08 Part1

• Contents
Calibration Study
• matrix tune
misc.
• Chamber
前回までのあらすじ
Matrix tuning 5-3 (1)
10 times
E1
…
K1
E3
E2
K2
• Emom, Kmom tuning
• Answer = GOD
• Tune w/ L, S, No Background
• limit … 0次:±1MeV, 1次:オーダー、符号
• initial … 0次:967MeV/1196MeV, 1次:
dummy, その他:0
• -20cm < EXFP < 20cm
• アクセプタンスから外れたイベントにペナル
ティー
•ループの順番を変えた
→HKS側を先にしても同様の結果
10th
Sについては、中心から若干ずれている
(~200keV)が、前より若干細くなった
(s~1.3MeV)。
Matrix tuning 5-3 (2)
Matrix elements vs Magnetic field
par1-par2
matrix element
par3-par1
term
• FPでの規格化は各々の分布について行っている。
par2-par3
Residual vs Magnetic Field
•各Matrixを0%のものに適用。
•各Residualには適当にOffsetをつけてある。
diff=0%
diff=1e-3
注:Rangeが違う
diff=5e-3
diff=1e-2
おまけ
5e-3, 1e-2の運動量Matrixの1次の項だけ1e-3のものに置き換えてみた
明らかに先ほどのものより収束している。
やはり1次だけでも正確なMatrixを知ることが非常に重要。
Matrix tuning 5-4 (1)
10 times
E1
…
K1
E3
E2
K2
• Emom, Kmom tuning
• Answer = GOD
• Tune w/ L, S, No Background
• limit … 0次:±1MeV, 1次:%のオーダーで
limit
• initial … 0次:967MeV/1196MeV, 1次:
dummy, その他:0
• -20cm < EXFP < 20cm
• アクセプタンスから外れたイベントにペナル
ティー
10th
S:
中心からのずれ=~100keV
s~770keV
前回のSummary & Next tuning
• HES & HKSのtuningでは正しい角度、BG free、答えを知っている(Matrixの各項にある程
度の上限、下限を設定)という条件で行ってもスペクトロメータ的に正しい状態には収束し
ない(分解能にして10-3のオーダー)。
• FPの中心部分のみを選べばLが細くなるが、これだとさらにスペクトロメータ的に正しくな
いことが際立つ。
• Sをtuningに入れるとまたピークが広がってしまう。スペクトロメータとしても変。
• 運動量アクセプタンスのペナルティーは劇的な変化は期待できない。
•Matrixの1次の項を知ることは重要であるが、1%の精度でtuningに入れたときにはあまり
効果はなかった
• FPの分布でweightをかけてみる。たとえばXFPの分布で端の方のeventのweightを
大きくしてみる、等。
• 何はともあれとりあえずピークが細くならないものか?
• (今さらだが)バグ?
今週やっていたこと&やろうと思っていること
引越しの準備・・・というのは半分嘘で
• ひたすらDCを動かしていた
• バックグラウンドの作業で手を替え品を替えtuningを走らせていたが進歩なく・・・
とりあえずプログラムのバグを疑ったがうまく動いている(HKS側をGODにし
たときしっかり収束する)
• 現在のinitial matrixは磁場を1%ゆがめたものだが、これはGODからはかけ離れ
ている(前回のミーティング参照)。もう少し磁場のゆがめ方を小さくし、GODに近い
部分から初めてみる。
• そもそもL, Sのピークを見るには初期状態で10-3程度の分解能は必要。現実的な
条件から始めるには初期状態でこれくらいの分解能であっても問題ないはず(という
よりそうでないとこのtuningは成立しない)。
磁場の精度をどの程度知っている必要があるのか?
Next to do
Matrix Tuning
TOSCA Study for HES
Magnets
Resolution improvement
• Try, try, try
• Mapping Document
• HKS TOSCA Map
• Use measured Map
• Modified ED Map
EDC1, 2 Support Design
Sieve Slit Study
FoM Study
• Yield, Resolution Study
• Analysis Tool
• Raster study
• 550 MeV/c case
• ~900 MeV/c case (for Beam Energy Scan)