OVD + Timer Latch
OCP + Timer Latch
UVD + Timer Latch
OVD + Timer Latch
OCP
OCP + Timer Latch
UVD + Timer Latch
OVD + Timer Latch
TSD
動作
全出力を OFF
全出力を OFF
パルス by パルスで Duty 制限
備考
タイマーラッチを解除
タイマーラッチを解除
SW1 の ON Duty が制限され、出力電圧が低下する
OFF ラッチ
UVLO・EN・TSD にてラッチ解除
CH1 の内蔵 FET を OFF
OFF ラッチ
CH1 の内蔵 FET を OFF
OFF ラッチ
UVLO・EN・TSD にてラッチ解除
OFF ラッチ
UVLO・EN・TSD にてラッチ解除
OFF ラッチ
UVLO・EN・TSD にてラッチ解除
パルス by パルスで Duty 制限
SW4 の ON Duty が制限され、出力電圧が低下する
OFF ラッチ
UVLO・EN・TSD にてラッチ解除
全出力と VREG50 を OFF
自己復帰、タイマーラッチを解除
UVLO・EN・TSD にてラッチ解除
（UVLO：低電圧誤動作防止、OVD：過電圧検出、UVD：低電圧検出、OCP：過電流保護、SCP：短絡保護、Timer Latch：Typ.10ms、OVP：過電圧保護、
TSD：過熱保護）
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BD8682MUV-M
●絶対最大定格
項目
記号
VCC 端子電圧
-0.3～40
-0.3～40
EN
PVCC1 端子電圧
単位
*1
VCC
EN 端子電圧
PVCC1
V
V
*1*2
V
*3
-0.3～40
VREG50 端子電圧
VREG50
-0.3～6
V
BOOT1 端子電圧
BOOT1
-0.3～45
V
BOOT1-SW1
-0.3～6
V
SW1
-0.3～PVCC1 + 0.3
V
BOOT1-SW1 間電圧
SW1 端子電圧
PVCC2 端子電圧
PVCC4
SW4 端子電圧
COMP1
VO2 端子電圧
VO3 端子電圧
VO3
VO4 端子電圧
-0.3～6
V
-0.3～6*4
V
*5
V
*5
V
*6
V
*5
V
-0.3～6
-0.3～6
VO4
RSTO 端子電圧
V
*4
-0.3～6
VO2
RSTO
V
*4
-0.3～6
FB1
COMP 端子電圧
V
-0.3～PVCC4 + 0.3
SS1～4
FB 端子電圧
V
*1
-0.3～6
SW4
SS 端子電圧
*1
-0.3～6
PVCC2
PVCC4 端子電圧
-0.3～6
SEL_CH2 端子電圧
SEL_CH2
-0.3～VREG50 + 0.3
V
SEL_CH3 端子電圧
SEL_CH3
-0.3～VREG50 + 0.3
V
SEL_CH41 端子電圧
SEL_CH41
-0.3～VREG50 + 0.3
V
SEL_CH42 端子電圧
SEL_CH42
-0.3～VREG50 + 0.3
V
SEL_T 端子電圧
SEL_T
-0.3～VREG50 + 0.3
V
TEST 端子電圧
TEST1～5
-0.3～VREG50 + 0.3
V
*7
許容損失
Pd
保存温度範囲
Tsts
-55～+150
℃
Tj
+150
℃
接合部温度
*1
*2
*3
*4
*5
*6
*7
定格
0.88
W
ただし、Pd を超えないこと。
ただし、VCC-0.3V < PVCC1 < VCC+0.3V を満たすこと。
ただし、VCC+0.3V を超えないこと。
ただし、VREG50+0.3V を超えないこと。
ただし、PVCC2+0.3V を超えないこと。
ただし、PVCC4+0.3V を超えないこと。
ローム標準基板（70×70[mm]、厚さ 1.6[mm],ガラスエポキシ 1 層基板）実装時、Ta＝25℃以上では 1℃につき 7.04mW 減じる。
●推奨動作範囲
項目
最小
最大
単位
VCC、PVCC1
5.9
18
V
PVCC2、PVCC4
3.0
4.0
V
SW1 負荷電流
-
500
mA
VO2 負荷電流
-
130
mA
VO3 負荷電流
-
60
mA
SW4 負荷電流
-
250
mA
動作温度範囲
-40
+105
℃
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●電気的特性（特に指定のない限り Ta=25℃ 、 VCC=PVCC1=12V、 PVCC2=PVCC4=3.3V、 EN=5V とする。）
規格値
項目
記号
単位
条件
最小
標準
最大
スタンバイ電流
ISTB1
0
10
μA
EN=0.0V
回路電流
ICC2
2.5
5.0
12.0
mA
VCC 低電圧誤動作防止電圧
VUVLO
4.3
4.6
4.9
V
Ta=-40～105℃
UVLO_VCC ヒステリシス電圧
VUVLO_Hys
500
750
990
mV
Ta=-40～105℃
VREG50 電圧
VREG50
4.5
5.0
5.5
V
VREG50 低電圧誤動作防止電圧
VUVLO50
3.5
3.8
4.1
V
Ta=-40～105℃
UVLO50 ヒステリシス電圧
VUVLO50_Hys
200
300
390
mV
Ta=-40～105℃
<CH1 出力、高耐圧降圧 SWREG>
帰還基準電圧
VFB1
0.784
0.800
0.816
V
FB1=COMP1 電圧
発振周波数 1
FOSC1
0.4
0.5
0.6
MHz
SS1 端子充電電流
ISS1
1.0
2.5
4.0
μA
VSS1=0.5V
SS1 端子クランプ電圧
VSS1CLM
1.0
1.3
1.6
V
SS1 端子保護回路検出開始電圧
VSS1PON
1.0
1.3
1.6
V
VSS1 電圧(L→H)
SW1 端子 NMOS 過電流保護検出
IOCP1
510
mA
<CH2 出力 LDO レギュレータ>
2.8V 出力電圧
Vo2_28
2.744
2.800
2.856
V
Ivo2=5mA,
SET_CH2=GND
3.3V 出力電圧
Vo2_33
3.234
3.300
3.366
V
Ivo2=5mA,
SET_CH2=VREG50
PVCC2=3.8V
ディスチャージ抵抗
SS2 充電電流
SS2 端子クランプ電圧
SS2 端子保護回路検出開始電圧
RV2DIS
ISS2
VSS2CLM
VSS2PON
200
1.0
1.0
1.0
400
2.5
1.3
1.3
600
4.0
1.6
1.6
Ω
μA
V
V
EN=0V, Vo2=2.8V
VSS2=0.5V
Vo2 低電圧検出電圧
VUVD2
Vo2×
0.25
Vo2×
0.40
Vo2×
0.55
V
VVo2 電圧(H→L)
Vo2 過電圧検出電圧
VOVD2
Vo2×
1.35
Vo2×
1.50
Vo2×
1.65
V
VVo2 電圧(L→H)
CH2 PMOS 過電流保護検出
<リセット部>
IOCP2
140
-
-
mA
RSTO 検出電圧
VRSTO1
Vo2×
0.84
Vo2×
0.86
Vo2×
0.88
V
VVo2(H→L)
RSTO 解除電圧
VRSTO2
Vo2×
0.89
Vo2×
0.93
Vo2×
0.97
V
VVo2(L→H)
RSTO端子ON抵抗
RSTO端子リーク電流
RSTO 遅延時間
<CH3 出力 LDO レギュレータ>
RRSTO
IRSTO
TRSTO
50
16
100
20
150
10
24
Ω
μA
ms
IRSTO=1mA
RSTO=5V
1.8V 出力電圧
Vo3_18
1.764
1.800
1.836
V
ディスチャージ抵抗
SS3 充電電流
SS3 端子クランプ電圧
SS3 端子保護回路検出開始電圧
RV3DIS
ISS3
VSS3CLM
VSS3PON
200
1.0
1.0
1.0
400
2.5
1.3
1.3
600
4.0
1.6
1.6
Ω
μA
V
V
EN=0V, Vo3=1.8V
VSS3=0.5V
Vo3 低電圧検出電圧
VUVD3
Vo3×
0.25
Vo3×
0.40
Vo3×
0.55
V
VVo3 電圧(H→L)
Vo3 過電圧検出電圧
VOVD3
Vo3×
1.35
Vo3×
1.50
Vo3×
1.65
V
VVo3 電圧(L→H)
CH3 PMOS 過電流保護検出
IOCP3
70
-
-
mA
Ivo3=5mA,
SET_CH3=VREG50
PVCC2=3.8V
●電流能力は、Pd を超えない事
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BD8682MUV-M
●電気的特性（特に指定のない限り Ta=25℃ , VCC=PVCC1=12V, PVCC2=PVCC4=3.3V, EN=5V とする。）
規格値
項目
記号
単位
条件
最小
標準
最大
<CH4 出力 SWREG コンバータ>
SET_CH41=GND
1.470
1.5V 出力電圧
Vo4_15
1.500
1.530
V
SET_CH42=GND
SET_CH41=VREG50
1.176
1.200
1.224
1.2V 出力電圧
Vo4_12
V
SET_CH42=GND
PVCC4=3.8V
SET_CH41=GND
1.764
1.800
1.836
1.8V 出力電圧
Vo4_18
V
SET_CH42=VREG50
PVCC4=3.8V
発振周波数 4
FOSC4
0.8
1.0
1.2
MHz
Vo4 端子ディスチャージ抵抗
RV4DIS
200
400
600
Ω
EN=0V、Vo4=1.5V
SS4 端子充電電流
ISS4
1.0
2.5
4.0
μA
VSS4=0.5V
SS4 端子クランプ電圧
VSS4CLM
0.7
1.0
1.3
V
SS4 端子保護回路検出開始電圧
VSS4PON
0.7
1.0
1.3
V
Vo4×
Vo4×
Vo4×
Vo4 端子低電圧検出電圧
VUVD4
V
VVo4 電圧(H→L)
0.25
0.40
0.55
Vo4×
Vo4×
Vo4×
Vo4 端子過電圧検出電圧
VOVD4
V
VVo4 電圧(L→H)
1.35
1.50
1.65
SW4 端子 PMOS 過電流保護検出
IOCP4
260
mA
<リバース判定部>
EN フィルタ時間 1
TFIL1
200
300
400
μs
カメラ ON 周波数判定用
EN フィルタ時間 2
TFIL2
2.4
3
3.6
ms
カメラ ON 時間判定用
OFF Timer 時間
OFF Timer
10
11
12
s
回路 OFF 時間
Toff
135
164
200
ms
SEL_T=VREG50
カメラ ON FAST 周波数
Fperiod_f
250
335
Hz
（Ta = -40 ～ +105℃）
カメラ ON SLOW 周波数
Fperiod_s
60
80
Hz
カメラ ON 時間（DC 入力）
Ton_time
24
30
36
ms
EN 端子プルダウン抵抗
REN
200
400
600
kΩ
EN 端子入力スレッショルド電圧
VEN_Ta
3.0
3.7
4.4
V
Ta = -40 ～ +105℃
<その他>
Timer Latch 時間
TLATCH
8
10
12
ms
●電流能力は、Pd を超えない事
●リバース判定範囲（SEL_T=VREG50 の場合）
Duty [%]
周波数
0
～ 1
[Hz]
1 ～ 3
[Hz]
3 ～ 29
[Hz]
29 ～ 60
[Hz]
60 ～ 80
[Hz]
80 ～ 250
[Hz]
250 ～ 335
[Hz]
335 ～ 400
[Hz]
400 ～ 1000
[Hz]
1000 ～
～
10
～
90
～
100
Duty[%]×100
＞TON_time
周波数[Hz]
の場合、リバース判定 OK
リバース判定 OK
（起動する範囲）
リバース判定 NG
（起動しない範囲）
[Hz]
リバース判定不定
（起動する場合がある範囲）
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Datasheet
BD8682MUV-M
6
6
5
5
Circuit current (Icc2) [mA]
Circuit current (Icc2) [mA]
●特性データ(参考データ)
4
3
2
-40℃
25℃
105℃
1
4
3
2
5.9V
1
12V
18V
0
0
0
5
10
15
input voltage (VCC) [V]
20
-40
-15
Figure 5. 回路電流入力電圧特性
85
Figure 6. 回路電流温度特性
4.4
3.0
4.2
SS Charge Current (ISS) [µA]
EN Threshold Voltage (VEN_Ta) [V]
10
35
60
temperature[℃]
4.0
3.8
3.6
3.4
2.8
2.6
2.4
2.2
3.2
2.0
3.0
-40
-15
10
35
60
temperature[℃]
-40
85
Figure 7. EN 端子入力スレッショルド電圧
温度特性
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-15
10
35
60
temperature[℃]
85
Figure 8. SS 充電電流温度特性
9/25
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Datasheet
3.45
2.95
3.40
2.90
Output Voltage (Vo2) [V]
Output Voltage (Vo1) [V]
BD8682MUV-M
3.35
3.30
3.25
2.85
2.80
2.75
3.20
2.70
3.15
2.65
-40
-15
10
35
60
temperature[℃]
85
SEL_CH2=GND
-40
1.90
1.60
1.85
1.55
1.80
1.75
10
35
60
temperature[℃]
85
Figure 10. Vo2 出力電圧温度特性
Output Voltage (Vo4) [V]
Output Voltage (Vo3) [V]
Figure 9. Vo1 出力電圧温度特性
-15
1.50
1.45
SEL_CH41=GND
SEL_CH42=GND
SEL_CH3=VREG3
1.70
1.40
-40
-15
10
35
60
temperature[℃]
85
-40
Figure 11. Vo3 出力電圧温度特性
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-15
10
35
60
temperature[℃]
85
Figure 12. Vo4 出力電圧温度特性
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BD8682MUV-M
2.50
RSTO detection voltage (VRSTO1) [V]
4.9
VCC UVLO (VUVLO) [V]
4.8
4.7
4.6
4.5
4.4
2.45
2.40
2.35
2.30
4.3
-40
-15
10
35
60
temperature[℃]
-40
85
10
35
60
temperature[℃]
85
Figure 14. RSTO 検出電圧温度特性
Figure 13. VCC UVLO 動作電圧温度特性
55
1.2
Fosc1
1.1
Fosc4
1.0
53
Frequency digital (Fdigital ) [kHz]
Frequency1,4 (Fosc1, Fosc4) [MHz]
-15
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
51
49
47
45
0.4
-40
-15
10
35
60
temperature[℃]
-40
85
Figure 15. 発振周波数温度特性
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-15
10
35
60
temperature[℃]
85
Figure 16. OSC_D の発振周波数温度特性
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●タイミングチャート
① 起動時・停止時タイミングチャート（SEL_T = VREG50、SEL_CH3=VREG50 の場合）
VCC
36ms以上
36ms以上
リバース判定がNGの場合
164ms後にOFF
OFFタイマー
EN
EN
11s(typ.)
11s(typ.)未満
UVLO50解除
VREG50
VREG50
CTL1
CTL1
0.8V(typ.)
1.3V(typ.)
内部抵抗にて
ディスチャージ
SS1
Vo1(PVCC2,4)
SS1
Vo1(PVCC2,4)
CTL2
CTL2
1.3V(typ.)
0.8V(typ.)
SS2
Vo2
VCC
VRSTO2
内部抵抗にて
ディスチャージ
SS2
内部抵抗にて
ディスチャージ
Vo2
CTL3
CTL3
0.5V(typ.)
1.3V(typ.)
SS3
内部抵抗にて
ディスチャージ
SS3
Vo3
内部抵抗にて
ディスチャージ
Vo3
CTL4
CTL4
0.5V(typ.)
1V(typ.)
SS4
内部抵抗にて
ディスチャージ
SS4
Vo4
内部抵抗にて
ディスチャージ
Vo4
RSTO
TRSTO:20ms(typ.)
OFFタイマー
11s(typ.)
RSTO遅延時間
RSTO
（＊：EN フィルタ時間 1 は省略しています）
Figure 17. タイミングチャート①（起動・停止）
② 起動時・停止時タイミングチャート（SEL_T = GND、SEL_CH3=GND の場合）
（＊：EN フィルタ時間 1 は省略しています）
Figure 18. タイミングチャート②（起動・停止）
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BD8682MUV-M
③カメラ ON 信号の動作パターン
Figure 19. タイミングチャート③
④タイマーラッチの解除方法
VCC
VCC
EN
EN
Vo1
Vo1
UVLO
SEL_T=GND
ラッチ解除
ラッチ解除
SEL_T=VREG50
Figure 20. タイミングチャート④（タイマーラッチの解除）
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BD8682MUV-M
⑤ CH1 保護動作
OVP
OVP
10ms(Typ.)未満 10ms(Typ.)
OCP
OCP
10ms(Typ.)未満 10ms(Typ.)
ENでラッチ解除
SCP
10ms(Typ.)未満
ENでラッチ解除
SCP
10ms(Typ.)
TSD TSD
ON OFF
ENでラッチ解除
EN
UVLO解除
VREG50
UVLO解除
0.8V(Typ.)
UVLO解除
0.8V(Typ.)
SS1
UVLO解除
0.8V(Typ.)
出力
ショート
0.8V(Typ.)
出力
ショート
Vo1
SW1
*1
*2
*2
*1
*2
*
3
*2
*3
*1
*2
*
3
*2
*3
*1
*2
*1
*2
Io1
タイマーラッチ
タイマーラッチ
タイマーラッチ
自己復帰
＊1：ソフトスタートに準じた Duty で動作
＊2：通常動作
＊3：パルス by パルスで Duty 制御
Figure 21. タイミングチャート⑤（CH1 保護動作）
⑥ CH2 保護動作（CH3 の場合も同様）
Figure 22. タイミングチャート⑥（CH2, 3 保護動作）
⑦ CH4 保護動作
OVD
10ms(Typ.)未満
OVD
10ms(Typ.)
OCP
OCP
10ms(Typ.)未満 10ms(Typ.)
ENで
ラッチ解除
UVD
10ms(Typ.)未満
ENで
ラッチ解除
ENで
ラッチ解除
UVD
10ms(Typ.)
TSD TSD
ON OFF
EN
SS3
0.5V(Typ.)
0.5V(Typ.)
0.5V(Typ.)
SS4
0.5V(Typ.)
0.5V(Typ.)
出力
ショート
出力
ショート
Vo4
SW4
*1
*2
*1
*2
*
3
*2
*3
*1
*2
*
3
*2
*3
*1
*2
*1
*2
Io4
タイマーラッチ
タイマーラッチ
タイマーラッチ
自己復帰
＊1：ソフトスタートに準じた Duty で動作
＊2：通常動作
＊3：パルス by パルスで Duty 制御
Figure 23. タイミングチャート⑦（CH4 保護動作）
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●応用回路例
CIN2
1μF
CSS4
0.01μF
CSS2
0.01μF
CO2
10μF
SS2
VO2
PVCC2
VO3
SS3
SS4
CIN4
1μF
VO4
CO4
10μF
PGND4
2.8V
RRST
4.7kΩ
L4
SW4
1.5V
RSTO
10μH
PVCC4
TEST5
SS1
TEST4
FB1
TEST3
COMP1
TEST2
PGND1
SEL_CH42
SW1
SEL_CH41
CSS1
RFB2
2.4kΩ
CFB1
2200pF
RFB1
7.5kΩ
0.047μF
CC1
RC1
2200pF
51kΩ
CO1
22μF
D1
3.3V
L1
22μH
SEL_CH3
SEL_CH2
VREG50
GND
TEST1
EN
VCC
PVCC1
CIN1
10μF
SEL_T
BOOT1
CB1
1μF
入力フィルタ
D0
L0
100μH
VCC
+B
CIN01
0.1μF
CIN
1μF
CIN02
22μF×3
C5
1μF
Figure 24. 回路例 2
（リバース判定未使用。Vo1=3.3V、Vo2=2.8V、Vo3=未使用、Vo4=1.5V）
注意：入力フィルタを挿入しない場合、入力（+B）変動に対して、出力変動量が大きくなる可能性がありますので、
入力フィルタの挿入を推奨します。詳細は P.20 の⑤「入力フィルタについて」を参照してください。
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BD8682MUV-M
1.8V
CIN2
1μF
CSS4
0.01μF
CSS3
0.01μF
CO3
10μF
CO2
10μF
CSS2
0.01μF
3.3V
CO4
10μF
RRST
4.7kΩ
CIN4
1μF
L4
SW4
1.2V
RSTO
10μH
PVCC4
TEST5
SS1
TEST4
FB1
TEST3
COMP1
TEST2
PGND1
SEL_CH42
SW1
SEL_CH41
CSS1
0.047μF
RFB2
2kΩ
CFB1
2200pF
RFB1
7.5kΩ
CC1
RC1
2200pF
51kΩ
CO1
22μF
D1
3.8V
L1
22μH
SEL_CH3
BOOT1
CB1
1μF
CIN1
10μF
入力フィルタ
D0
L0
100μH
VCC
+B
CIN01
1μF
CIN
1μF
CIN02
22μF×3
C5
1μF
Figure 25. 回路例 3
（リバース判定使用。Vo1=3.8V、Vo2=3.3V、Vo3=1.8V、Vo4=1.2V）
注意：入力フィルタを挿入しない場合、入力（+B）変動に対して、出力変動量が大きくなる可能性がありますので、
入力フィルタの挿入を推奨します。詳細は P.20 の⑤「入力フィルタについて」を参照してください。
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Datasheet
SS2
SEL_CH2
VO2
SEL_T
VO3
GND
PVCC2
SS3
TEST1
VREG50
SS4
EN
VO4
VCC
PVCC1
PGND4
BD8682MUV-M
Figure 26. 回路例 4
（リバース判定使用。Vo1=3.3V、Vo2=2.8V、Vo3=1.8V、Vo4=1.8V）
注意：入力フィルタを挿入しない場合、入力（+B）変動に対して、出力変動量が大きくなる可能性がありますので、
入力フィルタの挿入を推奨します。詳細は P.20 の⑤「入力フィルタについて」を参照してください。
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BD8682MUV-M
●部品リスト（推奨部品）
Name
IC
RFB1
RFB2
RC1
RRST
CIN
CIN1
CIN2
CIN4
CO1
CO2
CO3
CO4
C5
CSS1
CSS2
CSS3
CSS4
CB1
CFB1
CC1
L1
L4
D1
D0
L0
CIN01
CIN02
Value
7.5
[kΩ]
2.4
[kΩ]
51
[kΩ]
4.7
[kΩ]
1
[μF]
10
[μF]
1
[μF]
1
[μF]
22
[μF]
10
[μF]
10
[μF]
10
[μF]
1
[μF]
47
[nF]
10
[nF]
10
[nF]
10
[nF]
1
[μF]
2.2
[nF]
2.2
[nF]
22
[μH]
10
[μH]
100
[μH]
0.1
[μF]
22x3
[μF]
Parts No
BD8682MUV-M
MCR03 シリーズ
MCR03 シリーズ
MCR03 シリーズ
MCR03 シリーズ
C2012X7R1H105K
C3225X7R1H106K
C1608X7R1C105K
C1608X7R1C105K
C3225X7R1C226M
C2012X7R1A106K
C2012X7R1A106K
C2012X7R1A106K
C1608X7R1C105K
GRM18 シリーズ
GRM18 シリーズ
GRM18 シリーズ
GRM18 シリーズ
C1608X7R1C105K
GRM18 シリーズ
GRM18 シリーズ
VLF302515M-220M-CA
VLF302515M-100M-CA
RB160SS-40
RR264M-400
VLCF4024T-101M
GRM188R11H104KA93
GRM32EB31E226K
Size Code
5x5mm
1608
1608
1608
1608
2012
3225
1608
1608
3225
2012
2012
2012
1608
1608
1608
1608
1608
1608
1608
1608
3x2.5mm
3x2.5mm
1608
3.5x1.6mm
4x4mm
1608
3225
Maker
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
TDK
TDK
TDK
TDK
TDK
TDK
TDK
TDK
TDK
murata
murata
murata
murata
TDK
murata
murata
TDK
TDK
ROHM
ROHM
TDK
murata
murata
備考
Vo1=3.8V の場合は、2.0kΩ
入力フィルタ
●基板レイアウト（Top View）
<TOP Layer (1st Layer)>
<BOTTOM Layer (4th Layer)>
Figure 27. 基板レイアウト例（回路例 4 の場合、入力フィルタは除く）
基盤レイアウトは 4 層以上することを推奨します。
nd
rd
また、4 層基盤の場合、層配置は 2 Layer を GND 層、3 Layer を電源層にすることを推奨します。
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●アプリケーション部品選定方法
①出力電圧（Vo1）について
Vo2、Vo3、Vo4 の出力電圧は固定（切替有り）になります。
Vo1 の出力電圧は次式によって決まります。CH1 の帰還基準電圧と RFB1・RFB2 の組み合わせで設定してできます。
なお、抵抗値が小さい場合、電力効率の低下を招きます。RFB1 は Vo1 の位相補償にも影響しますので、十分に考慮してください。
Vo1 = VFB1 ×（ RFB1 + RFB2 ）／ RFB2 [V]
また、Vo1 の出力電圧は Vo2 の出力電圧より+0.5V 以上に設定してください。
例：
Vo2 = 2.8V ならば、Vo1 ≧ 3.3V
Vo2 = 3.3V ならば、Vo1 ≧ 3.8V
②コイル（L1、L4）について
コイルの値は、出力リップル電流に大きく影響します。次式のようにコイルが
大きいほど、また、スイッチング周波数が高いほどリップル電流は下がります。
ΔIL
ΔIL =
Figure 28
（VCC-VOUT）×VOUT
L×VCC×f
[A]
出力リップル電流の適当な設定値は、最大出力電流の 30%程度が目安です。
ΔIL = 0.3×IOUTmax.[A]
L=
（VCC-VOUT）×VOUT
ΔIL×VCC×f
[H]
（ΔIL：出力リップル電流、f：スイッチング周波数）
コイルの定格電流値を超える電流をコイルに流しますと、コイルが磁気飽和を起こし、効率が低下します。
ピーク電流がコイルの定格電流値をこえないよう充分なマージンをもって選定してください。
また、コイルでの損失を少なくし、効率をよくするため、抵抗成分（DCR，ACR）の低いコイルを選定してください。
③ショットキーバリアダイオード（D1）について
・逆耐圧 VR ＞ PVCC1（=VCC）
・許容電流＞出力電流+リップル電流
※推奨は過電流保護値以上
※順方向電圧が小さく、リカバリー時間が速いものを選ぶと高効率が得られます。
④ソフトスタート時間について
ソフトスタートは、起動時のコイル電流の過増と、出力電圧の起動時オーバーシュートを防ぐために必要となります。
VREF×CSS
[sec]
TSS =
ISS(2.5μA Typ.)
VREF：CH1=0.8V（Typ.）、CH3=0.8V（Typ.）、CH3=0.8V（Typ.）、CH4=0.5V（Typ.）
位相定数や出力容量等によっては、出力にオーバーシュートが発生する可能性がありますので、
必ず実機で確認するようにお願い致します。
他電源の起動関係（シーケンス）がある場合には、高精度品（X7R）等をご使用ください。
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⑤入力フィルタについて
入力フィルタを挿入しない場合、入力（+B）変動に対して、出力変動量が周波数 500Hz 以上の領域において大きくなる可能
性がありますので、入力フィルタの挿入を推奨します。入力フィルタを挿入することにより、周波数 500Hz 以上のノイズを除
去できます。周波数と出力変動の関係を下記に示します。
測定条件：+B=12V±2V（sin 波）、Io2=50mA、Io4=100mA
入力フィルタ無し
入力フィルタ有り
Figure 29. 出力変動結果（回路例 2 の場合）
●熱損失について
POWER DISSIPATION : Pd[W]
VQFN32SV5050
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
②ローム実装基板
①単体
0
25
50
75
100
125
150
AMBIENT TEMPERATURE : Ta[℃]
Figure 30. 熱軽減特性
①
IC 単体時
許容損失：0.38 [W]
Ta＝25℃以上では 1℃につき 3.04mW 減じる。
② ローム標準実装時（70mm×70mm×1.6mm ガラスエポキシ 1 層基盤）
許容損失：0.88 [W]
Ta＝25℃以上では 1℃につき 7.04mW 減じる。
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●入出力等価回路図
PVCC1、BOOT1、SW1、PGND1
PVCC4、PGND4、SW4
PVCC1
BOOT1
SW1
PGND1
GND
VCC、VREG50
EN
FB1
VREG50
VCC
VREG50
FB1
GND
GND
COMP1
SS
PVCC
VCC
VREG50
PVCC1
SS1～4
PVCC2
GND
PVCC3
VO2、VO3
RSTO
VO4
VREG50
PVCC2
PVCC4
RSTO
VO2
VO3
VO4
GND
GND
GND
Figure 31. 等価回路図
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●使用上の注意
1) 絶対最大定格について
印加電圧、及び動作温度範囲(Topr)などの絶対最大定格を超えた場合、破壊する恐れがあり、ショートもしくは
オープンなどの破壊モードが特定できませんので、絶対最大定格を超えるような特殊モードが想定される場合には、
ヒューズなどの物理的な安全対策を施すよう検討お願い致します。
2)
電源コネクタの逆接続について
電源コネクタの逆接続により IC が破壊する恐れがあります。逆接破壊保護用として外部に電源と IC の電源端子間に
ダイオードを入れる等の対策を施してください。
3)
電源ラインについて
コイルの逆起電力により回生した電流の戻りが生じるため、回生電流の経路として本 IC の電源－GND ピン直近に
バイパスコンデンサを入れる等の対策をし、容量値は電解コンデンサには低温での容量ぬけが起こることなどを考慮し、
諸特性に問題のないことを十分ご確認のうえ、決定してください。
4)
グランド電位について
GND 端子の電位はいかなる動作状態においても、最低電位になるようにしてください。また、実際に過渡現象を含め
GND 以下の電圧になっている端子がないかご確認ください。
5)
熱設計について
実際の使用状態での許容損失(Pd)を考え、十分マージンを持った熱設計を行ってください。
6)
端子間ショートと誤装着について
セット基板に取り付ける際、IC の向きや位置ずれに十分ご注意ください。誤って取り付けた場合、電源コネクタの
逆接続時と同様 IC が破壊する恐れがあります。また、端子間や端子と電源、グランド間に異物が入るなどして
ショートした場合についても破壊の恐れがあります。
7)
強電磁界中の動作について
強電磁界中でのご使用では、誤動作をする可能性がありますのでご注意ください。
8)
出力－GND 間のコンデンサについて
出力－GND 間に大きなコンデンサを接続されている場合、何らかの要因により VCC が 0V または GND とショート
した時コンデンサに充電された電流が出力に流れ込み破壊する恐れがあります。このような可能性がある場合は、
Vcc に直列に逆流防止のダイオードを挿入することを推奨します。
9)
セット基板での検査ついて
セット基板での検査時に、インピーダンスの低いピンにコンデンサを接続する場合は、IC にストレスがかかる恐れが
あるので 1 工程ごとに必ず放電を行ってください。また検査工程での冶具への着脱時には、必ず電源をオフにしてから
接続し検査を行い、電源をオフにしてから取りはずしてください。さらに静電気対策として、組み立て工程にはアース
を施し、運搬や保存の際には十分ご注意ください。
10) 各入力端子について
本 IC はモノリシック IC であり、各素子間に素子分離のための P+アイソレーションと P 基板を有しています。
この P 層と各素子の N 層とで PN 接合が形成され、各種の寄生素子が構成されます。例えば下図のように抵抗と
トランジスタが端子と接続している場合、抵抗では電位差がグランド(GND)＞(端子 A)の時、トランジスタ(NPN)では
グランド(GND)＞(端子 B)の時、PN 接合が寄生ダイオードとして動作します。さらに、トランジスタ(NPN)では前述の
寄生ダイオードと近傍する他の素子の N 層によって寄生の NPN トランジスタが動作します。IC の構成上、寄生素子は
電位関係によって必然的に形成されます。寄生素子が動作することにより、回路動作の干渉を引き起こし、誤動作、
ひいては破壊の原因となり得ます。したがって、入力端子にグランド (GND；P 基板)より低い電圧を印加するなど、
寄生素子が動作するような使い方をしないよう十分に注意してください。また、IC に電源電圧を印加していない時、
入力端子に電圧を印加しないでください。同様に電源電圧を印加している場合にも、各入力端子は電源電圧以下の電圧
もしくは電気的特性の保証値内としてください。
Figure 32. IC の簡易構造例
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11) アース配線パターンについて
小信号 GND と大電流 GND がある場合、大電流 GND パターンと小信号 GND パターンは分離し、パターン配線の抵抗
分と大電流による電圧変化が小信号 GND の電圧を変化させないように、セットの基準点で一点アースすることを推奨
します。外付け部品の GND の配線パターンも変動しないよう注意してください。
12) サーマルシャットダウン機能
IC を熱破壊から防ぐ為の温度保護回路を内蔵しております。許容損失範囲内でご使用いただきますが、万が一許容損失
を超えた状態が継続するとチップ温度 Tj が上昇し温度保護回路が動作し、全出力と VREG50 を OFF します。その後
チップ温度 Tj が低下すると回路は自動で復帰します。なお、温度保護回路は絶対最大定格を越えた状態となりますの
で、温度保護回路を使用したセット設計等は絶対に避けてください。
13) テストモードについて
SS 端子に 3V 以上の電圧を印加する場合、または TEST 端子に電圧を印加する場合はテストモードに入りますので
ご注意ください。通常使用時 TEST 端子は GND にショートしてください。
14) VREG50 端子について
VREG50 は IC 内部に電圧を供給するための出力です。そのため、他の用途に VREG50 を使用することは推奨しません。
この文書の取り扱いに対して
この文書の日本語版が、正式な仕様書です。この文書の翻訳版は、正式な仕様書を読むための参考としてください。
なお、相違が生じた場合は、正式な仕様書を優先してください。
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●発注形名情報
B
D
8
6
8
2
M
U
V
パッケージ
MUV：VQFN
Part Number
ME 2
包装、フォーミング仕様
M：車載対応
E2：リール状エンボステーピング
●外形寸法図と包装・フォーミング仕様
VQFN032V5050
VQFN32SV5050
5.0 ± 0.1
5.0±0.1
1.0MAX
1PIN MARK
C0.2
3.4±0.1
0.4 ± 0.1
1
8
9
32
16
25
24
0.75
0.5
(0.22)
0.08 S
3.4 ± 0.1
+0.03
0.02 -0.02
S
17
+0.05
0.25 -0.04
(Unit : mm)
●標印図
VQFN32SV5050 (TOP VIEW)
Part Number Marking
BD8682
LOT Number
1PIN MARK
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●改訂履歴
Date
Revision
2012.09.28
001
2012.10.22
002
2013.11.29
003
Changes
新規登録
1 ページ：用途の内容を、誤記修正
1 ページ：回路例 1 に入力フィルタを追加
4 ページ：リバース判定（各ブロック動作説明）の説明文を修正
15 ページ：入力フィルタの注意事項を追記
16 ページ：入力フィルタの注意事項を追記
17 ページ：入力フィルタの注意事項を追記
18 ページ：基盤レイアウトの注意事項を追記
20 ページ：「⑤入力フィルタについて」（アプリケーション部品選定方法）を追記
1 ページ：特徴に AEC-Q100 対応を追記
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ご注意
ローム製品取扱い上の注意事項
1.
極めて高度な信頼性が要求され、その故障や誤動作が人の生命、身体への危険若しくは損害、又はその他の重大な損害
(Note 1)
、航空宇宙機器、原子力制御装置等）（以下「特定用途」という）
の発生に関わるような機器又は装置（医療機器
への本製品のご使用を検討される際は事前にローム営業窓口までご相談くださいますようお願い致します。ロームの文
書による事前の承諾を得ることなく、特定用途に本製品を使用したことによりお客様又は第三者に生じた損害等に関し、
ロームは一切その責任を負いません。
(Note 1) 特定用途となる医療機器分類
日本
USA
EU
CLASSⅢ
CLASSⅡb
CLASSⅢ
CLASSⅣ
CLASSⅢ
中国
Ⅲ類
2.
半導体製品は一定の確率で誤動作や故障が生じる場合があります。万が一、かかる誤動作や故障が生じた場合で
あっても、本製品の不具合により、人の生命、身体、財産への危険又は損害が生じないように、お客様の責任において
次の例に示すようなフェールセーフ設計など安全対策をお願い致します。
①保護回路及び保護装置を設けてシステムとしての安全性を確保する。
②冗長回路等を設けて単一故障では危険が生じないようにシステムとしての安全を確保する。
3.
本製品は、下記に例示するような特殊環境での使用を配慮した設計はなされておりません。従いまして、下記のような
特殊環境での本製品のご使用に関し、ロームは一切その責任を負いません。本製品を下記のような特殊環境でご使用さ
れる際は、お客様におかれまして十分に性能、信頼性等をご確認ください。
①水・油・薬液・有機溶剤等の液体中でのご使用
②直射日光・屋外暴露、塵埃中でのご使用
③潮風、Cl2、H2S、NH3、SO2、NO2 等の腐食性ガスの多い場所でのご使用
④静電気や電磁波の強い環境でのご使用
⑤発熱部品に近接した取付け及び当製品に近接してビニール配線等、可燃物を配置する場合。
⑥本製品を樹脂等で封止、コーティングしてのご使用。
⑦はんだ付けの後に洗浄を行わない場合(無洗浄タイプのフラックスを使用された場合も、残渣の洗浄は確実に
行うことをお薦め致します)、又ははんだ付け後のフラックス洗浄に水又は水溶性洗浄剤をご使用の場合。
⑧結露するような場所でのご使用。
4.
本製品は耐放射線設計はなされておりません。
5.
本製品単体品の評価では予測できない症状・事態を確認するためにも、本製品のご使用にあたってはお客様製品に
実装された状態での評価及び確認をお願い致します。
6.
パルス等の過渡的な負荷（短時間での大きな負荷）が加わる場合は、お客様製品に本製品を実装した状態で必ず
その評価及び確認の実施をお願い致します。また、定常時での負荷条件において定格電力以上の負荷を印加されますと、
本製品の性能又は信頼性が損なわれるおそれがあるため必ず定格電力以下でご使用ください。
7.
許容損失(Pd)は周囲温度(Ta)に合わせてディレーティングしてください。また、密閉された環境下でご使用の場合は、
必ず温度測定を行い、ディレーティングカーブ範囲内であることをご確認ください。
8.
使用温度は納入仕様書に記載の温度範囲内であることをご確認ください。
9.
本資料の記載内容を逸脱して本製品をご使用されたことによって生じた不具合、故障及び事故に関し、ロームは
一切その責任を負いません。
実装及び基板設計上の注意事項
1.
ハロゲン系（塩素系、臭素系等）の活性度の高いフラックスを使用する場合、フラックスの残渣により本製品の性能
又は信頼性への影響が考えられますので、事前にお客様にてご確認ください。
2.
はんだ付けは、リフローはんだを原則とさせて頂きます。なお、フロー方法でのご使用につきましては別途ロームまで
お問い合わせください。
詳細な実装及び基板設計上の注意事項につきましては別途、ロームの実装仕様書をご確認ください。
Notice - SS
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応用回路、外付け回路等に関する注意事項
1.
本製品の外付け回路定数を変更してご使用になる際は静特性のみならず、過渡特性も含め外付け部品及び本製品の
バラツキ等を考慮して十分なマージンをみて決定してください。
2.
本資料に記載された応用回路例やその定数などの情報は、本製品の標準的な動作や使い方を説明するためのもので、
実際に使用する機器での動作を保証するものではありません。従いまして、お客様の機器の設計において、回路や
その定数及びこれらに関連する情報を使用する場合には、外部諸条件を考慮し、お客様の判断と責任において行って
ください。これらの使用に起因しお客様又は第三者に生じた損害に関し、ロームは一切その責任を負いません。
静電気に対する注意事項
本製品は静電気に対して敏感な製品であり、静電放電等により破壊することがあります。取り扱い時や工程での実装時、
保管時において静電気対策を実施の上、絶対最大定格以上の過電圧等が印加されないようにご使用ください。特に乾燥
環境下では静電気が発生しやすくなるため、十分な静電対策を実施ください。
（人体及び設備のアース、帯電物からの
隔離、イオナイザの設置、摩擦防止、温湿度管理、はんだごてのこて先のアース等）
保管・運搬上の注意事項
1.
本製品を下記の環境又は条件で保管されますと性能劣化やはんだ付け性等の性能に影響を与えるおそれがあります
のでこのような環境及び条件での保管は避けてください。
①潮風、Cl2、H2S、NH3、SO2、NO2 等の腐食性ガスの多い場所での保管
②推奨温度、湿度以外での保管
③直射日光や結露する場所での保管
④強い静電気が発生している場所での保管
2.
ロームの推奨保管条件下におきましても、推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性に影響を与える可能性が
あります。推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性を確認した上でご使用頂くことを推奨します。
3.
本製品の運搬、保管の際は梱包箱を正しい向き（梱包箱に表示されている天面方向）で取り扱いください。天面方向が
遵守されずに梱包箱を落下させた場合、製品端子に過度なストレスが印加され、端子曲がり等の不具合が発生する
危険があります。
4.
防湿梱包を開封した後は、規定時間内にご使用ください。規定時間を経過した場合はベーク処置を行った上でご使用
ください。
製品ラベルに関する注意事項
本製品に貼付されている製品ラベルに QR コードが印字されていますが、QR コードはロームの社内管理のみを目的と
したものです。
製品廃棄上の注意事項
本製品を廃棄する際は、専門の産業廃棄物処理業者にて、適切な処置をしてください。
外国為替及び外国貿易法に関する注意事項
本製品は外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物等に該当するおそれがありますので輸出する場合には、ロームに
お問い合わせください。
知的財産権に関する注意事項
1.
本資料に記載された本製品に関する応用回路例、情報及び諸データは、あくまでも一例を示すものであり、これらに
関する第三者の知的財産権及びその他の権利について権利侵害がないことを保証するものではありません。従いまして、
上記第三者の知的財産権侵害の責任、及び本製品の使用により発生するその他の責任に関し、ロームは一切その責任を
負いません。
2.
ロームは、本製品又は本資料に記載された情報について、ローム若しくは第三者が所有又は管理している知的財産権
その他の権利の実施又は利用を、明示的にも黙示的にも、お客様に許諾するものではありません。
その他の注意事項
1.
本資料の全部又は一部をロームの文書による事前の承諾を得ることなく転載又は複製することを固くお断り致します。
2.
本製品をロームの文書による事前の承諾を得ることなく、分解、改造、改変、複製等しないでください。
3.
本製品又は本資料に記載された技術情報を、大量破壊兵器の開発等の目的、軍事利用、あるいはその他軍事用途目的で
使用しないでください。
4.
本資料に記載されている社名及び製品名等の固有名詞は、ローム、ローム関係会社若しくは第三者の商標又は登録商標
です。
Notice - SS
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Datasheet
一般的な注意事項
1.
本製品をご使用になる前に、本資料をよく読み、その内容を十分に理解されるようお願い致します。本資料に記載
される注意事項に反して本製品をご使用されたことによって生じた不具合、故障及び事故に関し、ロームは一切
その責任を負いませんのでご注意願います。
2.
本資料に記載の内容は、本資料発行時点のものであり、予告なく変更することがあります。本製品のご購入及び
ご使用に際しては、事前にローム営業窓口で最新の情報をご確認ください。
3.
ロームは本資料に記載されている情報は誤りがないことを保証するものではありません。万が一、本資料に記載された
情報の誤りによりお客様又は第三者に損害が生じた場合においても、ロームは一切その責任を負いません。
Notice – WE
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