Opto-semiconductors Condensed Catalog 独自の光技術による 高感度・高速応答・高機能の 光半導体素子 浜松ホトニクスは、60年間にわたり光技術に取り組む中で、 フォトダイオード・フォトIC・イメージセンサ・LEDなどの光半導体素子に加え、 ミニ分光器などの応用製品を開発・製造してまいりました。 赤外・可視・紫外域やX線・高エネルギーに対応した光半導体素子は、 科学計測・メディカルから通信・民生・車載などの幅広い分野で利用されております。 今後は、これまでに築いた半導体プロセス技術、 実装／パッケージ技術にさらに磨きをかけるとともに、 光技術とMEMS技術を融合したMOEMS (Micro-Opto-Electro-Mechanical Systems)技術によって、 光半導体素子のさらなる高感度化・高速化・高機能化を進めてまいります。 浜松ホトニクス株式会社 代表取締役専務取締役 固体事業部長 山本 晃永 c o n t e n t s 浜松ホトニクス 光半導体素子の応用例・・ 3 - 5 光半導体素子 セレクションガイド・・・・・・・・ 6 - 8 光半導体素子の製造工程／製造技術 ・・・・・ 9 -12 地図、売上高／固体事業部 組織図 ・・・・・・・ 35-36 小型 高機能 高信頼性 MEMS技術 M O E M S 技 術とともに エッチング ナノインプリント 進 化し続 ける MOEMS デバイス 3次元実装技術 光 半 導 体 デ バイス ・半導体微細加工によって 機械部品・光学素子・センサ・ ウエハレベルパッケージを作製 小型・集積化 半導体プロセス技術 アッセンブリ技術 Siプロセス 多様なパッケージ 化合物半導体プロセス 組立 解析 ・広い波長域 （紫外／可視／赤外、X線、高エネルギー） ・汎用／高信頼性パッケージ、 ・高感度、高速応答 ・CMOS回路技術によって 表面実装型、CSP、 フリップチップボンディング ・柔軟なカスタム対応 高機能デバイスを実現 ・少量生産∼量産対応 モジュール技術 光学系 ・最適な光学設計、 シミュレーションを活用 回路 ・アナログ＆デジタル回路、 ASIC、FPGA 光半導体 デバイス ソフトウェア ・各種インターフェースに対応 浜松ホトニクスの光半導体素子 Siフォトダイオード・・・ 13 - 14 Si APD ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 15 - 16 MPPC® ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 17 - 18 フォト IC ・・・・・・・・・・・・・・・・・ 19 - 20 イメージセンサ ・・・・・・・・・・ 21 - 22 可視光センサ (照度センサ)・・・・・・・・ 27 赤外線検出素子 ・・・・・・・・・・ 25 - 26 光通信用デバイス・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 30 フラットパネルセンサ・・・・・・ 23 P SD（位置検出素子）・・・・・・・ 24 カラーセンサ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・28 L E D ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 29 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ 31 - 32 ミニ分光器 光半導体モジュール・・・・・ 33 - 34 浜松ホトニクス 光半導体素子の応用例 医療や科学といった分野から通信・産業・民生まで、幅広い分野で利用されています。 自動車 液晶ディスプレイの色調整 当社の車載用デバイスが 広く使用されています。 （車内ネットワーク、周 囲光量／昼夜検知、雨滴 検知、レーザレーダ、ジョ グダイヤル、歩行者保護、 防眩ミラー用など） 室内照明の明るさと色温度を 検知し、ディスプレイの色調 整をします。 RGBカラーセンサ ©Frank Boston-Fotolia.com X線非破壊検査 X線ラジオグラフィ X線手荷物検査の検出部 に、当社のSiフォトダイ オードが広く使用されて います。 歯科医療用の撮影装置 にCCDエリアイメージ センサが使用されてい ます。 Siフォトダイオードアレイ CCDエリアイメージセンサ 光通信 距離計 光ファイバ通信用と空間 光伝送用の受光／発光デ バイスを用意しています。 距離測定用の測量器 にSi APDやSi PINフ ォト ダ イオ ード が 用 いら れ て い ま す 。当 社は 距離センサも用 意しています。 光通信用デバイス 車載用デバイス Si APD ©Nmedia-Fotolia.com すばる望遠鏡 [提供:国立天文台] フラットパネルセンサ 天体観測 フォトンカウンティング ハワイ／マウナケア山頂のすばる 望遠 鏡の主焦点カメラ（S up r im e Cam/Subaru Prime Focus Camera） に当社の世界最高感度のCCDエリア イメージセンサが搭載されまた。 MPPCは、フォトンカウンティング レベルの微弱光を検出するさまざま な用途に利用することが可能です。 CCDエリアイメージセンサ Applications of HAMAMATSU Opto-semiconductors 半導体製造装置 産業用ロボット 裏面入射型TDI-CCDイメージセンサがウ エハ欠陥検査装置に使用されています。 ロボットの制御用エンコーダに赤外LEDとSi PIN フォトダイオードアレイが用いられています。 赤外LED Si PINフォトダイオードアレイ 裏面入射型TDI-CCDイメージセンサ ©Zoe-Fotolia.com CMSプロジェクト ［提供:CERN研究所］ 高エネルギー物理実験 MPPC スイスの欧州原子核研究機構 （CERN）におけるLHC（Large Hadron Collider：大型ハドロン衝 突加速器）プロジェクトの実験 装置の飛跡検出器として当社製Si ストライプディテクタが使用さ れており、粒子の飛跡を数十 μｍ の精度で検出しています。 Siストライプディテクタ Si APD 光半導体素子 セレクションガイド 高エネルギー粒子 X線 紫外 可視 ポイントセンサ 近赤外 受光素子 赤外 フォトンカウンタ 2次元 イメージセンサ 1次元 分割型 位 位置センサ 非分割型 発光素子 可視 赤外 ［ 製 品 名 ］ ［ 応 用 例 ］ SSD 高エネルギー物理、核医学、産業用計測機器 X線検出用Siフォトダイオード 手荷物検査装置、非破壊検査装置、医用機器 紫外用Siフォトダイオード 公害分析機器、分光光度計、医用機器、紫外線検出器、比色計 ショットキ型GaAsPフォトダイオード 公害分析機器、分光光度計、比色計、紫外線検出器 ショットキ型GaPフォトダイオード 紫外線検出器 補正フィルタ付Siフォトダイオード 照度計、複写機、カラーセンサ 拡散型GaAsPフォトダイオード 照度計、フレームアイ 照度センサ テレビなどの省エネセンサ、 液晶パネルの調光、 携帯電話のバックライトの調光、 各種光量検出 カラーセンサ ディスプレイの色調整、 各種色検出 Siフォトダイオード 光通信機器、 情報機器、 自動制御機器、 民生機器、 自動車用電子装置、 光計測機器、 医用機器、 高エネルギー物理 Si APD (アバランシェ・フォトダイオード) 光通信機器、 情報機器、 自動制御機器、 民生機器、 自動車用電子装置、 光計測機器、 医用機器、 高エネルギー物理 フォトIC 光電スイッチ、OA機器、ロータリーエンコーダ、光ファイバ通信 赤外高感度Siフォトダイオード/Si APD YAGレーザモニタ、近赤外光検出 InGaAs PINフォトダイオード 光通信機器、赤外レーザモニタ、放射温度計、産業用計測機器 PbS/PbSe光導電素子 放射温度計、フレームアイ、水分計、ガス分析計、分光光度計 InSb光導電素子 InSb/InAs/InAsSb光起電力素子 赤外レーザ検出、分光光度計、放射温度計、ガス分析計、FTIR、サーマルイメージング MCT (HgCdTe)光導電素子/光起電力素子 サーマルカメラ、放射温度計、FTIR、ガス分析計、CO 2レーザ検出 フォトンドラッグ検出素子 CO 2レーザ検出 サーモパイル 放射温度計、ガス分析計、フレームアイ MPPC 医用機器、核医学、高エネルギー物理、放射線計測 エリアイメージセンサ 蛍光分光、ラマン分光、科学計測、X線イメージング、近赤外イメージング X線イメージセンサ ラジオグラフィ、非破壊検査装置 フラットパネルセンサ ラジオグラフィ、X線回折装置、非破壊検査装置 リニアイメージセンサ マルチチャンネル分光光度計、スペクトラムアナライザ、光計測機器 フォトダイオードアレイ マルチチャンネル分光光度計、カラーアナライザ、スペクトラムアナライザ、位置検出 分割型フォトダイオード 位置検出 PSD (位置検出素子) 測距装置、変位センサ、レーザ光学機器、自動制御機器、高エネルギー物理 赤色LED 光電スイッチ、光ファイバ通信 赤外LED 光電スイッチ、計測器の光源、光通信機器、自動制御機器、ロータリーエンコーダ Selection Guide of HAMAMATSU Opto-semiconductors ミニ分光器、フォトセンサアンプ、 モジュール APDモジュール、距離センサなど 波長別セレクションガイド 波長 紫外 可視 0.2 0.4 0.6 近赤外 0.8 1 中赤外 2 4 6 Si GaAsP GaP InGaAs 受光素子 PbS PbSe InAs InAsSb InSb MCT サーモパイル 発光素子 GaAs LED GaAlAs LED AIGalnP LED 8 10 20( m) 光半導体素子の製造工程 ●新製品の設計 ●特注品の設計 設計 エピタキシャル成長工程 [ 化合物光半導体素子の工程例 ] ［特注の例］ ●電気的／光学的特性 ●受光面サイズ ●素子数 ●パッケージ ●信頼性 MBE装置による超高真空下の薄膜結晶の形成 プロセス工程 [ Siフォトダイオードの工程例 ] 薄膜形成 パターン形成 MOCVD装置による薄膜結晶の形成 パターン加工 レジスト フォトマスク SiO 2 Si SiO 2 レジスト Si SiO 2 Si Siウエハ（プロセス工程前） 酸化炉、CVDによってウエハ上に薄 膜を形成 フォトリソグラフィ技術でデバイス パターンを転写 ウエハ上の薄膜を選択エッチング 製 造 技 術 半導体プロセス技術 当社独自のプロセス技術を用いて、さまざまな光半導体素子を製造しています。 ● PINバイポーラプロセス ● PINフォトダイオードと高速信号処理回路を1チップに集積して、 高速のフォトダイオードを実現します。 ● CMOSプロセス 裏面入射CCDプロセス 極薄の受光層をもった裏面入射型CCDエリアイメージセンサは、 超高感度・低暗電流を実現しています。 ● 化合物プロセス 回路機能を受光デバイスと一体化することにより、システムの高性能 化、多機能化、低コスト化に貢献します。 MBE、MOCVD、ドライエッチング技術などの精密加工に対応した 化合物半導体プロセス技術を利用し、光通信や分析・計測などに 用いられる高性能デバイスを開発しています。 CMOSプロセスを用いた製品例 化合物プロセスを用いた製品 デジタルカラーセンサ CMOSイメージセンサ InGaAs APD InGaAs リニアイメージセンサ 本社工場（市野） イオン注入 検査 電極形成 イオン メタル SiO 2 Si メタル SiO 2 SiO 2 Si 拡散層 Si 拡散層 拡散層 アッセンブリ工程へ ウエハ中にドーピング不純物を注入 メタル電極・配線を形成 ウエハ状態におけるデバイスの電気 的・光学的検査 MEMS技術 さまざまなMEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems)技術を用いて高機能の光半導体素子を開発しています。 ● エッチング ● ナノインプリント エッチングは、半導体プロセス技 術の基本的な技術ですが、MEMS 技術では、従来からの技術に加え て異方性エッチングや犠牲層エッ チングといった技術があり、従来の 光半導体素子では実現できなかっ た機能をもたせることができます。 ナノインプリントは、ナノ メータレベルの微細構造を 高スループットで作成する 技術です。当社ではナノイン プリントによって、グレー ティングのような微細な光 学部品を作成しています。 異方性エッチングによるV溝 犠牲層エッチングによる アクチュエータ ● 3次元実装技術 3次元実装技術は、3次元の電気接続構造を実現するための電極技術、ウ エハレベルパッケージを実現する接合技術に大別されます。電極技術 は、光半導体素子の高機能化・小型化を実現するために重要な技術で、 デバイス裏面から電極を取り出すためのSi貫通電極、異種材料の電気接 続を実現する狭ピッチバンプやフリップチップボンディングがあります。 接合技術には、陽極接合・常温接合といった、接着剤を用いない接合方法 があり、デバイスに直接ふたをして、超小型パッケージを実現します。 ナノインプリントの例 20 μmピッチのInバンプ電極 アセンブリ工程 ダイボンド ［工程例］ ダイシング メタルパッケージ ブレードダイシング メタルベースにチップを接着 ダイボンド セラミックパッケージ 円形回転刃によってウエハを切断 ステルスダイシング セラミックベースにチップを接着 ダイボンド プラスチックパッケージ ウエハ内部にレーザを照射して切断 リードフレームにチップを接着 ダイシング バンプ形成 ブレードダイシング チップサイズパッケージ または ステルスダイシング ウエハ上に金バンプを形成 製 造 技 術 実装／パッケージ技術 市場のさまざまなニーズに応えるため、当社は多様なパッケージを用意していま す。メタルパッケージは高信頼性を必要とされる用途で広く使われています。一般 的な用途にはセラミックパッケージ、低コストが要求される用途にはプラスチック パッケージが使われています。この他に、角型メタルパッケージや表面実装に対応 したパッケージ、小型・薄型パッケージも豊富に取り揃えています。さらに、フォト ダイオードにシンチレータを組み合わせたX線や放射線用のセンサも用意してい ます。 三家工場 (アッセンブリ専用工場) 新貝工場 (アッセンブリ専用工場) みつえ TO-CANメタル 11 角型メタル セラミック 表面実装型セラミック ワイヤボンド キャップ溶接 検査 電気的／光学的検査 メタルパッケージ検査装置 メタルベースとチップを金線で接続 メタルベースにメタルキャップを溶接 ワイヤボンド 樹脂充填 セラミックベースとチップを金線で接続 セラミックベースに樹脂を充填 ワイヤボンド プラスチックパッケージ検査装置 電気的／光学的特性を検査 します。 樹脂モールド、トリム&フォーム 外観検査 外観検査装置 リードフレームとチップを金線で接続 リードフレームとチップを樹脂で封止 フリップチップボンド アンダーフィル充填 バンプ付きのチップを裏返して (フリップ)、基板に超音波接合 ガラスエポキシ基板 シンチレータ付き 基板とチップの間に樹脂を充填 プラスチック チップサイズパッケージ フレキシブルケーブル付き X線＆外観検査装置 完成品の外観検査をします。 長 尺タイプ フリップチップボンディング 12 [Siフォトダイオード] S i P H O T O D I O D E 幅広い用途に対応する多彩な製品ラインアップ Siフォトダイオードは、光ファイバ通信・カメラ・複写機・分析機器から手荷物検査まで幅広い用途に用いられ ます。メタル、セラミック、プラスチックパッケージから表面実装型まで幅広いパッケージに対応しています。 1 Siフォトダイオード 2 Si PINフォトダイオード 4 プリアンプ付Siフォトダイオード 5 電子冷却型 Siフォトダイオード 特 長 3 多素子型Siフォトダイオード 6 X線検出用Siフォトダイオード 主な用途 ● 入射光に対して優れた直線性 ● 分析機器 ● 低ノイズ ● 一般測光 ● 広い感度波長範囲 ● 手荷物検査 ● 機械的強度が高い ● 光ファイバ通信 ● 小型・軽量 ● 長寿命 ■ 分光感度特性 (代表例) S1226/S1336-8BQ, S1227/S1337-1010BR (Typ. Ta=25 ºC) 0.8 S1336-8BQ ĩটٸȡ߃֖ٸဥĪ 0.6 ۜഽ (A/W) 0.4 0.3 0 200 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 ෨ಿ (nm) 0.4 0.3 S9219 (ণۜഽ༞ୃΗͼί) 0 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 ෨ಿ (nm) KSPDB0300JC 13 S3590-19 (টࣞۜഽΗͼί) 0.1 S1227-1010BR (ۜٸഽဲଷΗͼί) 400 0.5 0.2 S1226-8BQ (ۜٸഽဲଷΗͼί) 300 S3759 (YAGτȜΎဥ) 0.6 0.5 0.1 QE=100% 0.7 S1337-1010BR ĩটٸȡ߃֖ٸဥĪ 0.2 (Typ. Ta=25 ºC) 0.8 QE=100% 0.7 ۜഽ (A/W) S3590-19, S3759, S9219 KSPDB0301JB S i P H O T O D I O D E 製品ラインアップ 分類 製品例 1 Siフォトダイオード ■ 紫外～近赤外域用 ■ 可視域用 ■ 真空紫外 (VUV)検出用 ■ 電子線検出器用 ■ 可視～近赤外域用 ■ RGBカラーセンサ ■ 単一波長用 2 Si PINフォトダイオード ■ 遮断周波数: 1 GHz～ ■ 遮断周波数: 100 MHz～ ■ 赤外高感度 ■ 遮断周波数: 500 MHz～ ■ 遮断周波数: 10 MHz～ ■ YAGレーザ検出用 3 多素子型Siフォトダイオード ■ 分割型フォトダイオード ■ 1次元、2次元フォトダイオードアレイ 4 プリアンプ付Siフォトダイオード 5 電子冷却型Siフォトダイオード 6 X線検出用Siフォトダイオード ■ 分析／計測用 ■ シンチレータ付 ■ 大面積型 フォトダイオードモジュール フォトダイオードを容易に使用していただくための各種モジュー ルを用意しています。 製品名 特徴 フォトダイオードモジュール SiフォトダイオードまたはInGaAsフォトダイオードと電流－電圧変換アンプを一体化した 高精度な光検出器です。専用のコントローラも用意しています (別売)。 フォトセンサアンプ フォトダイオードの微弱な光電流を極めて低ノイズで検出できる電流－電圧変換アンプ です。 MEMS技術により近赤外感度を向上させたSi PINフォトダイオード ■ 分光感度特性例 MEMS技術の微細加工により近赤外域にお いて高感度を実現したフォトダイオードで す。従来では実現が難しかった近赤外域にお ける高速・高感度を併せもっています。 QE=100% 0.6 ۜഽ (A/W) 赤外高感度Si PINフォトダイオード (Typ. Ta=25 °C) 0.8 0.4 ਲြΗͼί 0.2 ۜࣞٸഽ Si PINέΠΘͼȜΡ S11499ΏςȜΒ 0 200 400 600 800 ෨ಿ (nm) 1000 1200 KPINB0374JC 14 [Si APD] S i A P D 内部増倍機能をもった高速・高感度なフォトダイオード APD (アバランシェ・フォトダイオード)は、逆バイアスを印加することにより光電流が増倍される高速・高感度 なフォトダイオードです。PINフォトダイオードに比べて高いS/Nが得られるため、光波距離計・空間光伝送・シ ンチレータ光検出など幅広い用途で利用されます。 1 短波長タイプ 2 近赤外タイプ 主な用途 特 長 ● 入射光に対する直線性が優れている ● 微弱光検出 ● 低ノイズ ● 分析機器 ● 広い感度波長範囲 ● 空間光伝送 ● 機械的強度が高い ● 光波距離計 ● 小型・軽量 ● 光ファイバ通信 ● 長寿命 ● レーザレーダ ● YAGレーザ検出 ■ 分光感度特性 50 (Typ. Ta=25 ˚C, M=50, λ=650 nm) 45 受光感度 (A/W) 短波長タイプ (低バイアス動作) 短波長タイプ 20 (低端子間容量) 0.5 mmで比較) 1000 近赤外タイプ 低バイアス動作 低温度係数 800 近赤外タイプ (低温度係数) 35 25 高 近赤外タイプ (低バイアス動作) 40 30 (受光面サイズ 近赤外タイプ (1000 nm帯／高感度) 遮断周波数 (MHz) 55 ■ 遮断周波数－推奨波長 近赤外タイプ (1000 nm帯／高感度) 短波長タイプ (低端子間容量) 600 近赤外タイプ 900 nm帯、 低端子間容量 短波長タイプ (低バイアス動作) 400 15 5 0 200 200 近赤外タイプ (900 nm帯、 低端子間容量) 10 低 0 400 600 800 1000 200 1200 600 800 1000 1200 波長 (nm) 波長 (nm) KAPDB0096JG 15 400 KAPDB0162JD S i A P D 製品ラインアップ タイプ 推奨波長 パッケージ 低バイアス動作 200～650 nm メタル 低端子間容量 320～650 nm メタル、 セラミック 紫外～可視域の感度を向上させたタイプ 1 短波長タイプ メタル 低バイアス動作 2 近赤外タイプ 特徴 600～800 nm 表面実装型 近赤外域で感度が高く、バイアス電圧 (動作電圧)の低いタイプ 小型・薄型、低価格 低温度係数 600～800 nm メタル バイアス電圧の温度係数が低く、増倍率の調整が容易 900 nm帯、 低端子間容量 800～1000 nm メタル 900 nm帯の感度を向上させたタイプ 1000 nm帯、 高感度 900～1150 nm メタル 1000 nm帯の感度を向上させたバイアス電圧 (動作電圧) の低いタイプ APDモジュール APD ・低ノイズ増幅器・バイアス電源をコンパクトな外 形にまとめたモジュールです。 タイプ 標準タイプ 特徴 ■ 感度と応答速度 (APDモジュール) 近赤外タイプ・短波長タイプのAPDを内蔵。 FC／SMAファイバアダプタも用意。 IJı ĺ ńIJijĸıĴĮıIJ ŅńȡIJııġŬʼnŻ ĮIJįĶġ×ġIJı ĹġŗİŘ 高感度タイプ 高安定タイプ 低照度光検出用の高ゲインタイプ デジタル温度補償タイプの高安定APDモジュール 高速タイプ 広帯域周波数 (～1 GHz)において使用可能 電子冷却型 微弱光検出用の高感度タイプ。 電子冷却により安定度を大幅に向上。 ۜġഽġĩŗİŘĪġ୲చ IJı Ĺ ńIJıĶıĹĮıIJ IJıĸ ŅńȡIJıġŎʼnŻ ijįĶġ×ġIJı ķġȡġIJįijĶġ×ġIJıĸġŗİŘ ńIJijĸıĴ ŅńȡIJıġŎʼnŻ IJįĶġ×ġIJı ķġŗİŘ IJı ķ ńĶķĶĹ ĶıġŬʼnŻȡIJġňʼnŻ ijįĶġ×ġIJı ĶġŗİŘ IJı Ķ ńIJijĸıijΏςȜΒ ࿂ͼΒȆ෨ಿͤ͢ͅ ĵਅ႒ͬဥփ ĵġŬʼnŻȡIJııġŎʼnŻ ĮIJġ×ġIJı ĵġŗİŘ IJıĵ IJı Ĵ Ņń IJı IJıı IJġŬ IJıġŬ IJııġŬ IJġŎ IJıġŎ IJııġŎ IJġň ؊൞௸ഽġĩʼnŻĪ KACCB0115JF 16 [MPPC®] M U LT I - P I X E L P H O T O N C O U N T E R 優れたフォトンカウンティング能力をもつ小型の光半導体素子 MPPC (Multi-Pixel Photon Counter)は、複数のガイガーモードAPDのピクセルから成る、 新しいタイプのフォトンカウンティング・デバイスです。優れたフォトンカウンティング能力を もち、低電圧動作で磁場の影響を受けない小型の光半導体素子です。 2 MPPCアレイ 3 MPPCモジュール 1 精密測光用 (シングルタイプ) 主な用途 特 長 ● 優れたフォトンカウンティング能力 5～ ● 高い増倍率: 10 10 ● 蛍光分析、蛍光寿命計測 6 ● バイオフローサイトメトリ ● 低電圧 (100 V以下)で動作 ● 共焦点顕微鏡 ● 磁場の影響を受けない ● バイオ／化学センサ ● 簡単な読み出し回路で動作 ● 生物ルミネッセンス分析 ● 低アフターパルス (従来品比較) ● 単一分子検出 ● 優れた時間分解能 ● PET ● 常温で動作 ● シンチレータ光検出 MPPC とは? MPPC は、 Si-PM(silicon photomultiplier)と呼ばれるデバ イスの 1 種で、個別に動作する複数のガイガーモード APD ピクセルから成るフォトンカウンティング・デバイスで す。 MPPC の APD ピクセルは、フォトンを検出した場合 にパルス信号を出力し、 MPPC の信号出力は全 APD ピク セルの出力の総和になります。 MPPC は、フォトンカウンティングにおいて必要とされる性能を高いレベルで実現 しており、フォトンカウンティングレベルの微弱光を検出するさまざまな用途に利 用することが可能です。 R 17 M U L T I - P I X E L P H O T O N C O U N T E R 製品ラインアップ タイプ 特徴 1 精密測光用 (シングルタイプ) 低ノイズを実現した精密測光用のMPPCです。高検出効率、低クロストーク、低アフターパ ルスを実現しています。低ノイズ特性が要求されるフローサイトメトリ、DNAシーケンサ、 レーザ顕微鏡、蛍光計測などの精密計測に適しています。 セラミックパッケージと表面実装型を用意しています。 2 MPPCアレイ MPPCチップを複数配列したアレイ型のMPPCです。CSP (Chip Size Package)タイプは、 タイリングにより大面積化が可能で、シンチレータなどとのカップリングが効率よく行えます。 3 MPPCモジュール MPPCモジュールは、MPPCを内蔵した光計測モジュールです。フォトンカウンティング領 域からnW領域までの広い光量範囲 (10桁)において計測が可能です。温度補償機能を搭載 し、安定した計測が可能な非冷却型モジュールと、低ダークカウントを実現した冷却型モ ジュールを用意しています。 ■ MPPCモジュールの測定可能な入射光量範囲 (製品例) (λ=450 nm) C11209-110 ႖߿ݕȟ10 μmάΛΙ ͺυΈႁ C13094 ΏςȜΒ ႖߿ݕȟ50 μmάΛΙ Ηͼί C13092 ΏςȜΒ ഩঊ႖߿ݕȟ50 μmάΛΙ C13091 ΏςȜΒ ഩঊ႖߿ݕȟ50 μm ΟΐΗσႁ Ηͼί C13001-01 ഩঊ႖߿ݕȟΏϋΈσά·ΓσġĩέͼΨΛίςϋΈΗͼίĪ C13090 ΏςȜΒ USBͼϋΗȜέͿȜΑ ΑΗȜΗȜ΅ΛΠ වৣέΠϋତ (cps) වৣၾ (˳) 100 10-18 102 104 10-15 106 10-12 108 1010 10-9 1012 10-6 KACCC0769JA 18 [フォトIC] P H O T O I C フォトダイオードと信号処理回路を一体化した高機能素子 フォト IC は、受光部と信号処理回路が 1 つのパッケージに組み込まれた、さまざまな機能をもった受光素子 です。 2 光変調型フォトIC 3 照度センサ 1 シュミットトリガ回路フォトIC 4 カラーセンサ 5 光リンク用フォトIC 7 光電スイッチ用 フォトIC 8 レーザビーム 同期検出用 フォトIC 9 フォトトランジスタ 6 エンコーダ用フォトIC／ モジュール 特 長 主な用途 ● 小型・軽量 ● OA機器の紙検出 ● 電磁誘導ノイズに強い ● 光電スイッチ ● 高信頼性 ● 液晶パネル、大画面テレビなどの調光 ● ディスプレイの色調整 ● プラスチック光ファイバ通信 ● エンコーダ 浜松ホトニクスのフォトIC技術 ● カスタム対応によりアプリケーションに 高度なニーズにも対応可能 高リニアリティ、低ノイズ 広ダイナミックレンジ ●デジタルノイズを最小限に ● 最適な光センサを実現 ● ● IC設計技術・CMOS回路技術・光デバイス アナログ信号 処理回路 技術・パッケージ技術を一体化 ● 多機能を集積して小型化を実現 外部回路 ・最小ハードウェア ・最小ソフトウェア 受光部 デジタル信号 処理回路 分光感度などニーズに 合わせた特性を実現 ● 外部入出力端子を 簡素化 ● フォトIC 19 インター フェース 使いやすさを実現 ● ●外部回路の簡略化で トータルコストを低減 P H O T O I C 製品ラインアップ タイプ 1 出力 シュミットトリガ回路 フォトIC 2 光変調型フォトIC 特徴 デジタル フォトダイオード、アンプ、シュミットトリガ回路、 出力トランジスタなどを1チップに集積 デジタル 光同期検出方式を採用し、外乱光下で安定した出力 汎用フォトIC 3 照度センサ 4 カラーセンサ 5 光リンク用フォトIC アナログ／ デジタル デジタル デジタル (送信フォトIC) 視感度に近い分光感度特性 Red、Green、Blueにそれぞれ感度をもったカラーセンサ プラスチック光ファイバ通信用の送信／受信フォトIC MOSTネットワーク用の送信／受信フォトIC エンコーダ用 フォトIC／モジュール デジタル 4素子フォトダイオードを内蔵。2相デジタル出力が得ら れエンコーダを容易に構成可能。 7 光電スイッチ用フォトIC デジタル 産業用の光電スイッチに必要な機能を盛り込んだフォト IC レーザビーム同期検出用 フォトIC デジタル レーザビームプリンタやデジタル複写機における、 レーザビームの印字開始タイミングを検出 アナログ 光入射によって発生する光電流を増幅して出力するセンサ。 小さな受光面で大きい電流出力を得ることが可能。 6 特定用途向け フォトIC 8 9 フォトトランジスタ ■ 応用例 浜松ホトニクスのフォトICは、さまざまな所で使用されています。 自動改札: 通過者検知 光変調型フォトIC エアコン: 明暗検知 時計: 明暗検知 照度センサ (フォトICダイオード) 照度センサ (フォトICダイオード) 工場 安全装置 光変調型フォトIC、 光電スイッチ用フォトIC 製品の通過検知 光変調型フォトIC、 光電スイッチ用フォトIC デジタル複写機、デジタル複合機 ミラー・レンズ位置制御 エンコーダ用フォトIC／モジュール ソーター部の紙の取り残し検出 光変調型フォトIC カラートナーの濃度検出 デジタルカラーセンサ 表示部のバックライト輝度調整 照度センサ (フォトICダイオード) 原稿サイズの検出 光変調型フォトIC 信号伝送 光リンク用送信／受信フォトIC ドラムへの書き込み用レーザの原点位置検出 レーザビーム同期検出用フォトIC 用紙残量の検出 光変調型フォトIC 自動販売機: 明暗検知 ボイラー: フレームアイ 照度センサ (フォトICダイオード) 照度センサ (フォトICダイオード) 自動照明装置: 明暗検知 自動手洗機: 手の検知 照度センサ (フォトICダイオード) 光変調型フォトIC 大型テレビ: 明暗検知 照度センサ (フォトICダイオード) 20 [イメージセンサ] I M A G E S E N S O R 幅広いラインアップの計測用イメージセンサ 2.6 μmの近赤外域 (NIR)から、可視、紫外、真空紫外 (VUV)、軟X線、さらには数百keVの硬X線までの 広いエネルギー／波長範囲に対応したイメージセンサを用意しています。 2 裏面入射型CCDエリア／リニアイメージセンサ 1 表面入射型CCDエリア／リニアイメージセンサ 4 CMOSリニア／エリア イメージセンサ 3 NMOSリニアイメージセンサ 5 測距リニア／エリア イメージセンサ 6 InGaAsリニア／エリアイメージセンサ 8 X線イメージセンサ 7 アンプ付フォトダイオードアレイ 特 長 主な用途 ● さまざまな波長に対応したラインアップ ● 分光分析 ● X線イメージング ● 科学計測 ● 障害物検知 ● 近赤外分光分析 ● セキュリティ ■ 検出可能なエネルギー／感度波長範囲の例 InGaAsςΣͺ ͼιȜΐΓϋ (ಿ෨ಿΗͼί) InGaAs ςΣͺ/ςͺ ͼιȜΐΓϋ ෨ಿ [nm] = 1240 ௶ݻ ͼιȜΐΓϋ έΠϋΥσΆȜ [eV] CMOSςͺ ͼιȜΐΓϋ CMOSςΣͺ ͼιȜΐΓϋ NMOSςΣͺͼιȜΐΓϋ (ௗ̱̈́Ηͼί) NMOSςΣͺ ͼιȜΐΓϋ ၔ࿂වৣ߿CCD ၔ࿂වৣ߿CCD (ௗ̱̈́Ηͼί) XͼιȜΐϋΈဥCCD ນ࿂වৣ߿CCD (ௗ̱̈́Ηͼί) ນ࿂වৣ߿CCD έρΛΠΩΥσΓϋ 1 MeV 100 keV 10 keV 1 keV 100 eV 10 eV 1 eV 0.1 eV έΠϋ ΥσΆȜ ෨ಿ 0.01 nm 0.1 nm 1 nm 10 nm 100 nm 1 µm 10 µm KMPDC0105JH 21 I M A G E S E N S O R 製品ラインアップ 製品名 特徴 ラインアップ 低暗電流・低ノイズのイメージセンサで す。 ■ 分光分析用 ■ 科学計測用 可視域から真空紫外域まで高い量子効率 を実現したイメージセンサです。 ■ 分光分析用 電子シャッタ内蔵タイプ、 高解像度タイプ、低エタロニング タイプ、大飽和電荷量タイプ、 赤外高感度タイプ、ICP分光分析用 ■ 科学計測用 ■ TDI-CCDエリアイメージセンサ ■ 完全空乏型CCDエリアイメージセンサ 3 NMOSリニアイメージセンサ 紫外感度が高く、出力直線性が優れてい るため精密測光に適しています。 ■ 電流出力タイプ (標準タイプ) ■ 電流出力タイプ (赤外高感度タイプ) ■ 電圧出力タイプ 4 CMOSリニアイメージセンサ 信号処理回路を内蔵したイメージセンサ です。低消費電力や装置の小型化が必要 な用途に適しています。 ■ 標準タイプ ■ 蓄積時間可変タイプ ■ 高速読み出しタイプ ■ 高感度タイプ ■ デジタル出力タイプ 4 CMOSエリアイメージセンサ 近赤外域で高感度を実現したAPSタイプ のCMOSエリアイメージセンサです。 ■ SXGAタイプ ■ VGAタイプ 5 測距リニア／エリアイメージセンサ TOF方式で対象物までの距離を測定する センサです。パルス変調した光源と組み 合わせて使用し、発光・受光タイミング の位相差情報を出力します。 ■ 測距リニアイメージセンサ ■ 測距エリアイメージセンサ 6 InGaAsリニア／エリアイメージセンサ 近赤外域用のイメージセンサです。 CMOS IC内蔵により、取り扱いが容易に なっています。 ■ 近赤外分光分析用 ■ DWDMモニタ用 ■ 近赤外画像検出用 7 アンプ付フォトダイオードアレイ Siフォトダイオードアレイと信号処理IC を組み合わせたセンサです。複数配列に よって、長尺イメージセンサを構成する ことができます。 ■ 長尺タイプ ■ 非破壊検査用 8 X線イメージセンサ FOS (X線シンチレータ付FOP)や蛍光紙 と組み合わせて使用することにより、高 品質 X 線画像の撮像が可能なイメージセ ンサ／フォトダイオードアレイです。 ■ X線ラジオグラフィ用 CCD/CMOSエリアイメージセンサ ■ TDI-CCDエリアイメージセンサ ■ 非破壊検査用 アンプ付フォトダイオードアレイ 2 表面入射型 CCDエリア／リニアイメージセンサ 裏面入射型 CCDエリア／リニアイメージセンサ ( 1 ( ■ 分光感度特性 (代表例) CCDエリアイメージセンサ (窓なし) InGaAsリニアイメージセンサ ĩŕźűįġŕŢľijĶġ°ńĪ IJıı ĺı ၔ࿂වৣ߿ ၔ࿂වৣ߿ ĩটۜࣞٸഽĪ ķı ۜഽġĩłİŘĪ ၾঊ࢘ၚġĩĦĪ Ĺı ĸı Ķı ນ࿂වৣ߿ ĵı Ĵı ijı IJįı ŕťľijĶġ°ń ňĺijıķĮijĶķŘ ŕťľĮIJıġ°ń ŕťľĮijıġ°ń ňĺijıĶĮijĶķŘ ňĺijıIJȡňĺijıĵİ ňĺijIJIJȡňĺijIJĵİ ňĺĵĺĵΏςȜΒ ňĺijıĸĮijĶķŘ ňĺijıĹĮijĶķŘ ňIJIJIJĴĶΏςȜΒ ňIJIJķijıΏςȜΒ ıįĶ ນ࿂වৣ߿ ĩ߃ۜࣞٸഽĪ IJı ı ijıı ĩŕźűįĪ 1.5 ĵıı ķıı Ĺıı ෨ಿġĩůŮĪ IJııı IJijıı KMPDB0276JB ı ıįĶ IJįı IJįĶ ijįı ෨ಿġĩµŮĪ ijįĶ Ĵįı KMIRB0068JC 22 [フラットパネルセンサ] F L A T P A N E L S E N S O R 高分解能・高品位のX線画像をリアルタイムに取得 フラットパネルセンサは、高分解能・高品位の X 線画像をリアルタイムにとらえることができるデジタル X 線 イメージセンサです。センサボードとコントロールボードから構成され、コンパクトで薄型の設計となって います。 1 ラジオグラフィ用 (回転型) 3 ラジオグラフィ用 (X線回折) 2 ラジオグラフィ用 (生化学) 主な用途 ● CTイメージング／パノラマイメージング バイオケミカルイメージングなど ● ラジオグラフィ ● X線回折装置 ● 非破壊検査 製品ラインアップ タイプ 1 ラジオグラフィ用 (回転型) 23 画素サイズ (μm) 100 受光面サイズ フレームレート (フレーム/s) [(H) × (V) cm] 12 × 12 17 ～ 280 10 × 7 30 ～ 265 15 × 0.6 300 特徴 CTイメージングやパノラマイメージング に適した高速・高感度タイプ。 システム組み込み用 (ケースなし)。 2 ラジオグラフィ用 (生化学) 50 5 × 5 ～ 12 × 12 1～4 低エネルギーのX線に対応したタイプ。 17 keVのMoターゲットX線源に対応して います。 3 ラジオグラフィ用 (X線回折) 50 5 × 5 ～ 12 × 12 3 アクティブピクセル方式採用の低ノイズ タイプ。18 keV以下のX線に対応してい ます。 [PSD (位置検出素子)] P O S I T I O N S E N S I T I V E D E T E C T O R 距離・角度測定に用いられるスポット光の位置センサ PSDはフォトダイオードの表面抵抗を利用した非分割型の受光素子です。連続した電気信号が得られ、位置分解能、 応答性、信頼性に優れています。 1 1次元PSD 2 2次元PSD 主な用途 特 長 ● 優れた位置分解能 ● 位置・角度の測定 ● 広い感度波長範囲 ● 歪み・振動の測定 ● 高速応答 ● 測距装置 ● スポット光の光強度と光量重心位置を同時に検出 ● 光電スイッチ ● 高信頼性 ● レーザ変位計などの精密測定 製品ラインアップ タイプ ラインアップ 近赤外光の検出に適した可視光カットタイプ 赤外高感度タイプ 1 1次元PSD レーザダイオードなどの微小スポット光の検出用 受光面長が30 mmを超える長尺型 2 2次元PSD 高速応答・低暗電流・優れた位置検出特性のタイプ 24 [赤外線検出素子] I N F R A R E D D E T E C T 波長域に合わせた製品ラインアップ 赤外線検出素子は、計測・分析・工業・農業・医学・理化学・天文学・通信・ 宇宙などの分野に幅広く利用されています。 3 InSb光導電素子／光起電力素子、 InAsSb光起電力素子、InAs光起電力素子、 MCT (HgCdTe)光導電素子／光起電力素子 2 PbS光導電素子、 PbSe光導電素子 1 InGaAs PINフォトダイオード 4 サーモパイル 5 複合素子 6 フォトンドラッグ検出素子 ■分光感度特性 (代表例) 1014 ܳഩႁளঊ ൵ഩளঊ Si߿ளঊ 1013 ౣ෨ಿࣞۜഽΗͼίInGaAs (25 ˚C) ಿ෨ಿΗͼίInGaAs (-196 ˚C) D* (cm · Hz1/2/W) 1012 PbS (-20 ˚C) InAs (-196 ˚C) PbS (25 ˚C) 1011 MCT (-196 ˚C) InSb (-196 ˚C) MCT (-196 ˚C) InAsSb (-196 ˚C) 1010 MCT (-196 ˚C) ಿ෨ಿΗͼίInGaAs (25 ˚C) 109 MCT (-60 ˚C) Si (25 ˚C) PbSe (-20 ˚C) PbSe (25 ˚C) 108 ȜκΩͼσ InAsSb (-30 ˚C) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 ෨ಿ (µm) KIRDB0259JI 25 O R I N F R A R E D D E T E C T O R 製品ラインアップ 製品名 波長範囲 特徴 0.5 ～ 1.7 μm 1 InGaAs PINフォトダイオード 0.9 ～ 1.7 μm 0.9 ～ 1.9 μm 0.9 ～ 2.1 μm ■ 高速応答 ■ 各種受光面サイズ、アレイ、パッケージ を用意 ■ 電子冷却型も用意 0.9 ～ 2.6 μm ■ 高い検出能力 2 PbS光導電素子 1 ～ 3.2 μm ■ 常温で使用できるため、放射温度計や フレームモニタなど幅広い用途で使用できる 主な用途 ■ 光ファイバ通信 ■ 光パワーメータ ■ ガス分析 ■ 水分計 ■ NIR (近赤外)測光 ■ 放射温度計 ■ フレームモニタ ■ 水分計 ■ 食品分析 ■ 分光光度計 ■ 5.2 μmまで検出が可能 ■ 同じ波長領域に感度をもつほかの受光素子 に比べ、高速応答で常温で使用できるため、 ガス分析計など幅広い範囲で使用できる ■ 放射温度計 ■ フレームモニタ ■ ガス分析計 ■ 膜厚計 1 ～ 6.7 μm ■ 電子冷却型のため、高感度で長時間に わたり6.5 μm付近まで検出可能 ■ 環境計測 (ガス分析など) ■ 放射温度計 (5 μm帯) ■ FTIR ■ レーザ光検出 3 InSb光起電力素子 1 ～ 5.5 μm ■ 3～5 μm帯で高感度なため、CO2、SOxな どのガス分析に適しています。 ■ 感度波長範囲はPbSeに相当、 PbSeより高速応答 3 InAsSb光起電力素子 1 ～ 8.3 μm ■ 5 μm帯・8 μm帯の高速応答・高感度・ 高信頼性の赤外線検出素子 1 ～ 3.8 μm ■ 感度波長範囲はPbSに相当、 PbSより高速応答を実現 2 PbSe光導電素子 3 InSb光導電素子 3 InAs光起電力素子 3 MCT (HgCdTe) 光導電素子 3 MCT (HgCdTe) 光起電力素子 4 サーモパイル 5 複合素子 6 1 ～ 5.2 μm 1 ～ 25 μm ■ 電子冷却型、デュワ型を用意 1 ～ 13.5 μm 1 ～ 25 μm Si + PbS 0.2 ～ 3 μm Si + PbSe 0.2 ～ 4.85 μm Si + InGaAs 0.32 ～ 2.55 μm InGaAs + InGaAs 0.9 ～ 2.55 μm フォトンドラッグ 検出素子 ■ HgTeとCdTeの組成比を変えることにより、 さまざまな感度波長範囲のタイプを用意 10 μm ■ 放射温度計 ■ サーマルイメージング ■ リモートセンシング ■ ガス分析 ■ FTIR ■ 分光光度計 ■ ガス分析 ■ 赤外線放射計測 ■ 赤外分光器 ■ FTIR ■ サーマルイメージング ■ リモートセンシング ■ FTIR ■ CO2レーザ光モニタ ■ 分光光度計 ■ 高速応答 ■ 低ノイズ ■ FTIR ■ サーマルカメラ ■ 放射温度計 ■ 分光光度計 ■ 環境計測 ■ 天文・宇宙観測 ■赤外線の入射エネルギー量に比例した熱起 電力が得られるセンサ ■ ガス分析 ■ CO2濃度計測 ■ 紫外から赤外域まで広い感度波長範囲 ■ 透過型SiフォトダイオードとPbS、PbSe、 InGaAsを上下に配置したセンサ ■ 波長域の異なる2つのInGaAs PINフォトダイオード を上下に配置したセンサ ■ 10 μm帯に感度をもつ高速検出器 (CO2レーザ光検出用) ■ 常温動作で高速応答 ■ 分光光度計 ■ レーザモニタ ■ フレームモニタ ■ 放射温度計 ■ CO2レーザ検出 ■ 各種赤外線検出 26 [可視光センサ] V I S I B L E L I G H T S E N S O R 人間の視感度に近似した分光感度特性 可視センサは、照度センサとして広く利用されています。 1 照度センサ 2 Siフォトダイオード 3 GaAsPフォトダイオード ■ 分光感度特性例 (フォトICダイオード) 主な用途 ● 露出計、照度計 ıįĺ ণۜഽ ● 大画面テレビなどの省エネセンサ ıįĹ ıįĸ ● 自動照明装置 ıįķ చۜഽ ● 液晶パネルの調光 ● 各種光量検出 ĩŕźűįġŕŢľijĶġ°ńĭġŗœľĶġŗĪ IJįı ● 携帯電話のバックライト調光 ıįĶ ıįĵ ıįĴ ıįij ıįIJ ı ijıı ĵıı ķıı Ĺıı IJııı IJijıı ෨ġಿġĩůŮĪ 製品ラインアップ タイプ 27 特徴 1 照度センサ 視感度に近い分光感度特性をもつフォトIC 2 Siフォトダイオード 視感度補正フィルタを内蔵したSiフォトダイオード 3 GaAsPフォトダイオード フィルタレスで視感度に近い分光感度特性をもっている化合物光半導体受光素子 KPICB0121JA [カラーセンサ] C O L O R S E N S O R 液晶カラーモニタ用／簡易色検出用の小型センサ Blue、Green、Redにそれぞれ感度をもつ単色カラーセンサとRGBカラーセンサです。 2 RGBカラーフォトダイオード 1 Siフォトダイオード 4 カラーセンサモジュール 3 デジタルカラーセンサ ■ 分光感度特性例 (RGBカラーフォトダイオード) 主な用途 ● ホワイトバランスの調整 ĩŕźűįġŕŢľijĶġ°ńĪġ ıįijĶ ňųŦŦů ● 色管理、色識別 ŃŭŶŦ ● 携帯機器 ● RGB-LED型液晶バックライトの光量モニタ ● 光源の色温度検出 ● 各種色検知 ۜഽġĩłİŘĪ ıįijı ıįIJĶ œŦť ıįIJı ıįıĶ ı Ĵıı ĵıı Ķıı ķıı ĸıı ෨ಿġĩůŮĪ Ĺıı KSPDB0246JA 製品ラインアップ タイプ 特徴 1 Siフォトダイオード Blue (λp=460 nm)、Green (λp=540 nm)、Red (λp=660 nm) に それぞれ感度をもつ単色カラーセンサ 2 RGBカラーフォトダイオード Blue、Green、Redにそれぞれ感度をもつ3 ch (RGB)フォトダイオードを 1パッケージに収めたカラーセンサ 3 デジタルカラーセンサ Red、Green、Blueにそれぞれ感度をもつデジタルカラーフォトICです。 検出結果をデジタル値でシリアルに出力します。 4 カラーセンサモジュール 液晶ディスプレイバックライトの色監視用や簡易色検出用などに用いられます。 28 [LED] L I G H T E M I T T I N G D I O D E 高出力の赤外LEDと赤色LED LEDはレーザダイオードと比較すると、安価で長寿命というメリットをもっています。 高出力LEDチップをリフレクタ(反射鏡)内にマウントし、チップ側面から出る光を正面に反射させることで発光 効率を向上させています。 2 光学式エンコーダ用LED 3 水分検知用LED 1 光電スイッチ用LED 5 光リンク用LED 6 SIP型LED 7 砲弾型LED 4 空間光伝送用LED 特 長 主な用途 ● 高出力 ● 光電スイッチ ● 光波距離計 ● 各種パッケージを用意 ● エンコーダ ● 光ファイバ通信 ● 水分計の光源 ● 空間光伝送 製品ラインアップ タイプ 1 光電スイッチ用LED 特徴 赤外 赤色 29 リフレクタタイプ 高出力 ボールレンズタイプ 狭指向性、均一な発光パターン 周辺電極タイプ ワイヤの影のない発光パターン リフレクタタイプ 高出力 2 光学式エンコーダ用LED レンズ形状を最適化することで、高い平行度を実現した平行光LED。 電流狭窄構造チップを使用していないため、高い信頼性を実現。 3 水分検知用LED ピーク発光波長が1.45 μmの長波長LED 4 空間光伝送用LED 高速・高出力のLED。 VICS車載器用に開発された投／受光一体型モジュールも用意。 5 光リンク用LED 50 Mbps、125 Mbps光リンク用LED 6 SIP型LED LEDチップを透明樹脂でモールドした小型・高出力LED 7 砲弾型LED 大出力LEDチップを砲弾型プラスチックパッケージに内蔵 [光通信用デバイス] O P T I C A L C O M M U N I C AT I O N D E V I C E 光ファイバ通信用、空間光伝送用の高速デバイス 長距離高速／短距離低速 光ファイバ通信に加え、空間光伝送用の受光／発光デバイスを用意しています。 2 光データリンク用 1 高速／光ファイバ通信用 3 空間光伝送用 4 光パワー・波長モニタ用 製品ラインアップ タイプ 特徴 1 高速／光ファイバ通信用 各種パッケージ (ROSA、メタル、レセプタクル、ピグテイル)の高速フォトダイオード 2 光データリンク用 中／低速光リンク用の受光／発光デバイス 3 空間光伝送用 大面積フォトダイオードと高出力LED。 VICS車載用の投／受光モジュールも用意しています。 4 光パワー・波長モニタ用 レーザダイオードやDWDMの波長モニタ用デバイス 30 [ミニ分光器] M I N I - S P E C T R O M E T E R 光学系・イメージセンサ・回路を一体化 グレーティング部の微細加工技術によって、光学系・イメージセンサ・回路を一体化した小型の分光器を実現し ました。 1 TGシリーズ 2 TMシリーズ 特 長 3 RCシリーズ 4 MSシリーズ 主な用途 ● 石英製透過型グレーティングの採用による ● 光源スペクトルの評価 高スループット ● 食味計 ● 高精度な光学特性 ● 水分計 ● 外部電源不要: USBバスパワー使用 ● 膜厚測定 (CCDタイプを除く非冷却型) ● 半導体プロセスコントロール ● 低ノイズ (冷却型) ● 蛍光計測などの微弱光計測 ● コンパクト設計により機器への組み込みも可能 ● 測定機器への組み込み ● 波長変換係数を内蔵 (機器組み込み用のみデータ添付) MEMS技術とイメージセンサ技術を融合した指先大の超小型分光器ヘッド マイクロ分光器は、MEMS技術とイメージセンサ技術を用いて実現した超小型の分光器ヘッドです。新 設計の光学系を採用することにより従来品のミニ分光器 MSシリーズ (C10988MA-01)に比べ1/2以下 の体積を実現しています。 本製品は、ハンディ型カラーモニタやプリンタの色管理など、各種装置への 組み込みをはじめ、スマートフォンやタブレット端末などの携帯端末との連携にも適しています。 マイクロ分光器 31 M I N I - S P E C T R O M E T E R 製品ラインアップ シリーズ タイプ 波長分解能 Max. 感度波長範囲 高感度 C9404CA 3 nm 200～400 nm 高分解能 C9404CAH 1 TGシリーズ 1 nm* 赤外高感度 C9405CB 500～1100 nm 高分解能 C11713CA 500～600 nm 高分解能 C11714CA 内蔵イメージセンサ 裏面入射型 CCDイメージセンサ 5 nm (550～900 nm) 赤外高感度裏面入射型 CCDイメージセンサ 0.3 nm* 裏面入射型 CCDイメージセンサ 790～920 nm 近赤外用 C11482GA 7 nm 900～1700 nm 近赤外用 (冷却型) C9913GC 7 nm 近赤外用 (冷却型) C9914GB 1100～2200 nm 8 nm 近赤外用 (冷却型) C11118GA 900～2550 nm 20 nm 高感度 C10082CA 高分解能 C10082CAH 6 nm 1 nm* 200～800 nm 高感度 C10083CA 高分解能 C10083CAH 320～1000 nm CMOS リニアイメージセンサ 8 nm (320～900 nm) 1 nm* (320～900 nm) 裏面入射型 CCDイメージセンサ 広ダイナミックレンジ C10083MD 8 nm トリガ対応 C11697MB 8 nm 小型 CMOS リニアイメージセンサ 高感度CMOS リニアイメージセンサ C11007MA 340～780 nm 9 nm 小型 (機器組み込み用) C11009MA CMOS リニアイメージセンサ 3 RCシリーズ 小型 裏面入射型 CCDイメージセンサ 6 nm 広ダイナミックレンジ C10082MD 2 TMシリーズ InGaAs リニアイメージセンサ C11008MA 640～1050 nm 8 nm 超小型(機器組み込み用) C10988MA-01 340～750 nm 14 nm 超小型(機器組み込み用) C11708MA 640～1050 nm 20 nm 小型 (機器組み込み用) C11010MA 4 MSシリーズ CMOS リニアイメージセンサ * Typ.値 接続図 (透過光の計測) 被測定光を光ファイバ経由で入光し、分光結果をUSB接続でPCに取 ■接続図 り込むことにより、分光スペクトルの収集ができます。装置内部に őń 可動部がないため、常に安定した測定が期待できます。また、導光 ŖŔŃ ΉȜήσ ηΣܕ 部に光ファイバを用いているため、測定物へのフレキシブルなセッ ティングが可能です。 ࡙ םΓσ KACCC0524JA 32 [光半導体モジュール] O P T O - S E M I C O N D U C T O R M O D U L E 光半導体を利用したモジュール、光半導体を使用するための回路 光半導体素子の性能を最大限に引き出すモジュール技術によって、さまざまな光半導体モジュールを用意してい ます。カスタム品にも対応していますので、お気軽にご用命ください。 2 APDモジュール 3 放射線検出 モジュール 1 MPPCモジュール 4 ミニ分光器 6 フォトダイオードモジュール 7 フォトセンサアンプ 8 PSDモジュール 9 PSD信号処理回路 10 フレームアイ 5 距離センサ 11 RGBカラーセンサ 12 日射センサ 13 プリアンプ付赤外検出 モジュール モジュール 14 マルチチャンネル 検出器ヘッド 15 イメージセンサ用回路 光半導体モジュールを実現するための技術 光学技術 MEMS*技術 ●最適な光学設計により高性能モジュールを実現 ●シミュレーションを活用 光学部品 (フィルタ、レンズなど) 光半導体 モジュールの 構成例 ハウジング 光半導体素子 フォトダイオード イメージセンサ など * Micro-electro-mechanical systems ●高精度微細加工 ●モジュール部品の小型・高機能化に貢献 アンプ 受光素子 信号処理 (アナログ／デジタル) LED LD ソフトウェア技術 ドライバ ●サンプルソフトにより 迅速な評価が可能 ●USB、RS-232Cなどの インターフェースに対応 発光素子 光半導体素子 光半導体技術 ●モジュールの心臓部となる検出器には、分析・ 計測・車載・民生分野で長年実績のある当社製の 光半導体素子を採用 ●ご要望の機能を実現するために、カスタムデザインも可能 33 回路部 インターフェース 回路技術 ●光デバイスとアプリケーションに対して最適化 ●高感度／低ノイズ／高速／マルチチャンネル化に対応 実装技術 ●小型・高機能・ 低コストを実現 O P T O - S E M I C O N D U C T O R M O D U L E 製品ラインアップ 製品 特徴 応用例 1 MPPCモジュール MPPCを内蔵した極微弱光検出が可能なフォトンカ ウンティング・モジュールです。MPPCの性能を最 大限に引き出すことで、優れたフォトンカウンティ ング特性を実現しています。 ■ 蛍光寿命計測 ■ バイオフローサイトメトリ ■ 生物ルミネッセンス分析 ■ 極微弱光検出 2 APDモジュール APDを内蔵した高速・高感度の光検出器です。低電 圧直流電源を接続するだけで、PINフォトダイオー ドに比べて、数十倍も高S/Nの光検出が可能になり ます。 ■ 微弱光検出 ■ 光パワーメータ ■ レーザモニタ 3 放射線検出モジュール シンチレータと MPPC を内蔵したγ線検出用のモ ジュールです。 ■ 環境モニタリング、マッピング ■ 製造現場における受入／出荷検査 などのスクリーニング 4 ミニ分光器 光学系・イメージセンサ・回路を一体化した小型の 分光器です。 ■ ディスプレイ色計測 ■ 膜厚測定 ■ プラスチック選別 ■ 蛍光測定 5 距離センサ 光学式の距離計測するモジュールです。660 nmの 半導体レーザをパルス発光させ、レーザ光が反射 シートに当たって戻ってくるまでの飛翔時間を計測 することによって距離を計測します。 ■ 自動倉庫内クレーンの位置制御 ■ 無人搬送車の自己位置検出 ■ 衝突防止 6 フォトダイオードモジュール フォトダイオードと I-V 変換アンプを一体化した 高精度な光検出器です。専用の信号処理ユニット も用意しています。 ■ 精密測光一般 ■ 光源のパワーモニタ ■ 照度計、色差計 7 フォトセンサアンプ 光電流を低ノイズで増幅するI-V変換アンプです。 ■ 精密光検出 ■ 光パワーメータ ■ レーザモニタ ■ プラズマモニタ 8 PSDモジュール PSDとI-V変換アンプを一体化した高精度な位置検 出器です。専用の信号処理ユニットも用意していま す。 ■ 光軸合わせ ■ 距離センサ ■ 3次元測定 ■ 長さ計測 9 PSD信号処理回路 PSD (位置検出素子)の評価用の基板回路です。 ■ PSDの特性評価 10 フレームアイ 石油給湯器や暖房機器における炎センサです。 ■ 石油給湯器・暖房機器の フレームアイ ■ 熱機器の安全装置・警報機 11 RGBカラーセンサモジュール RGBカラーセンサを内蔵しています。 ■ TFT液晶バックライト (RGB-LED型)用光量モニタ 12 日射センサ 日射量などの周囲光量を検出します。光量に対して優 れた直線性をもったフォトダイオードが、小型のコ ネクタ付ケースに内蔵されています。 ■ 周囲光量の検出 ■ オートライトセンサ 13 プリアンプ付赤外検出モジュール 赤外線検出素子とプリアンプを一体化したモジュー ルです。 ■ 赤外線検出 14 マルチチャンネル検出器ヘッド 各種イメージセンサ (CCDエリアイメージセンサ、 NMOS リニアイメージセンサ、 InGaAs リニアイ メージセンサ)用の駆動回路を内蔵しています。専 用のコントローラも用意しています。 ■ 分光光度計 ■ ラマン分光 ■ 半導体検査装置 ■ 放射温度計 15 イメージセンサ用回路 CCDイメージセンサ、CMOS/NMOS/InGaAsリニア イメージセンサのタイプに合わせた駆動回路、パル スジェネレータを用意しています。 ■ マルチチャンネル分光測光 34 工場／研究所／国内営業所 豊岡製作所 都田製作所 三ヶ日インター 三家工場 中央研究所 みつ え 産業開発研究所 東名高速道路 仙台営業所 本社工場 (市野) 浜松西インター 大阪営業所 常光製作所 筑波研究所 筑波営業所 西日本営業所 浜松インター 天王製作所 東京営業所 東海道本線 浜名湖 佐鳴湖 浜松 浜松駅 東海道新幹線 工 本社事務所 中部営業所 場 新貝工場 みつ え ■ 光半導体素子: 本社工場 (市野)、三家工場、 ■ 電子管製品: 豊岡製作所、天王製作所、 新貝工場 遠州灘 天竜川 北京浜松光子技術股 有限公司 (中国) ■ システム製品: 常光製作所 ■ レーザー製品: 都田製作所 研究所 ■ 国内営業所 中央研究所 ■ 筑波研究所 ■ 産業開発研究所 本社工場（市野） ■ 東京営業所 ■ 大阪営業所 ■ 中部営業所 ■ 仙台営業所 ■ 筑波営業所 ■ 西日本営業所 三家工場 新貝工場 みつえ 年間売上高 固体事業部 26,544 79,235 2010年9月期 35,139 90,732 2011年9月期 40,000 85,108 2012年9月期 38,137 80,937 2013年9月期 36,751 92,583 2014年9月期 43,298 0 35 全社 61,518 2009年9月期 10,000 20,000 30,000 40,000 50,000 60,000 70,000 80,000 90,000 100,000 （百万円） 固体事業部 組織図 管 理 部 総 務 部 営業推進部 業 務 部 品質管理部 開 発 部 第1製造部 開発第1G ソフトウェア 開発第2G モジュール 開発第3G・5G CMOS高集積回路 第2部門 赤外線検出素子 第11部門 LED、近赤外用フォトダイオード、光通信用デバイス 化合物プロセスG 化合物半導体のウエハプロセス 第3部門 X線検出用Si フォトダイオード 第30部門 Si フォトダイオード、Si APD、PSD、MPPC、SSD 第36部門 フォトIC、Siフォトダイオード、PSD、LED (プラスチックパッケージ) 第34部門 エリアイメージセンサ 第41部門 リニアイメージセンサ 第46部門 イメージセンサ用回路 第29部門 光計測モジュール・ユニット 第32部門 光センサモジュール 第44部門 X線イメージセンサ 第45部門 フラットパネルセンサ 第51部門 MEMS製品、SLM 第2製造部 第3製造部 第4製造部 第5製造部 第6製造部 第7製造部 プロセス生産技術G 設備管理、設備技術 生産本部 組立生産技術G 生産技術、設備管理 施設管理G インフラ施設管理、廃棄物管理 プロセス製造G Siウエハ処理 生産技術G 生産技術、設備管理 MEMSプロセスG MEMS加工 Siプロセス部 MEMS部 MEMS開発G 第1G 組立、検査 生産技術G 生産技術、設備技術 第1G 多量生産品組立 三家製造部 新貝製造部 36 営業品目 光半導体製品 □Siフォトダイオード □APD □MPPC □フォトIC □イメージセンサ □PSD (位置検出素子) □赤外線検出素子 □LED □光通信用デバイス □車載用デバイス □X線フラットパネルセンサ □ミニ分光器 □光半導体モジュール 電子管製品 □光電子増倍管 □光電子増倍管モジュール □マイクロチャンネルプレート □イメージインテンシファイア □キセノンランプ・水銀キセノンランプ □重水素ランプ □光源応用製品 □レーザ応用製品 □マイクロフォーカスX線源 □X線イメージングデバイス 計測用ビデオ装置 □カメラ・画像計測装置 □X線関連製品 □ライフサイエンス分野製品 □医療分野製品 □半導体故障解析装置 □FPD/LEDの特性評価装置 □分光計測・光計測装置 この印刷物に使用されている用 紙には、FSC®（Forest Stewardship Council：森林管理協議会） の規定に従い独立した第三者機 関により適切に管理されている と認証されたものを採用してい ます。 印刷時に有害な廃液が出ない 「水なし印刷」で印刷しています。 ※MPPCは、浜松ホトニクス株式会社の登録商標です。 この資料の内容は、2015年1月現在のものです。製品の仕様は、改良のため予告なく変更することがあります。ご注文の際は、最新の内容をご確認ください。 浜松ホトニクス株式会社 www.hamamatsu.com 仙 台 営 業 所 筑 波 営 業 所 東 京 営 業 所 中 部 営 業 所 大 阪 営 業 所 西日本営業所 〒980-0011 〒305-0817 〒105-0001 〒430-8587 〒541-0052 〒812-0013 仙台市青葉区上杉1-6-11（日本生命仙台勾当台ビル2階） 茨城県つくば市研究学園5-12-10 (研究学園スクウェアビル7階) 東京都港区虎ノ門3-8-21（虎ノ門33森ビル5階） 浜松市中区砂山町325-6（日本生命浜松駅前ビル4階） 大阪市中央区安土町2-3-13（大阪国際ビル10階） 福岡市博多区博多駅東1-13-6 (竹山博多ビル5階) Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: 固体営業推進部 〒435-8558 浜松市東区市野町1126-1 Tel: 053-434-3311 022-267-0121 029-848-5080 03-3436-0491 053-459-1112 06-6271-0441 092-482-0390 Fax: Fax: Fax: Fax: Fax: Fax: 022-267-0135 029-855-1135 03-3433-6997 053-459-1114 06-6271-0450 092-482-0550 Fax: 053-434-5184 Cat. No. KOTH0001J22 Jan. 2015 DN (3,000)
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