KC5FB60HR データシート

Thyr
i
st
or
SMD
■外観図
KC5FB60HR
OUTLI
NE
Package:FB
600V5A
t
:mm
Uni
2.3
6.6
④
煙小型 SMD
煙高耐圧
煙高感度品
煙突入電流防止回路用に最適
品名略号
Type No.
KC560HR
000000
10.0
特 長
ロット記号(例)
Date code
Feat
ur
e
2.3
煙Smal
lSMD
ghVol
t
age
煙Hi
煙Hi
ghSens
i
t
i
v
i
t
y
煙Sui
t
abl
ef
oranI
nr
ushCur
r
entPr
ot
ect
i
onCi
r
cui
t
2.3
① ② ③
①
③
②④
外形図については新電元 We
bサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordet
ai
l
soft
heout
l
i
nedi
mens
i
ons
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ef
ert
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i
t
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i
cat
i
on"
Mar
ki
ng,T
er
mi
nalConnect
i
on"
.
■定格表
RATI
NGS
●絶対最大定格
項
Abs
ol
ut
eMaxi
mum Rat
i
ngs
(指定のない場合は Tc=2
5
℃/
unl
e
s
so
t
he
r
wi
s
es
pe
c
i
f
i
e
d)
目
I
t
em
記号
Sy
mbol
保存温度
St
or
ageT
emper
at
ur
e
接合部温度
Oper
at
i
ngJunct
i
onT
emper
at
ur
e
規格値
Rat
i
ngs
単位
Uni
t
Ts
t
g
-4
0~1
2
5
℃
Tj
1
2
5
℃
6
0
0
V
せん頭オフ電圧
Repet
i
t
i
v
epeakOf
f
s
t
at
eVol
t
age
VDRM
せん頭逆電圧
Repet
i
t
i
v
epeakRev
er
s
eVol
t
age
VRRM
平均オン電流
Av
er
ageOns
t
at
eCur
r
ent
I
(AV)
T
サージオン電流
Sur
geOns
t
at
eCur
r
ent
I
TSM
電流二乗時間積
Cur
r
entSquar
edTi
me
2
I
t
臨界オン電流上昇率
Cr
i
t
i
calRat
eofRi
seofOnst
at
eCur
r
ent
di
/
dt
ピークゲート損失
PeakGat
eDi
s
s
i
pat
i
on
PFGM
平均ゲート損失
Av
er
ageGat
eDi
s
s
i
pat
i
on
I
FGM
ピークゲート逆電圧
PeakRev
er
s
eGat
eVol
t
age
VRGM
せん頭オフ電流
Of
f
s
t
at
eCur
r
ent
RGK=2
2
0
Ω
─
Tc=9
8
℃,6
0
Hz正弦波,導通角 θ=1
8
0
°
T
c=98˚
C,60Hzs
i
newav
e,θ=180°
Tj
=2
5
℃,6
0
Hz正弦波,導通角 θ=1
8
0
° 非繰り返し
Tj
=25˚
C,60Hzs
i
newav
e,θ=180°nonr
epet
i
t
i
v
e
t
p=8
.
3
ms
,Tj
=2
5
℃,非繰り返し
t
p=8.
3ms
,Tj
=25˚
C,nonr
epet
i
t
i
v
e
f≧6
0
Hz
,Dut
y≦1
0
%
PFG
(AV)
ピークゲート順電流
PeakFor
war
dGat
eCur
r
ent
●電気的・熱的特性
条 件
Condi
t
i
ons
f=6
0
Hz
,Dut
y≦1
0
%
*1
V
5
A
9
0
A
3
3
.
6
A2s
5
0
A/
μs
2
W
0
.
2
W
0
.
3
A
6
V
El
ect
r
i
calChar
act
er
i
s
t
i
cs
(指定のない場合は Tc=2
5
℃/
unl
e
s
so
t
he
r
wi
s
es
pe
c
i
f
i
e
d)
I
DRM
VDM=6
0
0
V,RGK=2
2
0
Ωパルス測定
,RGK=220Ω Pul
s
eme
a
s
ur
e
me
nt
VDM=600V
MAX
1
0
μA
オン電圧
Ons
t
at
eVol
t
age
VTM
I
5
A パルス測定
TM=1
15APul
s
eme
a
s
ur
e
me
nt
I
TM=
MAX
1
.
8
V
ゲートトリガ電圧
Gat
et
r
i
ggerVol
t
age
VGT
VD=6
V,
RL=1
0
0
Ω
MAX
0
.
8
V
ゲート非トリガ電圧
Gat
enont
r
i
ggerVol
t
age
VGD
Tj
=1
2
5
℃,
VD=1
/
2
VDRM,
RGK=2
2
0
Ω
MI
N
0
.
1
V
1
1
0
0
0
.
2
5
.
0
μA
mA
3
℃/
W
ゲートトリガ電流
Gat
et
r
i
ggerCur
r
ent
I
GT
VD=6
V,
RL=1
0
0
Ω
保持電流
Hol
di
ngCur
r
ent
I
H
I
0
0
mA,
RGK=2
2
0
Ω
TM =1
MI
N
MAX
MI
N
MAX
接合部・ケース間
Junct
i
ont
ocas
e
MAX
熱抵抗
Ther
malRes
i
s
t
ance
θj
c
*1 注意事項:本製品は、せん頭逆電圧(VRRM)を保証しておりません。
Not
e:Thi
spr
oductdoesnotguar
ant
eeVRRM.
p
(THY〈2014.02〉)
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hi
ndengen.
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oduc
t
/
s
emi
/
KC5FB60HR
■特性図 CHARACTERI
STI
C DI
AGRAMS
オン電力損失曲線
オン電圧−オン電流
サージオン電流耐量
On-state Voltage vs On-state Current
Surge On-state Current Capability
120
10
25℃
(MAX)
125℃
(MAX)
1
0.
5
1
1.5
2
On-state Voltage VT〔V〕
100
8.3ms 8.3ms
1cycle
Non-repetitive
RGK open
Tj=25℃
80
60
40
20
0
1
2.5
12
On-state Power Dissipation PT〔W〕
25℃
(TYP)
125℃
(TYP)
On-state Power Dissipation
Sine wave
ITSM
Surge On-state Current ITSM〔A〕
On-state Current IT〔A〕
50
10
D=0.
5
sine
8
D=0.
3
D=0.
2
6
D=0.
1
4
D=0.
05
2
Tj = 125℃
1
2
3
4
5
6
7
Average On-state Current IT(AV)
〔A〕
ディレーティングカーブ Tc-IT(AV)
ゲート特性
IGT - tp 特性
Derating Curve Tc-IT(AV)
Gate Characteristic
Gate Trigger Current vs Pulse Width
10
VFGM=6V
8 DC
D=0.8
6 D=0.5
sine
D=0.3
4
D=0.2
D=0.1
2 D=0.05
0
0
10000
Gate Trigger Current IGT〔μA〕
R-load
Gate Voltage V〔
G V〕
Average On-state Current IO〔A〕
10
20
1
PGM(AV)=0.2W
VGT=0.8V
60
80
100 120 140 160
Case Temperature Tc〔℃〕
TYP
VD=6V
RL=100Ω
Ta=25℃
VGD=0.1V
0.1
0.01
0.00001 0.0001
0.001
0.01
0.1
Gate Current IG〔A〕
100
10
2
1
10
100
Pulse width tp〔μs〕
IH - Tj 特性
Gate Trigger Current vs Junction Temperature
Holding Current vs Junction Temperature
Gate Trriger Voltage VGT〔V〕
TYP
VD=6V
RL=100Ω
Ta=25℃
1
0.1
2
10
100
Pulse Width tp〔μs〕
2
TYP
RGK open
Pulse measurement
1.5
1
0.5
0
−40
−20
0
20
40
60
80
Junction Temperature Tj〔℃〕
100
Gate Trigger Current Ratio of IH(Tj℃)/IH(25℃)
IGT - Tj 特性
Gate Trriger Voltage vs Pulse Width
Gate Trigger Current Ratio of IGT(Tj℃)/IGT(25℃)
VGT - tp 特性
10
8
1000
IGT=100μA
IFGM=0.3A
40
DC
10
0
0
100
Number of Cycles〔cycle〕
D=0.
8
2.5
TYP
RGK 220Ω
Pulse measurement
2
1.5
1
0.5
0
−40 −25
0
25
50
75
100
Junction Temperature Tj〔℃〕
125
VGT - Tj 特性
Gate Trigger Voltage Ratio of VGT(Tj℃)/VGT(25℃)
Gate Trriger Voltage vs Junction Temperature
2.5
TYP
RGK open
Pulse measurement
2
1.5
1
0.5
0
−40 −20
0
20
40
60
80
100
Junction Temperature Tj〔℃〕
125
* Si
newa
veは 5
0
Hzで測定しています。
* 50Hzs
i
newav
ei
sus
edf
ormeas
ur
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.
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s
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/
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(THY〈2014.02〉
)
ご 注 意
1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。
2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。
その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特
別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。 当社の
製品の品質水準は以下のように分類しております。
【標準用途】
コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、
工作機器、パーソナル機器、産業用機器等
【特別用途】
輸送機器(車載、船舶等)、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療
機器等
【特定用途】
原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム
等
3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止
設計、誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等が防止できるようご
検討下さい。
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い。製品のご購入に際しましては事前に当社または特約店へ最新の情報をご確認下さい。
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machine tools, personal electronic equipment, industrial equipment, etc.
【Special applications】
Transportation equipment (vehicles, ships, etc.), trunk-line communication equipment, traffic signal
control systems, anti-disaster/crime systems, safety equipment, medical equipment, etc.
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Nuclear reactor control systems, aircraft, aerospace equipment, submarine repeaters, life support
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