20 015 年 2 月 23 日キヤノン株株式会社ナノイインプリント技術術を用いたた半導体製製造装置をを開発キヤノノンは、解像像力 10nm※11 台の高度なな微細加工を実現するナノノインプリンント技術を用用いた、次世代代半導体製造造装置の開発発を進めていまます。開発中のナナノインプリリント半導体製製造装置クラススター化のイメメージ図 ※ を用いた次次世代半導体露露光装置が先先端微細加工領領域においてて主流とされれるなか、キヤヤノンは、 EUV※2 解像力 10nm 1 台の高高度な微細加加工を実現すするナノインンプリント技技術の研究をを 2004 年より続けてきましたた。特に 200 09 年以降、同同技術を用いいた次世代半半導体製造装装置の量産を目指し、大手手半導体メーカーーや Canon Nanotechnoologies, Inc.（2014 年 4 月完全子会会社化）と共共同で開発を加加速してきましたた。欠陥制御御技術の確立、、重ね合わせせ精度の向上上など、技術開発が進んででおり、201 15 年内の製品化をを目指していいます。 ■ 高解解像度で均一一性のあるる回路パターーンを転写マスクク（原版）をウエハー上ののレジスト（（樹脂）に直接接押しつけるることで、ママスクに彫りこまれた ※3 回路パタターンを忠実に転写できるるため、光露露光装置に比比べ、高解像度度で均一性ののある回路パパターンが描けますす。また、ナナノインプリリント半導体体製造装置ででは、光露光光装置に使用用されているる光源や大口径ののレンズ群がが不要であるため、装置自自体をシンププルな構造かつつコンパクトトにすることとができ、複数台のの装置をクララスター化して設置するこことにより、生産性を高高めることがが可能です。 ■ 製造造コストの大大幅な削減減による CoO O※4 の低減減を実現光露光光装置に比べ、、半導体デババイスの製造コストを大幅幅に削減できるため、高精精細半導体デデバイスの CoO（C Cost of Own nership）低低減を求めるる半導体メーーカーの高いいニーズに対対応します。本装置置の導入先としして、まずははフラッシュメメモリーを製製造するメモリリーメーカーを予定していいますが、将来的にには、DRAM M やロジックク系半導体のの生産への適用も目指してています。フォルニア州日州サンノゼでで開催される、半導体リソグラフィなお、2015 年 2 月 22 日∼26 日に米国カリ関する国際会議議「SPIE Ad dvanced Lith hography 20 015」においてて、キヤノンンは本装置の開発進捗技術に関についてて講演を行うう予定です。 ※1 ※2 ※3 ※4 1nm m（ナノメートルル）は、10 億分の 1 メートル。 Extrreme Ultra Viollet（極端紫外線線）の略。13.5n nm に達する見込込みの波長を用いいた次世代リソグラフィ技術。大口径のレンズを搭搭載し、レーザーー光を照射するこことで回路パターンをウエハーー上に転写する半半導体露光装置。。る設備投資や運用用に必要なコスト。半導体メーーカーの量産ライインにおける工程程や製造装置の生生産性を半導体製造に関する指標の一つ。示す指