新規混晶半導体

新規混晶半導体
キーワード：バンドギャップエネルギー，遷移型
電気情報工学科准教授博士（工学）
直井弘之
Tel:0738-29-8305 E-mail:[email protected]
相談・協力分野
相談
協力分野
各種薄膜結晶成長法およびその装置開発、半導体評価技術、半導体物性
アピールコメント
半導体混晶のバンドギャップエネルギーを計算し、デバイス応用を模索しております。
研究紹介
これまで用いられていない元素
の組合せから成るIII
の組合せから成る
III−
−V族混晶半
導体のバンドギャップエネルギー
を計算により予測し、
を計算により予測し
、それら新規
混晶の応用を探っております。
混晶の応用を探っております
。
EABC( x)  xEAC  (1  x) EBC  bx(1  x)
EABC(x): 三元混晶半導体AxB1-xCのバンドギャップエネルギー
EAC: 化合物半導体ACのバンドギャップエネルギー
EBC: 化合物半導体BCのバンドギャップエネルギー
x: 三元混晶半導体AxB1-xC中の化合物半導体ACのモル分率 (0 ≦x ≦1)
化合物半導体BCのモル分率は(1 − x)
b: ボーイングパラメータ (b ≧ 0)
混晶半導体は、モル分率
（組成
組成）
） x を変化させること
によりバンドギャップエネル
ギーが変化し、
ギーが変化し
、その結果
その結果、
、
発光波長や吸収端のエネル
ギ
ギーが変化します
ギーが変化します。
が変化します。
最近は四元混晶の計算にも
トライしております。
トライしております
。

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