KC5FB40H データシート

Thyr
i
st
or
SMD
■外観図
KC5FB40H
OUTLI
NE
Package：FB
400V5A
t
：mm
Uni
2.3
6.6
④
煙小型 SMD
煙t
q保証
煙高感度品
品名略号
Type No.
Feat
ur
e
ロット記号（例）
Date code
KC540H
000000
煙Smal
lSMD
煙t
ar
ant
ee
qGu
ghSens
i
t
i
v
i
t
y
煙Hi
2.3
10.0
特長
2.3
① ② ③
①
③
②④
外形図については新電元 We
bサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordet
ai
l
soft
heout
l
i
nedi
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i
ons
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t
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Mar
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ng,T
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mi
nalConnect
i
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.
■定格表
RATI
NGS
●絶対最大定格
項
Abs
ol
ut
eMaxi
mum Rat
i
ngs
（指定のない場合は Tc＝2
5
℃/
unl
e
s
so
t
he
r
wi
s
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pe
c
i
f
i
e
d）
目
I
t
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記号
Sy
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保存温度
St
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e
接合部温度
Ope
r
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t
i
ngJ
unc
t
i
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e
mpe
r
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t
ur
e
せん頭オフ電圧
Re
pe
t
i
t
i
v
epe
a
kOf
f
s
t
a
t
eVol
t
a
ge
せん頭逆電圧
Re
pe
t
i
t
i
v
epe
a
kRe
v
e
r
s
eVol
t
a
ge
非繰り返しせん頭オフ電圧
NonRe
pe
t
i
t
i
v
epe
a
kOf
f
s
t
a
t
eVol
t
a
ge
非繰り返しせん頭逆電圧
NonRe
pe
t
i
t
i
v
epe
a
kRe
v
e
r
s
eVol
t
a
ge
平均オン電流
Av
e
r
a
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t
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t
eCur
r
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nt
実効オン電流
R.
M.
S.Ons
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a
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サージオン電流
Sur
geOns
t
a
t
eCur
r
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nt
電流二乗時間積
Cur
r
e
ntSqua
r
e
dTi
me
臨界オン電流上昇率
Cr
i
t
i
cal
Rat
eofRi
s
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t
at
eCur
r
ent
ピークゲート損失
Pe
a
kGa
t
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i
on
平均ゲート損失
Av
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r
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geGa
t
eDi
s
s
i
pa
t
i
on
ピークゲート順電流
Pe
a
kFor
wa
r
dGa
t
eCur
r
e
nt
ピークゲート逆電圧
Pe
a
kRe
v
e
r
s
eGa
t
eVol
t
a
ge
Ts
t
g
●電気的・熱的特性
Tj
規格値
Rat
i
ngs
単位
Uni
t
－5
5～1
5
0
℃
－4
0～1
2
5
℃
VDRM
RGK＝1
kΩ
4
0
0
V
VRRM
RGK＝1
kΩ
4
0
0
V
VDSM
RGK＝1
kΩ
5
0
0
V
VRSM
RGK＝1
kΩ
5
0
0
V
I
（AV）
T
Tc
＝1
0
1
℃，5
0
Hz正弦波，導通角 θ=1
8
0
°
T
c
=101˚
C,50Hzs
i
newa
v
e
,θ=180°
Tc
＝1
0
1
℃，5
0
Hz正弦波，導通角 θ=1
8
0
°
T
c
=101˚
C,50Hzs
i
newa
v
e
,θ=180°
Tj
＝2
5
℃，5
0
Hz正弦波，導通角 θ=1
8
0
° 非繰り返し
Tj
=25˚
C,50Hzs
i
newa
v
e
,θ=180°nonr
e
pe
t
i
t
i
v
e
5
A
8
A
6
5
A
Tj
＝2
5
℃，1
ms≦ t＜1
0
ms
，非繰り返し
2
1
A2s
5
0
A/
μs
2
W
0
.
2
W
1
A
6
V
I
T
（RMS）
I
TSM
2
I
t
di
/
dt
PFGM
f≧5
0
Hz
，Dut
y≦1
0
％
PFG
（AV）
I
FGM
f＝5
0
Hz
，Dut
y≦1
0
％
VRGM
5
℃/
unl
e
s
so
t
he
r
wi
s
es
pe
c
i
f
i
e
d）
El
ect
r
i
calChar
act
er
i
s
t
i
cs
（指定のない場合は Tc＝2
せん頭オフ電流
Of
f
s
t
a
t
eCur
r
e
nt
せん頭逆電流
Re
v
e
r
s
eCur
r
e
nt
オン電圧
Ons
t
a
t
eVol
t
a
ge
ゲートトリガ電圧
Ga
t
et
r
i
gge
rVol
t
a
ge
ゲート非トリガ電圧
Ga
t
enont
r
i
gge
rVol
t
a
ge
ゲートトリガ電流
Ga
t
et
r
i
gge
rCur
r
e
nt
保持電流
Hol
di
ngCur
r
e
nt
臨界オフ電圧上昇率
Cr
i
t
i
cal
Rat
eofRi
s
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f
s
t
at
eVol
t
age
転流ターンオフ時間
T
ur
nof
ft
i
me
熱抵抗
The
r
ma
l
Re
s
i
s
t
a
nc
e
p
（THY〈2014.11〉）
条件
Condi
t
i
ons
MAX
1
0
0
μA
MAX
1
0
0
μA
VTM
VD=4
0
0
V，RGK=1
k
Ωパルス測定
,RGK=1k
Ω Pul
s
eme
a
s
ur
e
me
nt
VD=400V
VR=4
0
0
V，RGK=1
k
Ωパルス測定
,RGK=1k
Ω Pul
s
eme
a
s
ur
e
me
nt
VR=400V
I
0
A パルス測定
TM=1
I
10APul
s
eme
a
s
ur
e
me
nt
TM=
MAX
1
.
6
V
VGT
VD＝6
V,
RL＝1
0
0
Ω
MAX
0
.
8
V
VGD
Tj
＝1
2
5
℃,
VD＝1
/
2
VDRM,
RGK＝1
kΩ
MI
N
0
.
2
V
I
GT
VD＝6
V,
RL＝1
0
0
Ω
MAX
2
0
0
μA
I
H
I
0
A,
RGK＝1
kΩ
TM＝1
TYP
1
mA
TYP
1
.
7
5
V/
μs
TYP
4
5
μs
MAX
3
℃/
W
I
DRM
I
RRM
dV/
dt Tj
＝1
2
5
℃,
VD＝2
/
3
VDRM,
RGK＝1
kΩ
t
q
θj
c
Tj
=1
2
5
℃，I
A，VR≧2
5
V，di
/
dt
=－1
5
A/
μs
，
T=3
/
3
VDRM，RGK=1
k
Ω
VD=2
接合部・ケース間
J
unc
t
i
ont
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s
hi
ndengen.
c
o.
j
p/
pr
oduc
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/
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emi
/
KC5FB40H
■特性図 CHARACTERI
STI
C DI
AGRAMS
サージオン電流耐量
On-state Voltage vs On-state Current
Surge On-state Current Capability
８０
２５℃
（TYP）
１２５℃
（TYP）
１０
２５℃
（MAX）
１２５℃
（MAX）
１
０.５
０．
５
1
１.５
２
On-state Voltage VT〔V〕
７０
１２
10ms 10ms
１cycle
６０
Non-repetitive
RGK open
Tj＝２５℃
５０
４０
３０
２０
１０
０
１
２.５
On-state Power Dissipation
Sine wave
ITSM
Surge On-state Current ITSM〔A〕
On-state Current IT〔A〕
５０
オン電力損失曲線
１０
Number of Cycles〔cycle〕
On-state Power Dissipation PT〔W〕
オン電圧−オン電流
８
sine
D＝０．
５
D＝０．
３
６
D＝０．
２
D＝０．
１
４
D＝０．
０５
２
Tj = 125℃
０
０
１００
DC
D＝０．
８
１０
１
２
３
４
５
６
７
Average On-state Current IT（AV）
〔A〕
ディレーティングカーブ Tc-IT（AV）
ゲート特性
IGT - tp 特性
Derating Curve Tc-IT（AV）
Gate Characteristic
Gate Trigger Current vs Pulse Width
６
５
D=0.5
sine
４
３
D=0.3
D=0.2
D=0.1
２ D=0.05
１００００
VFGM=3.4V
１
VGT=0.8V
PFGM=2W
VGD=0.2V
０.１
IFGM=1A
１
０
０
２５
５０
７５
Case Temperature
１００
１５０
１２５
Tc〔℃〕
０.０１
０.００００１０.０００１
０.００１
０.０１
TYP
VD=6V
RL=100Ω
Ta=25℃
１０００
PFG（AV）=0.2W
IGT=200μA
Gate Trigger Current IGT〔μA〕
D=0.8
７
１０
R-load
Gate Voltage V〔
G V〕
Average On-state Current IT（AT）
〔A〕
８ DC
０.１
１００
１０
１
１
１
Gate Current IG〔A〕
１０
１００
１０００
Pulse Width tp〔μs〕
IH - Tj 特性
Gate Trigger Current vs Junction Temperature
Holding Current vs Junction Temperature
Gate Trigger Voltage VGT〔V〕
TYP
VD=6V
RL=100Ω
Ta=25℃
１
０.１
１
１０
１００
１０００
Pulse Width tp〔μs〕
８
TYP
RGK open
Pulse measurement
７
６
５
４
３
２
１
０
−４０−２５
０
２５
５０
７５
１００
Junction Temperature Tj〔℃〕
１２５
Holding Current Ratio of IH（Tj℃）/IH
（25℃）
IGT - Tj 特性
Gate Trigger Voltage vs Pulse Width
Gate Trigger Current Ratio of IGT（Tj℃）/IGT（25℃）
VGT - tp 特性
１０
８
２.５
TYP
RGK 1kΩ
Pulse measurement
２
１.５
１
０.５
０
−４０−２５
０
２５
５０
７５
１００
Junction Temperature Tj〔℃〕
１２５
VGT - Tj 特性
Gate Trigger Voltage Ratio of VGT（Tj℃）/VGT（25℃）
Gate Trigger Voltage vs Junction Temperature
２.５
TYP
RGK open
Pulse measurement
２
１.５
１
０.５
０
−４０−２５
０
２５
５０
７５
１００
Junction Temperature Tj〔℃〕
１２５
＊ Si
newa
veは 5
0
Hzで測定しています。
＊ 50Hzs
i
newav
ei
sus
edf
ormeas
ur
ement
s
.
www.
s
hi
ndengen.
c
o.
j
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pr
oduc
t
/
s
emi
/
p
（THY〈2014.11〉
）
ご注意
1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。
2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。
その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特
別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。当社の
製品の品質水準は以下のように分類しております。
【標準用途】
コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、
工作機器、パーソナル機器、産業用機器等
【特別用途】
輸送機器（車載、船舶等）、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療
機器等
【特定用途】
原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム
等
3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止
設計、誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等が防止できるようご
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い。製品のご購入に際しましては事前に当社または特約店へ最新の情報をご確認下さい。
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