低炭素研究ネットワーク 低炭素化材料設計・創製ハブ拠点 Key Words 概 LC-net, Low-carbon, Research network 物質・材料の設計・創製、加工、評価に関わる先端装置28点（文科省 21年度補正予算措置）の外部共用化とNIMS研究者・技術者による高 要 度な対外研究支援を積極推進。併せてNIMS独自の先進研究を遂行。 NIMSハブ拠点の外部共用・研究支援実績 300 NIMSハブ拠点の独自研究開発成果 H23-H25の総利用件数：5,693件 250 200 利 用 150 件 数 100 Fig. 6 独自製法により、格子熱伝導率が飛躍的に低く、 ZT値を高めた単結晶Cu1.75Teナノシートを開発 （J. Mater. Chem. A, 2014, 2, 985） 50 2月 12月 10月 8月 6月 4月 2月 12月 10月 8月 6月 4月 2月 12月 10月 8月 6月 H23.4月 0 20 μm 8 μm (a) 利用月 ZrO2/Al2O3 Fig.1 NIMSハブ拠点共用装置（28点）の月別総利用件数 RC LCnet外 部（大学・ 独法研究 機関）194 件, 8% 装置管理 者 620件, 26% 企業 240件, 10% Lcnet拠 点105件, 5% NIMS内 部 1204 件, 51% 100 0 Fig.2 利用機関別依頼件数内訳 （H25年度） 課 金 収 入 （ 千 円 ） 外部（企業） 外部（アカデミア） 内部 3,226 1,552 817 436 825 H23 500 利 400 用 件 300 数 200 H25年度 総利用件数: 2,363件 14,000 12,000 10,000 8,000 6,000 4,000 2,000 0 600 大学 公的機関 企業 128 240 30 68 251 231 H24 H25 69 36 170 H23 S 10 μm VD G 4μm 20 μm (b) D RC VD 4 μm RC S G D RCH H-diamond epitaxial layer RSD RCH RSD H-diamond epitaxial layer Diamond (100) substrate Diamond (100) substrate Fig. 7 高電流密度ダイヤモンド /Al2O3/ZrO2接合トランジスタ模 式図（Sci. Rep., 2014に印刷中） RC Fig.8 高電流密度ダ イヤモンドトランジス タの静特性 年度 Fig.3 外部利用件数の 機関別内訳推移 Fig.9 BaSiAlＮ系の新規結晶 Fig.10 Eu付活蛍光体の 発光スペクトル 1,658 1,289 10,208 5,211 H24 H25 年度 Fig.4 年度別課金収入内訳 Fig.5 シンポジウム予稿集（微細加 工プラットフォームと合同開催） Fig11 ホイスラー合金を用いた高出力非局所スピン バルブ素子（Ikhtiar et al. JAP 115, 173912, 2014) 今後の展望 外部利用率の高い装置類は、ナノテクプラットフォームの共用装置と して、より効率的な運営を図る。共用施設の認知度向上のため広報 活動推進、施設共用事業のキャッシュ・フロー改善、自立運営化。 ＮＩＭＳ 中核機能部門 低炭素化材料設計・創製ハブ拠点 副拠点長 小出康夫 2014.9.3 第5回TIA-nano公開シンポジウム
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