シリコンを用いるヘテロエピタキシャル強磁性積層膜作製技術

秋田県県有特許・技術シーズ集
秋田県産業技術センター
No.37
シーズ名
シリコンを用いる
ヘテロエピタキシャル強磁性積層膜作製技術
【対象業種】電子部品・デバイス、情報通信機械器具製造業など
【実用化が見込まれる分野】磁気センサ、スピントランジスター、メモリなど
【特徴】
・シリコン単結晶上に単結晶の酸化マグネシウム層が格子整合する新しい構造を提案し、強磁性
薄膜からシリコン単結晶に高効率のスピン偏極電子を注入する。
【技術内容】
○シリコン単結晶基板と酸化マグネシウム層の界面において、Ｓｉ（１００）面［１１０］方向とＭｇＯ
（１００）面［１００］方向が平行となる積層構造を実現。
従来技術の面内原子配列(左図)に対し、本願の面内原子配列(右図)では、シリコン結晶
と酸化マグネシウム結晶が整合する新しい構造
【実用化実績等】
実用化実績：無
現状：研究段階
サポート：共同研究等により支援
【特許】
①強磁性積層構造及びその製造方法（特願2010-283253）
権利状態：他者との共有・特許出願中
実施許諾実績：無
実施許諾：可
権利譲渡：可
②強磁性積層構造及びその製造方法（US13/323869）
権利状態：他者との共有・特許権
実施許諾実績：無
実施許諾：可
権利譲渡：可
お問い合わせ先
秋田県産業技術センター技術イノベーション部
TEL：018-862-3414
所在地：秋田市新屋町字砂奴寄４－１１

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