2016 年 2 月 24 日 凸版印刷株式会社 凸版印刷、最先端半導体に対応した次世代 EUV フォトマスクを開発 ~世界初、周辺への不要な光の反射を抑え、パターン周辺部分の微細化を実現~ 凸版印刷株式会社(本社:東京都千代田区、代表取締役社長:金子眞吾、以下 凸版印刷)は、次世 代半導体製造技術である EUV 露光(※1)において、周辺部への不要な光の反射を抑え、最先端半導体 に対応した次世代 EUV フォトマスクを開発しました。 2016 年度内に半導体メーカーへのサンプル出荷を行うとともに、2017 年度の本格的な量産を開始す る予定です。今後、本技術を活用し次世代 EUV フォトマスクの業界標準化を目指します。 なお、周辺への不要な光の反射を抑える構造を EUV フォトマスクの表面に作製し、パターン周辺部分 の微細化を実現したことは、世界初となります。 また、この開発に関して 2016 年 2 月 22 日から 2 月 25 日まで米国カリフォルニア州サンノゼで開催さ れる国際学会「SPIE Advanced Lithography 2016」(会場:San Jose Convention Center)で発表する予定 です。 ■ 背景 ビックデータの分析や人工知能の利用、自動車の自動運転技術の実用化など、半導体の高性能化の ニーズが高まるなか、次世代の半導体製造技術である EUV 露光に注目が集まっています。EUV 露光が 実用化されることで、半導体の微細化が進み、現在よりも小型・高速・低消費電力のプロセッサーを製造 することが可能となります。 EUV 露光による半導体の製造プロセスでは、光源からの光が EUV フォトマスクによって反射され、シリ コン基板上にパターンを形成します。光源からの光には、パターニングに必要な EUV 光だけでなく、パタ ーニングに不必要な様々な波長の光(アウト・オブ・バンド、以下 OOB 光)も含まれています。 この OOB 光によりシリコン基板上のパターン周辺部分が正確に形成されない、という問題がありました。 この問題を解決するため、凸版印刷は EUV フォトマスク上のパターン外周部に配置され、EUV 光の不 要な反射を抑える遮光帯(※2)とよばれる部分に改良を加えました。凸版印刷の保有する微細加工技術 や光学設計技術を発展・融合させ、特殊な3次元構造を EUV フォトマスク上の遮光帯部分に製作し、より 光源からの光を制御した次世代 EUV フォトマスクを開発しました。 凸版印刷は、世界トップのフォトマスクメーカーです。最先端フォトマスクを提供することで半導体メーカ ーの最先端プロセスの立ち上げから量産まで広く支援をしてきました。EUV フォトマスクにおいては、2012 年に業界標準となっている従来の EUV フォトマスクを開発し、このたび微細化を進めた次世代 EUV フォ トマスクの開発に成功しました。今後も研究開発を続け、半導体製造技術の進化に貢献していきます。 遮光帯 遮光帯 本開発品の EUV フォトマスク断面および 3 次元構造のイメージ図(© Toppan Printing Co., Ltd.) -1- ■ 特長 特殊な 3 次元構造により光の反射を抑え、歩留まり向上を実現 凸版印刷の保有する微細加工技術や光学設計技術を発展・融合させ、世界で初めて EUV フォトマス ク表面の遮光部分に特殊な3次元構造を形成し、従来品と比較して OOB 光の反射を約 70%削減しまし た。また、ASML 社(※3)の EUV 露光機を用いた転写テストの結果、本開発品によりシリコン基板上の寸 法変動を 3 分の 1 に削減できることを実証しました。 これらの結果、半導体パターンの品質向上と歩留まり向上を実現します。 表 従来 EUV フォトマスクと次世代 EUV フォトマスクの反射率比較(遮光帯部) マスクの種類 従来 EUV フォトマスク 次世代 EUV フォトマスク EUV 光の反射率 0.05%未満 (測定限界以下) 0.05%未満 (測定限界以下) OOB 光の反射率 5~6% 1.5%以下 ■ 今後の目標 凸版印刷は 2016 年度内に顧客である世界の半導体メーカーへサンプル出荷を開始します。 さらに開発を進め、量産ターゲットである 2017 年以降の実用化と業界標準となることを目指します。 ※1 EUV 露光 半導体の回路パターンをシリコン基板上に転写する露光技術の 1 つ。波長が 13.5 ナノメートル(ナノは 10 億分の1)の極端紫外線(extreme ultraviolet)とよばれる光を用いた露光方式。 ※2 遮光帯 EUV フォトマスク上のパターン外周部に配置される EUV 光の不要な反射を抑えた領域 ※3 ASML 社 オランダに本社を置く、世界で唯一の半導体製造用 EUV 露光機のメーカー。 ※ 本ニュースリリースに記載された技術は特許出願中です。 ※ 本ニュースリリースに記載された会社名および商品・サービス名は各社の商標または登録商標です。 ※ 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。 以 -2- 上
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