SH8KA4 30V Nch+Nch Middle Power MOSFET Datasheet l外 形 図 VDSS 30V RDS(on)(Max.) 18.2mΩ ID ±9.0A SOP8 PD 3.0W l特 長 l内 部 回 路 図 1) 低オン抵抗 2) 小型面実装パッケージ(SOP8)で省スペース 3) 鉛フリー対応済み、RoHS準拠 4) ハロゲンフリー l包 装 仕 様 包装形態 l用 途 リールサイズ (mm) スイッチング タイプ テープ幅 (mm) 基本発注単位(個) モーター駆動用 テーピングコード 標印 Embossed Tape 330 12 2500 TB SH8KA4 l 絶 対 最 大 定 格 (Ta = 25°C、特に指定のない限り) <Tr1, Tr2共通> Parameter ドレイン・ソース間電圧 ドレイン電流 (直流) ドレイン電流 (パルス) ゲート・ソース間電圧 アバランシェ電流 (単発) アバランシェエネルギー (単発) 全許容損失 Symbol VDSS ID*1 IDP*2 VGSS IAS*3 EAS*3 PD*1 PD*4 PD*5 PD*4 Tj Tstg トータル 素子 ジャンクション温度 保存温度 Value 30 ±9.0 ±18 ±20 8.0 4.6 3.0 2.0 1.4 1.4 150 -55 ～ +150 Unit V A A V A mJ W ℃ ℃ www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20151008 - Rev.001 SH8KA4 Datasheet l熱 抵 抗 Values Parameter Symbol トータル 熱抵抗 (ジャンクション・外気間) RthJA*4 素子 RthJA*5 トータル Unit Min. Typ. Max. - - 62.5 - - 89.2 - - 89.2 ℃/W l 電 気 的 特 性 (Ta = 25°C) <Tr1, Tr2共通 > Values Parameter ドレイン・ソース 降伏電圧 Symbol Conditions V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 1mA ΔV(BR)DSS ID = 1mA Unit Min. Typ. Max. 30 - - V - 21 - mV/℃ ドレイン・ソース 降伏電圧温度係数 ΔTj ドレイン遮断電流 IDSS VDS = 30V, VGS = 0V - - 1 μA ゲート漏れ電流 IGSS VDS = 0V, VGS = ±20V - - ±100 nA VGS(th) VDS = VGS, ID = 1mA 1.0 - 2.5 V - -3 - mV/℃ VGS = 10V, ID = 9.0A - 14.0 18.2 VGS = 4.5V, ID = 8.0A - 20.0 26.0 RG f = 1MHz, open drain - 3.4 - Ω |Yfs| *6 VDS = 5V, ID = 8.0A 4.6 - - S ゲートしきい値電圧 ゲートしきい値 電圧温度係数 ドレイン・ソース間 オン抵抗 ΔVGS(th) ID = 1mA ΔTj RDS(on)*6 ゲート抵抗 順伝達アドミタンス referenced to 25℃ referenced to 25℃ mΩ *1 Pw ≦ 1s, セラミック基板実装時 (30×30×0.8mm), Tj≦150℃を満たす放熱条件でご使用下さい。 *2 Pw ≦ 10μs, Duty cycle ≦ 1% *3 L ⋍ 0.1mH, V DD = 15V, RG = 25Ω, 開始温度 Tj = 25℃ Fig.3-1,3-2参照 *4 セラミック基板実装時 (30×30×0.8mm) *5 ガラエポ基板実装時 (25×25×0.8mm) *6 パルス www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2/11 20151008 - Rev.001 SH8KA4 Datasheet l 電 気 的 特 性 (Ta = 25°C) <Tr1, Tr2共通 > Values Parameter Symbol Conditions Unit Min. Typ. Max. 入力容量 Ciss VGS = 0V - 640 - 出力容量 Coss VDS = 15V - 110 - 帰還容量 Crss f = 1MHz - 90 - VDD ⋍ 15V,VGS = 10V - 8 - tr*6 ID = 4.5A - 19 - td(off)*6 RL = 3.3Ω - 33 - tf*6 RG = 10Ω - 7 - ターンオン遅延時間 上昇時間 ターンオフ遅延時間 下降時間 td(on)*6 pF ns l ゲ ー ト 電 荷 量 特 性 (Ta = 25°C) <Tr1, Tr2共通> Values Parameter ゲート総電荷量 Symbol Conditions VGS = 10V Qg*6 ゲート･ソース間電荷量 Qgs*6 ゲート･ドレイン間電荷量 Qgd*6 VDD ⋍ 15V ID = 9.0A Unit Min. Typ. Max. - 15.5 - - 7.9 - - 3.1 - - 2.8 - nC VGS = 4.5V l 内 部 ダ イ オ ー ド 特 性 (ソース･ドレイン間) (Ta = 25°C) <Tr1, Tr2共通 > Values Parameter ソース電流(直流) Symbol IS ソース電流(パルス) ISP*2 順方向電圧 VSD*6 Conditions Ta = 25℃ VGS = 0V, IS = 1.67A Unit Min. Typ. Max. - - 1.67 - - 18 - - 1.2 A V www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 3/11 20151008 - Rev.001 SH8KA4 Datasheet l電 気 的 特 性 曲 線 Fig.1 Power Dissipation Derating Curve Fig.2 Maximum Safe Operating Area Fig.3 Normalized Transient Thermal Resistance vs. Pulse Width Fig.4 Single Pulse Maximum Power dissipation www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 4/11 20151008 - Rev.001 SH8KA4 Datasheet l電 気 的 特 性 曲 線 Fig.5 Typical Output Characteristics(I) Fig.6 Typical Output Characteristics(II) Fig.7 Breakdown Voltage vs. Junction Temperature www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 5/11 20151008 - Rev.001 SH8KA4 Datasheet l電 気 的 特 性 曲 線 Fig.8 Typical Transfer Characteristics Fig.9 Gate Threshold Voltage vs. Junction Temperature Fig.10 Forward Transfer Admittance vs. Drain Current www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 6/11 20151008 - Rev.001 SH8KA4 Datasheet l電 気 的 特 性 曲 線 Fig.11 Drain Current Derating Curve Fig.12 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Gate Source Voltage Fig.13 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Junction Temperature www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 7/11 20151008 - Rev.001 SH8KA4 Datasheet l電 気 的 特 性 曲 線 Fig.14 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Drain Current(I) Fig.15 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Drain Current(II) Fig.16 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Drain Current(III) www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 8/11 20151008 - Rev.001 SH8KA4 Datasheet l電 気 的 特 性 曲 線 Fig.17 Typical Capacitance vs. Drain Source Voltage Fig.18 Switching Characteristics Fig.19 Dynamic Input Characteristics Fig.20 Source Current vs. Source Drain Voltage www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 9/11 20151008 - Rev.001 SH8KA4 Datasheet l 測 定 回 路 図 <Tr1, Tr2共通 > 図 1-1 スイッチング時間測定回路 図 1-2 スイッチング波形 図 2-1 ゲート電荷量測定回路 図 2-2 ゲート電荷量波形 図 3-1 L負荷測定回路 図 3-2 アバランシェ波形 l使 用 上 の 注 意 本製品は、帯電性の大きな環境では素子の劣化・破壊の恐れがあるので、取り扱い時には 必ず静電対策を講じてください。 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 10/11 20151008 - Rev.001 SH8KA4 Datasheet l外 形 寸 法 図 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 11/11 20151008 - Rev.001
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