（別紙様式２）氏名：増田論文題名：シリコンインクとそれを用いた薄膜形成技術に関する研究区：甲分貴史論文内容の要旨本論文はシリコン前駆体溶液 (Siインク)および Siインクを用いた半導体 Si薄膜の製膜技術の開発，ならびにその塗布型アモルファスシリコン (a-Si)膜を用いたa-Si太陽電池への応用に関する研究をまとめたものである． Siは現在の産業で最も重要な材料の一つである． Siデバイスの出発原料には一般に固相 Si(シリコンウェーハ)か，気相 Si(シランガス )が用いられている．もし，液相 Siを用いて Si薄膜の製造ができれば，塗布法によりデバイスを作製できることになり，その利点は大きい．例えば，真空プロセスとそのための設備が不要となり，装置の小型化とエネルギー消費の削減が可能になる．こまた材料使用効率が高い上に有毒ガスを用いないため，資源の節約，安全性確保の容易性の面でも既存技術よりも優れている．しかし残念なことに，過去に塗布法によって Siデバイスを作製したという報告はない．本論文の著者は，そのような状況を踏まえ， Siインクの開発から研究を開始し，それを用いた半導体 Si薄膜の形成技術の開発に取り組んだ．塗布法による Siデバイスの製造を可能にするには，長期安定性に優れ良好な塗布性能を有するインクの開発と良質な塗膜を再現性よく得るための科学的な見地にたった塗布技術の開発が必要であるとの信念から研究を進め，先導的な多くの成果を挙げた．本論文に述べられている主たる成果を以下に記す． (1)インク開発で課題とされる溶媒の選定において，物質の溶解性と van der Waals相互作用とを関連付けることで，計算によって最適な溶媒を見出す術を見出した．それにより，良質の真性(i型)Siインクだけでなく，電子物性を制御可能な p型および n型 Siインクを初めて開発した．さらには，その手法を炭化シリコン(SiC)インクの開発に発展させた． (2) 塗布技術に関する研究では，Siインクから得た塗膜の不安定性の原因が van der Waals相互作用に依るものである事を明らかにし， Siインクから平坦で良質な Si膜を再現性よく得る技術を開発した．これは機能性インクを用いた塗布法による薄膜形成技術において，製膜性と van der Waalsエネルギーとの間に密接な関係がある事を示す初めての報告である． (3)デバイス応用性の検証研究では，本研究で開発した Siインクおよび塗布技術を用いる事で，塗布法によって半導体特性を有する非晶質 Si(a-Si)膜および非晶質 SiC(a-SiC)膜を得る事に成功した．更にそれら薄膜を用いた a-Si太陽電池を作製し，塗布法による Siデバイスが実現可能であることを実証した．