第 9 回研究会「SiC・GaN パワー半導体の加工技術最

The committee for advancement of
（公社）砥粒加工学会研削・研磨盤の高度化（ＧＡＰ）専門委員会
第 9 回研究会
「SiC・GaN パワー半導体の加工技術最前線」
Grinding and Polishing Machine Technology
電気自動車の普及や PC のデータ処理速度向上において，現在半導体
材料として広く使われている Si では，発熱や動作周波数の点からデバイ
ス材料として限界に来ている．そこで，Si に比べオン抵抗が低く動作周波
数の高い SiC や GaN が着目されている．しかしこれらの材料は砥粒として
使われるくらい硬く，その加工は難しい．そこで SiC，GaN の加工に関して
最先端の研究・開発をしている産官学を代表する講師の皆様から最新の
砥粒加工事例を紹介して頂く．
日時：平成 28 年 1 月 18 日（月）10：30∼19：20
場所：日本大学理工学部駿河台キャンパス 1 号館 2 階 121 会議室
東京都千代田区神田駿河台 1-8-14
交通：JR 御茶ノ水駅聖橋口徒歩 1 分
内容：
司会北嶋孝之（防衛大）
10：30∼10：40 「開催挨拶」
GAP 専門委員会委員長由井明紀（防衛大）
10：40∼11：40 「パワーエレクトロニクス用 SiC ウエハの高能率 CMP プロセスの開発」
産業技術総合研究所河田研治氏
11：40∼12：40 昼食
12：40∼13：40 「プラズマ援用研磨法による SiC・GaN の平滑化加工」
大阪大学山村和也氏
13：40∼14：40 「複合加工技術を応用した単結晶 SiC 高能率複合研磨法」
産業技術総合研究所栗田恒雄氏
14：40∼14：50 休憩
14：50∼15：50 「超砥粒による SiC 基板の薄層化と高平坦化加工技術」
岡本工作機械製作所伊東利洋氏
15：50∼16：50 「次世代 SiC，GaN パワーデバイスの量産化に応える研削技術」
ナガセインテグレックス宇野剛史氏
16：50∼17：00 「閉会挨拶」
GAP 専門委員会副委員長笹原弘之（東京農工大）
17：20∼19：20 技術交流会
参加費：20,000 円（講演資料を含む）, 技術交流会：5,000 円．GAP 専門委員会委員は無料です．
申込締切：平成 28 年 1 月 8 日（木）
参加申込および問合せ先：防衛大学校機械システム工学科（GAP 専門委員会庶務幹事）北嶋孝之
TEL：046-841-3810（内 3434），FAX：046-844-5900，E-mail：[email protected]
＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝［連絡票］＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝
ＧＡＰ専門委員会第 9 回研究会参加申込書
氏名
勤務先・所属
参加区分
GAP 専門委員会委員 [
参加内容
オープンシンポジューム [
連絡先
（一般参加の方
のみご記入下さ
い）
一般参加 [
]
技術交流会 [
]
住所
TEL
E-mail
FAX
]
]

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