デュアルパワー P チャンネル MOSFET

デュアルパワー P チャンネル MOSFET
ELM14803AB-N
■概要
■特長
ELM14803AB-N は低入力容量、低電圧駆動、低
・ Vds=-30V
オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー
・ Id=-5A (Vgs=-10V)
MOSFET です。
・ Rds(on) < 46mΩ (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 74mΩ (Vgs=-4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
特に指定なき場合、 Ta=25℃
規格値
単位
備考
Vds
Vgs
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Id
Ta=70℃
パルス・ドレイン電流
アバランシェ電流
アバランシェエネルギー
L=0.1mH
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
接続温度範囲及び保存温度範囲
-30
±20
-5
V
V
A
-4
Idm
Ias, Iar
-30
17
A
A
3
3
Eas, Ear
14
2.0
1.3
mJ
3
W
2
-55 ～ 150
℃
Pd
Tj, Tstg
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
t≦10s
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - リード
定常状態
定常状態
Rθja
Rθjl
■端子配列図
Typ.
48.0
Max.
62.5
単位
℃/W
備考
1
74.0
35.0
110.0
40.0
℃/W
℃/W
1, 4
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
1
2
端子記号
SOURCE2
GATE2
3
4
5
SOURCE1
GATE1
DRAIN1
6
7
8
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN2
6-1
��
��
��
��
��
��
デュアルパワー P チャンネル MOSFET
ELM14803AB-N
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
ゼロ・ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=-30V
Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
-30
Ta=55℃
ゲート・スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
-1.5
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
-30
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
Vgs=-10V
Rds(on) Id=-5A
Gfs
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
Ciss
出力容量
Coss
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
Crss
Rg
総ゲート電荷 (10V)
総ゲート電荷 (4.5V)
ゲート - ソース電荷
Qg
Qg
Qgs
V
Ta=125℃
Vgs=-4.5V, Id=-4A
Vds=-5V, Id=-5A
Is=-1A, Vgs=0V
-2.0
-1
-5
μA
±100
nA
-2.5
V
A
32
48
46
68
51
13
-0.7
74
Is
mΩ
-1.0
S
V
-2.5
A
520
pF
Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
100
pF
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
65
7.5
pF
Ω
3.5
11.5
Vgs=-10V, Vds=-15V
Id=-5A
9.2
4.6
1.6
ゲート - ドレイン電荷
ターン・オン遅延時間
ターン・オン立ち上がり時間
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
2.2
7.5
5.5
nC
ns
ns
ターン・オフ遅延時間
ターン・オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) RL=3Ω, Rgen=3Ω
tf
trr
If=-5A, dlf/dt=100A/μs
19.0
7.0
11.0
ns
ns
ns
5.3
nC
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr
If=-5A, dlf/dt=100A/μs
11.0
6.0
nC
nC
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存ます。
2. 許容損失 Pd は１０秒以内の接合部 - 周囲温度の熱抵抗値を用いた Tj(max)=150℃の値です。
3. 繰り返し試験では、パルス幅は Tj(max)=150 度以下となるパルス幅とする。パルス印加時の周期はパルス立
ち上がり時に Tj=25 度となるよう長周期とする。
4. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
5. 標準特性図 1 ～ 6 は 300msパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。
6. これらの特性は 2oz 銅箔の 1 平方インチ FR4 基板、室温無風条件で測定された接合部 - 周囲温度の熱抵抗
値を用いた Tj(max) ＝１５０度の値です。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
6-2
AO4803A
デュアルパワー P チャンネル MOSFET
ELM14803AB-N
■標準特性と熱特性曲線
TYPICAL
ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
30
40
-10V
35
-8V
-6V
30
-5V
20
-ID(A)
-ID (A)
25
VGS=-4.5V
20
15
15
10
-4V
10
5
VDS=-5V
25
125�C
5
VGS=-3.5V
0
0
0
1
2
3
4
0.5
5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
-VGS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note 5)
-VDS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note 5)
80
1.8
Normalized On-Resistance
70
VGS=-4.5V
60
RDS(ON) (mΩ
Ω)
25�C
50
40
30
VGS=-10V
20
VGS=-10V
ID=-5A
1.6
1.4
17
5
VGS=-4.5V
ID=-4A2
10
1.2
1
0.8
10
0
2
4
6
8
0
10
-ID (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage (Note )5)
120
25
50
75
100
125
150
175
1.0
1.2
0
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
18Temperature
(Note )5)
1.0E+02
ID=-5A
1.0E+01
100
40
80
125�C
60
-IS (A)
RDS(ON) (mΩ
Ω)
1.0E+00
125�C
1.0E-01
25�C
1.0E-02
1.0E-03
40
1.0E-04
25�C
20
2
1.0E-05
0.0
4
6
8
10
-VGS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note 5)
0.2
0.4
0.6
0.8
-VSD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note 5)
6-3
AO4803A
デュアルパワー P チャンネル MOSFET
ELM14803AB-N
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
Zθ JA Normalized Transient
Thermal Resistance
10
1
D=Ton/T
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
RθJA=110�C/W
0.1
PD
0.01
Single Pulse
Ton
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 12: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note )6)
6-4
100
1000
AO4803A
デュアルパワー P チャンネル MOSFET
ELM14803AB-N
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
800
10
VDS=-15V
ID=-5A
700
Ciss
600
Capacitance (pF)
-VGS (Volts)
8
6
4
2
500
400
300
Coss
200
100
0
0
2
4
6
8
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
100.0
TA=25�C
10
0
5
10
15
20
25
-VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
30
100.0
TA=100�C
10µs
TA=150�C
10.0
TA=125�C
-ID (Amps)
-IAR (A) Peak Avalanche Current
Crss
0
10.0
RDS(ON)
limited
100µs
1.0
1ms
10ms
0.1
DC
TJ(Max)=150�C
TA=25�C
10s
0.0
1.0
0.01
1
10
100
1000
Time in avalanche, tA (µ
µs)
Figure 9: Single Pulse Avalanche capability (Note )3)
0.1
1
10
-VDS (Volts)
Figure 10: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note )6)
100
10000
TA=25�C
Power (W)
1000
100
10
1
0.00001
0.001
0.1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Single Pulse Power Rating Junction-to-Ambient (Note 6)
6-5
1000
デュアルパワー P チャンネル MOSFET
ELM14803AB-N
AO4803A
■測定回路と波形
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Vgs
Qg
-10V
-
+
VDC
-
Qgd
Qgs
Vds
+
VDC
DUT
Vgs
Ig
Charge
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
RL
Vds
Vgs
DUT
Vgs
VDC
-
td(on)
t d(off)
tr
tf
90%
Vdd
+
Rg
toff
ton
Vgs
10%
Vds
Unclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms
2
L
E AR= 1/2 LIAR
Vds
Vds
Id
Vgs
VDC
-
Vgs
+
Rg
Vdd
BVDSS
Id
I AR
DUT
Vgs
Vgs
Diode Recovery Test Circuit & Waveforms
Q rr = - Idt
Vds +
DUT
Vds -
Isd
Vgs
Ig
Vgs
L
-Isd
+ Vdd
VDC
-
-I F
t rr
dI/dt
-I RM
-Vds
6-6
Vdd

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