2.5V 駆動タイプ Pch+SBD MOSFET

US5U29
トランジスタ
2.5V 駆動タイプ Pch+SBD MOSFET
US5U29
z構造
シリコン P チャンネル MOS 型電界効果トランジスタ
ショットキーバリアダイオード
z外形寸法図 (Unit : mm)
TUMT5
2.0
z用途
ロードスイッチ、DC/DC コンバータ
0.2Max.
1.3
z特長
1) TUMT5 パッケージに Pch MOSFET とショットキー
バリアダイオードを内蔵。
2) 高速スイッチング、低オン抵抗。
3) 低電圧駆動(2.5V 駆動)
4) 低 VF ショットキーバリアダイオードを内蔵。
標印略記号 : U29
z内部回路図
(5)
(4)
∗2
z包装仕様
包装名
Type
記号
基本発注単位（個）
テーピング
TR
3000
∗1
US5U29
(1)
(2)
∗1 静電気保護用ダイオード
∗2 内部ダイオード
z絶対最大定格 (Ta=25°C)
(3)
(1)ゲート
(2)ソース
(3)アノード
(4)カソード
(5)ドレイン
<MOSFET>
Parameter
ドレイン・ソース間電圧
ゲート・ソース間電圧
直流
パルス
直流
ソース電流（内部ダイオード）
パルス
チャネル部温度
許容損失
<Di>
尖頭逆方向電圧
逆電圧
順方向電流
尖頭順サージ電流
接合部温度
許容損失
<MOSFET AND Di>
全許容損失
保存温度
ドレイン電流
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP ∗1
IS
ISP ∗1
Tch
PD ∗3
Limits
−20
±12
±1
±4
−0.4
−4
150
0.7
Unit
V
V
A
A
A
A
°C
W / 素子
VRM
VR
IF
IFSM
Tj
PD
25
20
0.7
3.0
150
0.5
V
V
A
A
°C
W / 素子
1.0
−55~+150
W / トータル
°C
PD
Tstg
∗2
∗3
∗3
∗1 Pw≦10µs, Duty cycle≦1% ∗2 60Hz •1cyc. ∗3 セラミック基板実装時
Rev.D
1/4
US5U29
トランジスタ
z電気的特性 (Ta=25°C)
<MOSFET>
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
IGSS
−
−20
−
−0.7
−
−
−
0.7
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
280
310
570
−
150
20
20
9
8
25
10
2.1
0.5
0.5
Max.
±10
−
−1
−2.0
390
430
800
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
Unit
µA
V
µA
V
mΩ
mΩ
mΩ
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
VGS=±12V, VDS=0V
ID=−1mA, VGS=0V
VDS=−20V, VGS=0V
VDS=−10V, ID=−1mA
ID=−1A, VGS=−4.5V
ID=−1A, VGS=−4V
ID=−0.5A, VGS=−2.5V
VDS=−10V, ID=−0.5A
VDS=−10V
VGS=0V
f=1MHz
ID=−0.5A
VDD −15V
VGS=−4.5V
RL=30Ω
RG=10Ω
VDD −15V VGS=−4.5V
ID=−1A
RL=15Ω
RG=10Ω
(ソース・ドレイン間)>
Symbol Min.
Unit
V
IS=−0.4A, VGS=0V
Unit
V
µA
IF=0.7A
VR=20V
ゲート漏れ電流
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン遮断電流
ゲートしきい値電圧
V(BR) DSS
IDSS
VGS (th)
∗
ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS (on)
順伝達アドミタンス
入力容量
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
上昇時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
ゲート総電荷量
ゲート・ソース間電荷量
ゲート・ドレイン間電荷量
∗
Yfs
Ciss
Coss
Crss
∗
td (on)
∗
tr
∗
td (off)
∗
tf
Qg ∗
Qgs ∗
Qgd ∗
Conditions
∗パルス
<内部ダイオード特性
Parameter
順方向電圧
Typ.
Max.
VSD
−
−
−1.2
Symbol
Min.
Typ.
Max.
VF
IR
−
−
−
−
0.49
200
Conditions
<Di >
Parameter
順方向電圧
逆方向電流
Conditions
Rev.D
2/4
US5U29
トランジスタ
10000
Static Drain−Source On−State Resistance
RDS(on)[mΩ]
10
VDS=−10V
Pulsed
Ta=125°C
75°C
25°C
−20°C
Ta=125°C
75°C
25°C
−20°C
1000
0.01
0.001
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0
100
0.01
0.1
Static Drain−Source On−State Resistance
RDS(on)[mΩ]
Static Drain−Source On−State Resistance
RDS(on)[mΩ]
Ta=125°C
75°C
25°C
−20°C
1
Fig.4 Static Drain−Source On−State
Resistance vs.Drain−Current ( ΙΙΙ )
Capacitance : C [pF]
Reverse Drain Current : −IS[A]
1
Ta=125°C
75°C
25°C
−20°C
0.1
ID=−0.5A
−1A
10
Fig.3 Static Drain−Source On−State
Resistance vs.Drain Current ( ΙΙ )
Ta=25 C
Pulsed
VGS=−2.5V
−4.0V
−4.5V
1000
250
0
2
4
6
8
10
100
0.01
12
0.1
1
10
Drain Current : −ID[A]
Gate−Source Voltage : −VGS[V]
Fig.6 Static Drain−Source On−State
Resistance vs.Drain Current
Fig.5 Static Drain−Source On−State
Resistance vs.Gate−Source Voltage
1000
VGS=0V
Pulsed
1
10000
500
0
10
0.1
Drain Current : −ID[A]
Ta=25°C
Pulsed
750
Drain Current : −ID[A]
10
100
0.01
10
1000
VGS=−2.5V
Pulsed
0.1
1
Fig.2 Static Drain−Source On−State
Resistance vs.Drain Current ( Ι )
Fig.1 Typical Transfer Characteristics
100
0.01
Ta=125°C
75°C
25°C
−20°C
1000
Drain Current : −ID[A]
Gate−Source Voltage : VGS[V]
10000
VGS=−4V
Pulsed
Static Drain-Source On−State Resistance
RDS(on)[mΩ]
0.1
10000
VGS=−4.5V
Pulsed
Ta=25 C
f=1MHZ
VGS=0V
10000
Ta=25°C
VDD=−15V
VGS=−4.5V
RG=10Ω
Pulsed
1000
Switching Time : t [ns]
Drain Current : −ID (A)
1
1000
Static Drain−Source On−State Resistance
RDS(on)[mΩ]
z電気的特性曲線
Ciss
100
tf
100
td(off)
10
td(on)
tr
Crss
Coss
0.01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
Source−Drain Voltage : −VSD[V]
Fig.7 Reverse Drain Current
vs. Source-Drain Current
1.6
10
0.01
0.1
1
10
100
Drain−Source Voltage : −VDS[V]
Fig.8 Typical Capactitance
vs.Drain−Source Voltage
1
0.01
0.1
1
10
Drain Current : −ID[A]
Fig.9 Switching Characteristics
Rev.D
3/4
US5U29
トランジスタ
Gate-Source Voltage: -VGS [V]
6
5
4
3
2
1000
100
100
Ta=125°C
75°C
25°C
−20°C
125°C
Reverse Current : IR[µA]
Ta=25 C
VDD=−15V
ID=−1A
RG=10Ω
Pulsed
7
Forward Current : IF [mA]
8
10
10
75°C
1
0.1
25°C
0.01
1
−20°C
0.001
1
0
0.0001
0.1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
3
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0
0.6
10
20
30
40
Reverse Voltage : VR[V]
Forward Voltage :VF [V]
Total Gate Charge : Qg[nC]
Fig.10 Dynamic Input Characteristics
Fig.11 Forward Temperature Characteristics Fig.12 Reverse Temperature Characteristics
z測定回路図
Pulse Width
VGS
10%
50%
50%
90%
10%
10%
VGS
ID
D.U.T.
RG
VDS
90%
90%
VDS
RL
VDD
td(on)
tr
tf
td(off)
ton
toff
Fig.14 Switching Waveforms
Fig.13 Switching Time Measurement Circuit
VG
Qg
VGS
VGS
ID
VDS
Qgs
IG(Const)
RG
D.U.T.
Qgd
RL
VDD
Charge
Fig.15 Gate Charge Measurement Circuit
Fig.16 Gate Charge Waveforms
Rev.D
4/4
Appendix
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Appendix1-Rev2.0

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