The committee for advancement of (公社)砥粒加工学会 研削・研磨盤の高度化(GAP)専門委員会 第 9 回研究会 「SiC・GaN パワー半導体の加工技術最前線」 Grinding and Polishing Machine Technology 電気自動車の普及や PC のデータ処理速度向上において,現在半導体 材料として広く使われている Si では,発熱や動作周波数の点からデバイ ス材料として限界に来ている.そこで,Si に比べオン抵抗が低く動作周波 数の高い SiC や GaN が着目されている.しかしこれらの材料は砥粒として 使われるくらい硬く,その加工は難しい.そこで SiC,GaN の加工に関して 最先端の研究・開発をしている産官学を代表する講師の皆様から最新の 砥粒加工事例を紹介して頂く. 日 時:平成 28 年 1 月 18 日(月)10:30∼19:20 場 所:日本大学理工学部駿河台キャンパス 1 号館 2 階 121 会議室 東京都千代田区神田駿河台 1-8-14 交 通:JR 御茶ノ水駅聖橋口徒歩 1 分 内 容: 司会 北嶋孝之(防衛大) 10:30∼10:40 「開催挨拶」 GAP 専門委員会委員長 由井明紀(防衛大) 10:40∼11:40 「パワーエレクトロニクス用 SiC ウエハの高能率 CMP プロセスの開発」 産業技術総合研究所 河田研治 氏 11:40∼12:40 昼 食 12:40∼13:40 「プラズマ援用研磨法による SiC・GaN の平滑化加工」 大阪大学 山村和也 氏 13:40∼14:40 「複合加工技術を応用した単結晶 SiC 高能率複合研磨法」 産業技術総合研究所 栗田恒雄 氏 14:40∼14:50 休 憩 14:50∼15:50 「超砥粒による SiC 基板の薄層化と高平坦化加工技術」 岡本工作機械製作所 伊東利洋 氏 15:50∼16:50 「次世代 SiC,GaN パワーデバイスの量産化に応える研削技術」 ナガセインテグレックス 宇野剛史 氏 16:50∼17:00 「閉会挨拶」 GAP 専門委員会副委員長 笹原弘之(東京農工大) 17:20∼19:20 技術交流会 参加費:20,000 円(講演資料を含む), 技術交流会:5,000 円.GAP 専門委員会委員は無料です. 申込締切:平成 28 年 1 月 8 日(木) 参加申込および問合せ先:防衛大学校 機械システム工学科 (GAP 専門委員会 庶務幹事)北嶋孝之 TEL:046-841-3810(内 3434),FAX:046-844-5900,E-mail:[email protected] ===================[連 絡 票]=================== GAP専門委員会 第 9 回研究会 参加申込書 氏 名 勤務先・所属 参加区分 GAP 専門委員会委員 [ 参加内容 オープンシンポジューム [ 連絡先 (一般参加の方 のみご記入下さ い) 一般参加 [ ] 技術交流会 [ ] 住所 TEL E-mail FAX ] ]
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