4章 パワーMOSFET PDF

4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
パワーMOSFET
Power MOSFETs
富士電機のパワー MOSFET は、低損失、低ノイズ、低オン抵
抗などの特長を有し、中耐圧から高耐圧品までラインアップして
います。
®
スーパージャンクション技術を適用した『Super J MOS 』
シリーズ
では 600V 耐圧品を中心に展開しています。
)XML(OHFWULFKDVDOLQHXSRISRZHU026)(7VUDQJLQJIURP
PHGLXPWRKLJKYROWDJHW\SHVZLWKIHDWXUHVVXFKDVORZSRZHU
ORVVORZQRLVHDQGORZRQUHVLVWDQFH
7KH³6XSHU-026Š´6HULHVXVHVVXSHUMXQFWLRQWHFKQRORJ\DQG
ZDVGHYHORSHGSULPDULO\IRUPRGHOVZLWKDZLWKVWDQGYROWDJHRI
9
■ Super J MOS®シリーズの特長 Features of the Super J MOS® series
スーパージャンクション技術により、従来のパワー MOSFET に比べ、素子
耐圧とオン抵抗(Ron・A) のトレードオフを大幅に改善し、ターンオフ損
失とターンオフ dV/dt とのトレードオフ特性を従来のパワー MOSFET と
同等レベルにする事で、低損失と低ノイズ特性を両立し電源の高効率化、
小型化をサポートします。
6XSHUMXQFWLRQWHFKQRORJ\KDVPXFKLPSURYHGWUDGHRIIFKDUDFWDULVLW\
EHWZHHQ2QUHVLVWDQFHDQG%UHDNGRZQYROWDJH
6XSHU - 026 KDV WKH VDPH WXUQRII ORVV DQG WXUQRII GYGW FDSDELOLWLHV DW
FRQYHQWLRQDO026)(7
$VDUHVXOW,WFRQWULEXWVWRKLJKHIILFLHQF\DQGPLQLDWXUL]DWLRQRI
SRZHUVXSSO\
■特長 Features
3
低オン抵抗 RonA を従来比(Super FAP-E )約 75% 低減
低ターンオフ損失と低ノイズを両立
アバランシェ耐量保証
ゲートしきい値電圧 3.0±0.5V 保証
低オン抵抗化によりパッケージ小型化が可能
ex)600V/0.28Ω/TO-3P → 600V/0.28Ω/TO-220
Ɣ/RZ5'6RQORZHUWKDQRXUFRQYHQWLRQDO026)(7
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Ɣ'XHWRORZ5'6RQ6HOHFWDEOHVPDOOHUSDFNDJH
H[9ȍ723ĺ9ȍ72
■用途 Applications
サーバ、PC、パワーコンディショナー、UPS、液晶テレビ、照明、標準電源、
基地局電源などの PFC 回路・PWM コンバータ
3)& RU 3:0 FRQYHUWHU IRU 6HUYHU 3& 3&6 836 /&'79 /LJKWLQJ DQG
6WDQGDUGSRZHUVXSSO\
®
Super J MOS は、富士電機の登録商標です。
6XSHU-026®LVUHJLVWHUHGWUDGHPDUNVRI)XML(OHFWULF
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MOSFET
■コンセプト Concept
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4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ SuperFAP-E3, E3Sシリーズの特長 Features of the SuperFAP-E3, E3S series
■コンセプト Concept
第二世代擬平面接合技術により、
“低損失、低ノイズ特性”と“使い易さ”
を両立し、電源セットの設計から製品までのトータル性能向上をサポート
します。
7KHVHFRQGJHQHUDWLRQ4XDVL3ODQHU-XQFWLRQWHFKQRORJ\FRSHVZLWKERWK
ORZORVVQRLVHDQGXVDELOLW\
$QG WKLV WHFKQRORJ\ OHWV XV DFKLYH KLJK SHUIRUPDQFH IRU SRZHU VXSSO\
V
FLUFXLWGHVLQH
低損失特性と低ノイズ特性の両立
低オン抵抗特性
スイッチング時 dv/dt のゲート抵抗制御性が良い
スイッチング時の VGS のリンギングが小さい
ゲートしきい値電圧幅 ±0.5V
高アバランシェ耐量
E3コンセプト概念図
Concept
使いやすさ
(DV\WR'HVLJQ
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低損失・低ノイズ
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MOSFET
■特長 Features
■ SuperFAP-Gシリーズの特長 FeaturesRIWKHSuperFAP-G series
擬平面接合技術により、低 Qgd によるスイッチング損失と低オン抵抗特性を実現しました。
7KH4XDVL3ODQHU-XQFWLRQWHFKQRORJ\DFKLHYHORZ5'6RQDQGORZZLWFKLQJORVVORZ4JG
■特長 Features
ターンオフ損失の低減 従来比で約 75%低減
低ゲートチャージ 従来比で約 60%低減
高アバランシェ耐量
低オン抵抗化によりパッケージ小型化が可能
ex)500V/0.4Ω/TO-3P → 500V/0.38Ω/TO-220
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H[9ȍ723ĺ9ȍ72
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■系列マップ Series map
MOSFET
5GVRQPD[ȍ
SuperFAP-G シリーズ
SuperFAP-E3 シリーズ
Super J MOS® シリーズ
9
9
9
9
9
9
9
9
9
9'669
■型式の見方 3DUWQXPEHUV
FMV20N60S1 (example)
)
0
機種コード
社名
Device code
Company Symbol
Fuji
M
MOSFET
9
パッケージコード
Package code
A
TO-220F
B
D2-pack
C
T-pack (S)
H
TO-3P
I
T-pack (L)
P
TO-220
R
TO-3PF
V TO-220F (SLS)
W
TO-247
定格電流
Current
×1
®
Super J MOS は、富士電機の登録商標です。
6XSHU-026®LVUHJLVWHUHGWUDGHPDUNVRI)XML(OHFWULF
1
極性
Polarity
N
N-ch
6
定格電圧
Voltage
×1/10
製品シリーズ
Series
S1
Super J MOS®
S1FD Super J MOS® (FRED)
S1A
Super J MOS® for Automotive
S1FDA Super J MOS® (FRED) for Automotive
E
SuperFAP-E3
ES
SuperFAP-E3S
G
SuperFAP-G
GF
SuperFAP-G (FRED)
T2
Trench
R
3G-Trench
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
®
®
■ Super J MOS S1シリーズ Super J MOS S1 series
低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-on resistance, low switching noise and low switching loss
6XSHU-026Š6VHULHV
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型 式
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○:開発中 8QGHUGHYHORSPHQW
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72
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72
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72
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72
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'3DFN
72)6/6
7234
723
72)6/6
7234
723
7234
723
723
723
質 量 1HWPDVV
*UDPV
Super J MOS®は、富士電機の登録商標です。
Super J MOS® is registered trademarks of Fuji Electric.
®
Super J MOS シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い
合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
Š
7KH6XSHU-026 VHULHVSURGXFWVVDWLV¿HVWKHTXDOLW\DVVXUDQFHOHYHORIJHQHUDOFRQVXPHUXVH
,I\RXLQWHQGWRXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJKLJKHUUHOLDELOLW\VXFKDVHTXLSPHQWIRUDXWRPRELOHVDQGPHGLFDOHTXLSPHQWSOHDVHFRQWDFW)XML(OHFWULF
'RQRWXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJVWULFWUHOLDELOLW\VXFKDVDHURVSDFHHTXLSPHQW
MOSFET
■ 600Vクラス 600V class
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
®
■ Super J MOS S1FDシリーズ 高速ダイオード内蔵シリーズ
®
Super J MOS S1FD Series (Built-in FRED type)
低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-on resistance, low switching noise and low switching loss
6XSHU-026Š%XLOWLQ
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72
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■ 600Vクラス 600V class
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型 式
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○:開発中 8QGHUGHYHORSPHQW
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72)6/6
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'3DFN
72)6/6
7234
723
7234
723
7234
723
723
723
質 量 1HWPDVV
*UDPV
®
Super J MOS は、富士電機の登録商標です。
®
Super J MOS is registered trademarks of Fuji Electric.
®
Super J MOS シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い
合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
Š
7KH6XSHU-026 VHULHVSURGXFWVVDWLV¿HVWKHTXDOLW\DVVXUDQFHOHYHORIJHQHUDOFRQVXPHUXVH
,I\RXLQWHQGWRXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJKLJKHUUHOLDELOLW\VXFKDVHTXLSPHQWIRUDXWRPRELOHVDQGPHGLFDOHTXLSPHQWSOHDVHFRQWDFW)XML(OHFWULF
'RQRWXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJVWULFWUHOLDELOLW\VXFKDVDHURVSDFHHTXLSPHQW
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ SuperFAP-E3シリーズ SuperFAP-E3 series
低オン抵抗、低ノイズ /RZRQUHVLVWDQFHDQGORZVZLWFKLQJQRLVH
9GV
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4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ SuperFAP-E3シリーズ SuperFAP-E3 series
■ 500V クラス 500V class
MOSFET
型 式
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質 量 1HWPDVV
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5'6RQ9*6 9 * 3'7& ƒ&
記号 /HWWHUV\PEROV
9'66 ドレイン・ソース電圧
ドレイン電流
,'
,'SXOVH: パルスドレイン電流
5'6RQ: ドレイン・ソース オン抵抗
'UDLQVRXUFHYROWDJH
&RQWLQXRXVGUDLQFXUUHQW
3XOVHGGUDLQFXUUHQW
'UDLQVRXUFHRQVWDWHUHVLVWDQFH
0D[LPXPSRZHUGLVVLSDWLRQ
許容損失電力
3':
9*6: ゲート・ソース電圧 *DWHVRXUFHYROWDJH
9*6WK: ゲートしきい値電圧 *DWHWKUHVKROGYROWDJH
4J:
トータルゲートチャージ量 7RWDOJDWHFKDUJH
SuperFAP-E3 シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い合
わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
7KH6XSHU)$3(VHULHVSURGXFWVVDWLV¿HVWKHTXDOLW\DVVXUDQFHOHYHORIJHQHUDOFRQVXPHUXVH
,I\RXLQWHQGWRXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJKLJKHUUHOLDELOLW\VXFKDVHTXLSPHQWIRUDXWRPRELOHVDQGPHGLFDOHTXLSPHQWSOHDVHFRQWDFW)XML(OHFWULF
'RQRWXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJVWULFWUHOLDELOLW\VXFKDVDHURVSDFHHTXLSPHQW
パワーMOSFET/Power MOSFETs
4
■ SuperFAP-E3シリーズ SuperFAP-E3 series
型 式
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パッケージ
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7234
72)6/6
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7234
72)6/6
72)6/6
7234
73DFN/
73DFN6
72)6/6
7234
73DFN/
73DFN6
72)6/6
7234
72)6/6
7234
質 量 1HWPDVV
*UDPV
3'7& ƒ&
MOSFET
■ 600 − 800V クラス 600 - 800V class
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ SuperFAP-E3 シリーズ SuperFAP-E3 series
■ 900V クラス 900V class
型 式
'HYLFHW\SH
)0+1(
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)0+1(
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)0+1(
)091(
)051(
,'
,'SXOVH
9ROWV
$PSV
$PSV
5'6RQ9*6 9 * 3'7& ƒ&
MOSFET
*
9'66
5'6RQ
0D[*
2KPVΩ
3' *
9*6
9*6WK
:DWWV
9ROWV
9ROWV
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7\S
Q&
パッケージ
3DFNDJH
7234
72)6/6
73DFN/
73DFN6
7234
72)6/6
73DFN/
73DFN6
7234
72)6/6
723)
7234
72)6/6
723)
質 量 1HWPDVV
*UDPV
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ SuperFAP-E3S 低Qgシリーズ SuperFAP-E3S Low Qg series
低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 /RZRQUHVLVWDQFHORZVZLWFKLQJQRLVHDQGORZVZLWFKLQJORVV
9GV 5RQ
9 ȍ
,G
$
72
726/6
7234
723)
73DFN6
7)3
73DFN/
■ 500V クラス 500V class
型 式
'HYLFHW\SH
)031(6
)091(6
)0,1(6
)0&1(6
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質 量 1HWPDVV
*UDPV
*
5'6RQ9*6 9 * 3'7& ƒ&
SuperFAP-E3S シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い
合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
7KH6XSHU)$3(6VHULHVSURGXFWVVDWLV¿HVWKHTXDOLW\DVVXUDQFHOHYHORIJHQHUDOFRQVXPHUXVH
,I\RXLQWHQGWRXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJKLJKHUUHOLDELOLW\VXFKDVHTXLSPHQWIRUDXWRPRELOHVDQGPHGLFDOHTXLSPHQWSOHDVHFRQWDFW)XML(OHFWULF
'RQRWXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJVWULFWUHOLDELOLW\VXFKDVDHURVSDFHHTXLSPHQW
MOSFET
6XSHU)$3( 6
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4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ SuperFAP-E3S 低Qgシリーズ SuperFAP-E3S Low Qg series
■ 600V クラス 600V class
MOSFET
型 式
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7234
72)6/6
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7234
723)
7234
質 量 1HWPDVV
*UDPV
5'6RQ9*6 9 * 3'7& ƒ&
SuperFAP-E3S シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い
合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
7KH6XSHU)$3(6VHULHVSURGXFWVVDWLV¿HVWKHTXDOLW\DVVXUDQFHOHYHORIJHQHUDOFRQVXPHUXVH
,I\RXLQWHQGWRXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJKLJKHUUHOLDELOLW\VXFKDVHTXLSPHQWIRUDXWRPRELOHVDQGPHGLFDOHTXLSPHQWSOHDVHFRQWDFW)XML(OHFWULF
'RQRWXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJVWULFWUHOLDELOLW\VXFKDVDHURVSDFHHTXLSPHQW
パワーMOSFET/Power MOSFETs
4
■ SuperFAP-Gシリーズ SuperFAP-G series
低オン抵抗、低ゲート容量 /RZRQUHVLVWDQFHDQGORZJDWHFKDUJH
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6XSHU)$3*
VHULHV
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ SuperFAP-Gシリーズ SuperFAP-G series
■ 100 − 250V クラス 100 - 250V class
MOSFET
型 式
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6.
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723)
質 量 1HWPDVV
*UDPV
5'6RQ9*6 9 * 3'7& ƒ&
SuperFAP-G シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い合
わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
7KH6XSHU)$3*VHULHVSURGXFWVVDWLV¿HVWKHTXDOLW\DVVXUDQFHOHYHORIJHQHUDOFRQVXPHUXVH
,I\RXLQWHQGWRXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJKLJKHUUHOLDELOLW\VXFKDVHTXLSPHQWIRUDXWRPRELOHVDQGPHGLFDOHTXLSPHQWSOHDVHFRQWDFW)XML(OHFWULF
'RQRWXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJVWULFWUHOLDELOLW\VXFKDVDHURVSDFHHTXLSPHQW
パワーMOSFET/Power MOSFETs
4
■ SuperFAP-Gシリーズ SuperFAP-G series
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型 式
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質 量 1HWPDVV
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MOSFET
■ 300 − 500V クラス 300 - 500V class
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ SuperFAP-Gシリーズ SuperFAP-G series
■ 600 − 900V クラス 600 - 900V class
MOSFET
型 式
'HYLFHW\SH
6.
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質 量 1HWPDVV
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4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ SuperFAP-Gシリーズ 高速ダイオード内蔵シリーズ
SuperFAP-G Built-in FRED series
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質 量 1HWPDVV
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MOSFET
■ 500 − 600V クラス 500 - 600V class
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ 中耐圧トレンチ シリーズ Trench Power MOSFET
低オン抵抗、高ゲート耐圧 /RZRQUHVLVWDQFHDQGKLJKJDWHFDSDELOLW\
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■ 60 − 100V クラス 60 - 100V class
MOSFET
型 式
'HYLFHW\SH
●
●
6.
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6.
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6.66.6
6.
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●:新製品 1HZ3URGXFWV *
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5'6RQ9*6 9 * 3'7& ƒ&
■ 100 − 200V クラス 100 - 200V class
型 式
'HYLFHW\SH
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)0317
)0$17
)0,17
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)0$17
)0,17
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質 量 1HWPDVV
*UDPV
5'6RQ9*6 9 * 3'7& ƒ&
中耐圧トレンチ シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問
い合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
7KH7UHQFK3RZHU026)(7VHULHVSURGXFWVVDWLV¿HVWKHTXDOLW\DVVXUDQFHOHYHORIJHQHUDOFRQVXPHUXVH
,I\RXLQWHQGWRXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJKLJKHUUHOLDELOLW\VXFKDVHTXLSPHQWIRUDXWRPRELOHVDQGPHGLFDOHTXLSPHQWSOHDVHFRQWDFW)XML(OHFWULF
'RQRWXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJVWULFWUHOLDELOLW\VXFKDVDHURVSDFHHTXLSPHQW
パワーMOSFET/Power MOSFETs
4
■ 自動車用Super J MOS® S1シリーズ$XWRPRWLYH6XSHU-026Š6VHULHV
低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-on resistance, low switching noise and low switching loss
$XWRPRWLYH6XSHU-026Š66HULHV
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型 式
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質 量 1HWPDVV
*UDPV
®
Super J MOS は、富士電機の登録商標です。
®
自動車用Super J MOS S1シリーズは、一般車載用向けの品質保証(AEC-Q101準拠)製品であります。
航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
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6XSHU-026 LVUHJLVWHUHGWUDGHPDUNVRI)XML(OHFWULF
Š
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'RQRWXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJVWULFWUHOLDELOLW\VXFKDVDHURVSDFHHTXLSPHQW
■ 自動車用Super J MOS® S1FDシリーズ(高速ダイオード内蔵タイプ)
$XWRPRWLYH6XSHU-026Š6)'VHULHV%XLOWLQ)5('W\SH
■ 600V クラス 600V class
型 式
'HYLFHW\SH
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)0<16)'$
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)0<16)'$
)0<16)'$
)0<16)'$
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9ROWV
5'6RQ9*6 9 * 3'7& ƒ&
自動車用 Super J MOS® S1FDシリーズは、一般車載用向けの品質保証$(&4準拠製品であります。
航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
9*6WK
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9ROWV
“
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4J
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パッケージ 質 量 3DFNDJH
1HWPDVV
*UDPV
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72
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72
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72
®
Super J MOS は、富士電機の登録商標です。
Š
6XSHU-026 LVUHJLVWHUHGWUDGHPDUNVRI)XML(OHFWULF
Š
7KH$XWRPRWLYH6XSHU-026 6)'VHULHVRISURGXFWVVDWLV¿HVWKHTXDOLW\DVVXUDQFHOHYHORIJHQHUDODXWRPRELOHXVHFRQIRUPVWR$(&4
'RQRWXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJVWULFWUHOLDELOLW\VXFKDVDHURVSDFHHTXLSPHQW
MOSFET
■ 600V クラス 600V class
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ 自動車用MOSFET(Trench Power MOS、SuperFAP-E6)Automotive MOSFET
$XWRPRWLYH7UHQFK
3RZHU026)(7
6XSHU)$3(6/RZ4J
VHULHV
9GV
9
MOSFET
5RQ
ȍ
72
,G
$
72)
7234
72
73DFN/
73DFN6
'SDFN
■ 自動車用SuperFAP-E3S 低Qgシリーズ Automotive SuperFAP-E3S Low Qg series
■ 300 − 600V クラス 300 - 600V class
型 式
'HYLFHW\SH
)0<1(6
)0<1(6
)0<1(6
)0<1(6
)0<1(6
*
9'66
,'
,'SXOVH
9ROWV
$PSV
$PSV
5'6RQ
0D[*1
2KPVΩ
3'*2
9*6
:DWWV
9ROWV
9*6WK
W\S
9ROWV
“
“
“
“
“
4J
7\S
Q&
パッケージ
3DFNDJH
72
72
72
72
72
5'6RQ9*6 9 * 3'7& ƒ&
自動車用6XSHU)$3(6低4Jシリーズは、一般車載用向けの品質保証$(&4準拠製品であります。
航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
6
7KH$XWRPRWLYH6XSHU)$3( /RZ4JVHULHVRISURGXFWVVDWLV¿HVWKHTXDOLW\DVVXUDQFHOHYHORIJHQHUDODXWRPRELOHXVHFRQIRUPVWR$(&4
'RQRWXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJVWULFWUHOLDELOLW\VXFKDVDHURVSDFHHTXLSPHQW
質 量 1HWPDVV
*UDPV
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ 自動車用SuperFAP-E3S 低Qg 高速ダイオード内蔵シリーズ
$XWRPRWLYH6XSHU)$3(6/RZ4J%XLOWLQ)5('VHULHV
低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-on resistance, low switching noise and low switching loss
■ 300 − 600V クラス 300 - 600V class
型 式
'HYLFHW\SH
9'66
,'
,'SXOVH
9ROWV
$PSV
$PSV
)0<1(6)
)0<1(6)
)0<1(6)
)0<1(6)
)0<1(6)
*
5'6RQ
0D[*1
2KPVΩ
3'*2
9*6
:DWWV
9ROWV
9*6WK
W\S
9ROWV
“
“
“
“
“
4J
7\S
Q&
WUU
7\S
QVHF
パッケージ 質 量 3DFNDJH
1HWPDVV
*UDPV
72
72
72
72
72
5'6RQ9*6 9 * 3'7& ƒ&
自動車用6XSHU)$3(6低4J 高速ダイオード内蔵シリーズは、一般車載用向けの品質保証$(&4準拠製品であります。
航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
6
$XWRPRWLYH6XSHU)$3( /RZ4J%XLOWLQ)5('VHULHVRISURGXFWVVDWLV¿HVWKHTXDOLW\DVVXUDQFHOHYHORIJHQHUDODXWRPRELOHXVHFRQIRUPVWR$(&4
'RQRWXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJVWULFWUHOLDELOLW\VXFKDVDHURVSDFHHTXLSPHQW
■ 40 − 100V クラス 40 - 100V class
型 式
'HYLFHW\SH
6.
6.05
6.
6./6
6.66.6
)0<17※1
6.
6.05
6.6
)0&15
)0<15※1
*
9'66
,'
,'SXOVH
9ROWV
$PSV
$PSV
5'6RQ
0D[*1
2KPVΩ
3'*2
9*6
:DWWV
9ROWV
“
“
9*6WK
W\S
9ROWV
パッケージ
3DFNDJH
72
72)
72
7SDFN
'SDFN
7SDFN
72
723
72)
7SDFN
73DFN
72
質 量 1HWPDVV
*UDPV
5'6RQ9*6 9 * 3'7& ƒ&
※1 FMY100N06T、FMY100N10R6は一般車載用向けの品質保証(AEC-Q101準拠)製品であります。
)0<17DQG)0<15VDWLV¿HVWKHTXDOLW\DVVXUDQFHOHYHORIJHQHUDODXWRPRELOHXVHFRQIRUPVWR$(&4
航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
'RQRWXVHWKHSURGXFWVIRUHTXLSPHQWUHTXLULQJVWULFWUHOLDELOLW\VXFKDVDHURVSDFHHTXLSPHQW
MOSFET
■ 自動車用トレンチMOSFET$XWRPRWLYH7UHQFK3RZHU026)(7
4
パワーMOSFET/Power MOSFETs
■ 自動車用高機能パワーMOSFET $XWRPRWLYH,QWHOOLJHQW3RZHU026)(7
型 式
'HYLFHW\SH
)
)
)
)
)
)
)
)
)
*1
5'6RQ9*6 9
9'66
,'
,'SXOVH
9ROWV
$PSV
$PSV
5'6RQ
0D[*1
2KPVΩ
3'
9*6
:DWWV
9ROWV
9*6WK
W\S
9ROWV
パッケージ
3DFNDJH
.SDFN
7SDFN
.SDFN
623*
623*
.SDFN
7SDFN
7SDFN
6623*
質 量 1HWPDVV
*UDPV
*2
2ch入り &RQWDLQVFKDQQHOV
■ 自動車用 IPS シリーズ(インテリジェントパワースイッチ)$XWRPRWLYH,36VHULHV,QWHOOLJHQW3RZHU6ZLWFKHV
自己保護機能・診断機能内蔵 Self protection and safety check
MOSFET
型 式
'HYLFHW\SH
)+
)3
)+
)+
)/
)/
*1
9'66
,'
,'SXOVH
9ROWV
$PSV
$PSV
5'6RQ
0D[
2KPVΩ
*
*
*
*
*
*
5'6RQ9&& 9 *2 5'6RQ9,1 9 *3 2ch入り &RQWDLQVFKDQQHOV
3'
:DWWV
9*6
9ROWV
9*6WK
W\S
9ROWV
パッケージ
3DFNDJH
623
623
3623
3623
623*
623*
質 量 1HWPDVV
*UDPV