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Cs補正STEMによるEDX原子分解能マッピング
次世代メモリーの分析事例
最先端の物理解析手法を駆使し、お客様のニーズにお応えいたします。
次世代メモリーやパワーデバイスに用いられる超格子薄膜では、原子スケールの層間・層内原子分布が物性を決定してい
ます。 当社では、Cs補正STEM観察と大面積100mm2シリコンドリフト検出器を組み合わせることにより、高速・高感度で原
子レベルの元素分布が評価可能であり、原子構造解析に重要な分析データをご提供できます。
次世代メモリーの原子分解能EDXマッピング
次世代メモリーのHAADF像とSb,TeのEDXマッピング結果を示します。EDXマッピング結果からSbとTeの配置を原子レベルで
確認することができます。
Sb + Te
STEM HAADF像
Sb
500pm
Te
マッピング条件
装置表示倍率：×80M
画面サイズ：
128×128pixel
分析時間：35min
：Te
：Sb
500pm
図
Sb2Te3の原子モデル
次世代メモリーのSTEM-EDXマッピングおよびSb2Te3の原子モデル
Cs補正STEM装置と特徴
● 装置
日本電子製JEM-ARM200F
 日本電子製CENTURIO検出器
 Gatan社製Model 965 Quantum ER
● 特徴
 加速電圧200kV , 80kV , 60kVで原子分解能観察が可能
 STEM HAADF像分解能0.08nm （200kV）
 STEM ABF像による軽元素原子カラムの直接観察が可能
 最新鋭の分析機能


大面積100mm2SDD検出器による高速、高感度分析
（検出立体角0.8Sr）
DualEELSにより、2つのエネルギー領域の同時分析が可能
EELSエネルギー分解能0.3～0.5eV
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