2014 年 12 月 5 日 NEWS RELEASE ビシェイ社、ファーストボディダイオード内蔵 600 V N チャネル MOSFET2 種類を発表、ソフトスイッチングトポロジーに最適ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH 、日本法人：ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長：小澤政治）は本日、ファーストボディダイオード内蔵の 600 V N チャネルパワーMOSFET の新 EF シリーズから 2 種のデバイスを発表しました。ビシェイ Siliconix ブランドの SiHx28N60EF と SiHx33N60EF は、低い逆回復電荷とオン抵抗を特長とし、産業、コンピューティング、再生可能エネルギー用途で信頼性の向上と省電力化を実現します。本日リリースされた、第 2 世代 Super Junction 技術によるファーストボディダイオード内蔵 600 V MOSFET は、既存の E シリーズの新製品で位相ブリッジや LLC コンバーターのハーフブリッジなど、ゼロ電圧スイッチング(ZVS) /ソフトスイッチングトポロジーにも利用出来ます。 SiHx28N60EF と SiHx33N60EF はこれらの用途で、標準 MOSFET と比べて 10 倍低い逆回復電荷(Q rr )を提供し、高い信頼性を実現します。フルのブレークダウン電圧をより早くブロックすることで、シュートスルーや過熱ストレスを防止します。また、低 Q rr 値により標準 MOSFET と比べてより低い逆回復損失を実現します。 28 A SiHx28N60EF と 33 A SiHx33N60EF は 4 種のパッケージで提供され、それぞれ 123 Ω と 98 Ω の極めて低いオン抵抗と低いゲートチャージを特長とします。導通損失およびスイッチング損失を低減することができ、太陽光インバーター、サーバーやテレコムの電力システム、ATX /シルバーボックス PC SMPS、溶接、UPS、バッテリー充電器、半導体設備、LED および HID 照明などの高電力、高性能のスイッチモード電源アプリケーションに最適です。これらのデバイスはアバランシェおよび整流モードで高エネルギーパルスに耐えるよう設計されており、全数 UIS 検査により限界値が保証され、RoHS にも適合するハロゲンフリー品です。ビシェイジャパン株式会社東京都渋谷区渋谷 3-12-22 渋谷プレステージビル 4 階電話: 03-5466-7150 Fax: 03-5466-7160 世界のディスクリート半導体および受動コンポーネントの大手メーカー www.vishay.com デバイス仕様表：部品番号 V DS (V) (最小) SiHP28N60EF SiHB28N60EF SiHF28N60EF SiHG28N60EF SiHP33N60EF SiHB33N60EF SiHG33N60EF 600 600 600 600 600 600 600 I D (A) @ 25 °C 28 28 28 28 33 33 33 R DS(on) (mΩ) @ 10 V(最大) Q G (nC) @ 10 V (標準) パッケージ 123 123 123 123 98 98 98 80 80 80 80 103 103 103 TO-220 TO-263 TO-220F TO-247AC TO-220 TO-263 TO-247AC ビシェイ・インターテクノロジー社についてビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン 1000 企業で、世界最大手のディスクリート半導体 (ダイオード、MOSFET、赤外線オプトエレクトロニクス等)および受動電子部品 (抵抗製品、インダクタ、コンデンサ等) メーカーのひとつです。同社の部品はコンピュータ、自動車、コンシューマー、通信、軍用、航空宇宙、電源、医療等多種多様な界の製品に組み込まれています。ビシェイは革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスで、業界のリーダーとしての地位を確固たるものにしています。詳細は、ビシェイ社のホームページをご参照ください。http://www.vishay.com ビシェイジャパン株式会社東京都渋谷区渋谷 3-12-22 渋谷プレステージビル 4 階電話: 03-5466-7150 Fax: 03-5466-7160 世界のディスクリート半導体および受動コンポーネントの大手メーカー www.vishay.com