データシート

TLP172G
東芝フォトカプラ
フォトリレー
TLP172G
○ PC カードモデム
○ PBX
○ STB (セットトップボックス)
○ 計測装置
単位: mm
TLP172G は、フォト MOS FET と赤外発光ダイオードを光結合させた、
2.54 mm ピッチの 2.54 SOP4 ピンパッケージ (4 ピン、高さ 2.1 mm) のフォ
トリレーです。
このフォトリレーは出力端子間に高耐圧 MOS FET を使用しているため、
モデムやファクシミリのフックリレー、ダイヤルパルスリレーに適していま
す。
さらに実装高さが最大 2.1 mm の SOP ですので、PCMCIA 準拠のカード
型モデムへの応用ができます。
•
SOP (2.54 SOP4) : 高さ 2.1 mm、ピッチ 2.54 mm
•
ノーマリーオフ機能 (1a 接点)
•
阻止電圧
•
トリガ LED 電流 : 3 mA (最大)
•
オン電流
: 110 mA (最大)
•
オン抵抗
: 35 Ω (最大、t < 1 s)
•
オン抵抗
: 50 Ω (最大、定常)
•
入出力間絶縁耐圧 : 1500 Vrms (最小)
•
UL 認定品
: 350 V (最小)
JEDEC
―
JEITA
―
東
: UL1577、ファイル No. E67349
11-5H1
芝
質量: 0.1 g (標準)
ピン接続図 (top view)
1
4
1: アノード
2: カソード
3: ドレイン
2
3
4: ドレイン
製品量産開始時期
2001/12
1
2014-09-22
TLP172G
絶対最大定格 (Ta = 25°C)
項
発
直
目
流
記号
順
光
直流順電流低減率
側
直
流
接
合
電
逆
50
mA
ΔIF/°C
−0.5
mA/°C
VR
5
V
度
Tj
125
°C
止
電
圧
VOFF
350
V
オ
ン
電
流
ION
110
mA
側
温
阻
光
圧
単位
受
電
格
IF
流
( T a >= 2 5 ° C )
定
オン電流低減率
ΔION/°C
−1.1
mA/°C
度
Tj
125
°C
度
Tstg
−55~125
°C
温
度
Topr
−40~85
°C
度
(10 s)
Tsol
260
°C
(AC, 1 min, R.H. <= 60%) (注 1)
BVS
1500
Vrms
接
保
部
温
温
作
ん
絶縁耐圧
注:
合
( T a >= 2 5 ° C )
存
動
は
部
だ
温
本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電
流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
注 1: ピン 1、2 とピン 3、4 をそれぞれ一括し、電圧を印加する。
推奨動作条件
項
使
目
用
記
電
順
電
号
最小
標準
最大
単位
圧
VDD
⎯
⎯
280
V
流
IF
5
7.5
25
mA
オ
ン
電
流
ION
⎯
⎯
100
mA
動
作
温
度
Topr
−20
⎯
65
°C
注:
推奨動作条件は、期待される性能を得るための設計指標です。また、各項目はそれぞれ独立した指標となってお
りますので、設計の際は電気的特性などで規定された値も合わせてご確認願います。
電気的特性 (Ta = 25°C)
項
目
記
号
測定条件
最小
標準
最大
単位
発光側
受光側
順
電
圧
VF
IF = 10 mA
1.0
1.15
1.3
V
逆
電
流
IR
VR = 5 V
⎯
⎯
10
μA
容
量
CT
V = 0, f = 1 MHz
⎯
30
⎯
pF
流
IOFF
VOFF = 350 V
⎯
⎯
1
μA
容
量
COFF
V = 0, f = 1 MHz
⎯
30
⎯
pF
端
子
オ
端
間
フ
子
電
間
2
2014-09-22
TLP172G
結合特性 (Ta = 25°C)
項
ト
復
リ
L
ガ
L
帰
オ
目
E
E
記
D
D
ン
電
電
抵
号
測定条件
最小
標準
最大
単位
流
IFT
ION = 100 mA
⎯
1
3
mA
流
IFC
IOFF = 100 μA
0.1
⎯
⎯
mA
抗
RON
ION = 110 mA, IF = 5 mA, t < 1 s
⎯
25
35
ION = 110 mA, IF = 5 mA
⎯
35
50
最小
標準
最大
単位
⎯
0.8
⎯
pF
⎯
Ω
Ω
絶縁特性 (Ta = 25°C)
項
入
出
絶
力
目
間
浮
縁
記
遊
容
抵
号
CS
量
RS
抗
測定条件
VS = 0 V, f = 1 MHz
VS = 500 V, R.H. <= 60%
5 × 10
縁
耐
BVS
圧
10
14
1500
⎯
⎯
AC, 1 秒間, オイル中
⎯
3000
⎯
DC, 1 分間, オイル中
⎯
3000
⎯
Vdc
最小
標準
最大
単位
⎯
0.3
1
⎯
0.1
1
AC, 1 分間
絶
10
Vrms
スイッチング特性 (Ta = 25°C)
項
タ
タ
ー
ー
目
ン
オ
ン
オ
ン
フ
記
時
時
号
tON
間
tOFF
間
測定条件
RL = 200 Ω
VDD = 20 V, IF = 5 mA
(注 2)
ms
注 2: スイッチング時間測定回路
IF
1
4
RL
VDD
IF
VOUT
2
VOUT
3
10%
tON
3
90%
tOFF
2014-09-22
TLP172G
IF – Ta
ION – Ta
60
40
20
0
−20
200
160
許容 MOS FET 電流
許容順電流
IF
(mA)
80
(mA)
240
ION
100
0
20
40
60
Ta
周囲温度
80
100
120
80
40
0
−20
120
0
20
(°C)
40
IF – V F
120
(°C)
(mA)
Ta = 25°C
IF = 5 mA
ION
100
10
MOS FET オン電流
流
IF (mA)
30
3
1
順
電
100
ION – VON
200
Ta = 25°C
0.3
0.1
0.6
0.8
1.2
1
順
電
圧
1.4
1.6
0
−100
−200
−4
1.8
−3
VF (V)
−2
−1
ION = 110 mA
IF = 5 mA
t<1s
3
4
VON (V)
(mA)
ION = 110 mA
IFT
トリガ LED 電流
20
10
0
2
IFT – Ta
30
0
−20
1
5
RON
40
0
MOS FET オン電圧
RON – Ta
50
(Ω)
80
Ta
周囲温度
100
MOS FET オン抵抗
60
20
周囲温度
40
60
Ta
80
t<1s
4
3
2
1
0
−20
100
(°C)
0
20
周囲温度
4
40
60
Ta
80
100
(°C)
2014-09-22
TLP172G
tON, tOFF – Ta
3000
1000
tON, tOFF (μs)
Ta = 25°C
VDD = 20 V
RL = 200 Ω
300
tOFF
スイッチング時間
スイッチング時間
tON, tOFF (μs)
tON, tOFF – IF
3000
100
30
tON
10
1
3
10
順
電
30
流
100
1000
tON
300
100
tOFF
30
VDD = 20 V
10
−20
300
IF (mA)
RL = 200 Ω
IF = 5 mA
0
20
周囲温度
40
80
Ta
80
100
(°C)
IOFF – Ta
(nA)
10
MOS FET オフ電流
30
IOFF
100
VOFF = 350 V
3
1
0.3
0.1
−20
0
20
周囲温度
40
80
Ta
80
100
(°C)
5
2014-09-22

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