カタログ

形
G3VM-21UR11
MOS FETリレー VSON 低端子間容量＆低オン抵抗タイプ (低C×R)
CSM_G3VM-21UR11_DS_J_1_1
世界最小クラスのパッケージVSON新登場
低C×Rを実現したMOS FETリレー
RoHS適合
■用途例
• 半導体検査装置
• 各種計測機器
• ブロードバンド
• データロガー
■形状
（単位 : mm, 平均値）
※マーキング内容については実際の商品と異なります。
■形式基準
G3 V M - □ □ □ □ □
―――――
① ②③ ④ ⑤
①負荷電圧
2：20V
1.3
②接点構成
1：1a（SPST-NO）
③形状
U：VSON 4ピン
④付加機能
R：低オン抵抗タイプ
2.45
1.45
⑤その他
仕様が重複する場合は、登録順に連番を追加しています。
■種類（納期についてはお取引き商社にお問い合わせください）
形状
接点構成
端子種類
負荷電圧
（最大）＊
連続負荷電流
（最大）
＊
VSON4
1a
サーフェス・
マウント端子
20V
1,000mA
梱包形態/テーピングカット品
梱包形態/テーピング包装
形式
最小梱包
単位（個）
形式
最小梱包
単位
（個）
形G3VM-21UR11
――
形G3VM-21UR11(TR05)
500
（注）
：テーピング包装（サーフェス・マウント端子タイプ）をご注文の際は（TR05）をお付けください。
また、テーピングカット品にてご購入のVSON品は無防湿梱包のため、実装の際は手付けはんだにてお願いいたします。
共通の注意事項を合わせてご参照ください。
＊連続負荷電流（最大）、負荷電圧（最大）：ピークAC、DCを表わします。
■絶対最大定格（Ta＝25℃）
V
S
O
N
項目
LED順電流
入直流順電流低減率
力
側 LED逆電圧
接合部温度
G
3
V
M
I
2
1
U
R
1
1
負荷電圧
（ピークAC/DC）
出連続負荷電流（ピークAC/DC）
力オン電流低減率
側パルスオン電流
記号
IF
ΔIF/℃
形G3VM-21UR11
30
−0.3
単位
mA
mA/℃
VR
TJ
5
125
V
℃
VOFF
IO
20
1,000
V
mA
ΔIO/℃
IOp
−10
3
mA/℃
A
接合部温度
入出力間耐電圧（注1）
TJ
VI-O
125
300
℃
Vrms
使用周囲温度
保管温度
Ta
Tstg
−40∼＋85
−40∼＋125
℃
℃
条件
Ta≧25℃
Ta≧25℃
t=100ms、Duty=1/10
AC1分間
氷結・結露のないこと
はんだ付け温度条件
―
260
℃
10s
（注1）
：入出力間耐電圧の測定は、LEDピン、
受光側ピンをそれぞれ一括し、電圧を印加する。
1
G3VM-21UR11
MOS FETリレー
■電気的性能（Ta＝25℃）
項目
記号
形G3VM-21UR11
1.1
単位
最小
標準
1.27
V
最大
1.4
IR
CT
最大
標準
10
30
μA
pF
VR＝5V
V＝0、f＝1MHz
トリガLED順電流
復帰LED順電流
IFT
IFC
最大
最小
3.0
0.1
mA
mA
IO＝100mA
IOFF=10μA
出最大出力オン抵抗
力
側開路時漏れ電流
端子間容量
入出力間容量
RON
標準
最大
0.18
0.22
Ω
IO＝1,000mA
IF＝5mA、t＜1s、
ILEAK
最大
1
nA
VOFF＝20V
COFF
CI-O
標準
標準
40
1
pF
pF
V＝0、f＝100MHz、t＜1s
f＝1MHz、VS＝0V
入出力間容量絶縁抵抗
動作時間
RI-O
tON
標準
最大
108
2
MΩ
復帰時間
tOFF
最大
1
LED順電圧
VF
入
力逆電流
側端子間容量
ms
条件
IF＝10mA
VI-O＝500VDC、ROH≦60％
IF＝5mA、RL＝200Ω、
VDD＝10V
（注2）
（注2）
：動作・復帰時間
IF
1
4
2
3
RL
VDD
VOUT
IF
VOUT
10％
t ON
90％
t OFF
■推奨動作条件
推奨動作条件は、高い信頼度でご使用いただくため、最大定格・電気的性能に対してディレーティングを考慮した指標です。
各項目は独立した条件であり、複合条件を同時に満たすものではありません。
項目
形G3VM-21UR11
単位
VDD
最大
最小
16
5
V
動作LED順電流
IF
標準
最大
7.5
20
連続負荷電流（ピークAC/DC）
IO
負荷電圧（ピークAC/DC）
動作温度
記号
Ta
最大
1,000
最小
−20
最大
65
mA
℃
V
S
O
N
G
3
V
M
I
2
1
U
R
1
1
2
G3VM-21UR11
MOS FETリレー
■参考データ
LED順電流−周囲温度
連続負荷電流−周囲温度
(最大値)
35
30
25
LED順電流−LED順電圧
IO - Ta
(最大値)
1200
1000
800
mA
mA 20
ＬＥＤ順電流︵︶
連続負荷電流︵︶
ＬＥＤ順電流︵︶
IF - Ta
IF - VF
(平均値)
100
Ta=25℃
Ta=−40℃
Ta=85℃
10
mA
600
15
1
400
10
200
5
0
-40
0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
-20
0
20
40
60
連続負荷電流−MOS FETオン電圧
IF=5mA
t<1s
A
RON - Ta
0.5
Io=1,000mA
IF=5mA
0.4
t<1s
0.3
0
0.2
-1.2
-0.2
mA
-0.1
0
0.1
0
-40
0.2
-20
0
20
40
MOS FETオン電圧 (V)
80
IFT - Ta
(平均値)
Io=100mA
t<1s
2
1
tON
µs
100
tON, tOFF - Ta
tON
RL=200Ω
RL=200Ω
Ta=25͠
IF=5mA
10
-40
100
tOFF
Ta=25͠
1000
pA
100
40
80
100
ILEAK - VOFF
(平均値)
100
Ta=25͠
80
60
0
-20
0
20
40
60
60
80
100
相対出力端子間容量−負荷電圧
(平均値)
80
100
周囲温度 (℃)
相対出力端子間容量 COFF/COFF︵︶
開路時漏れ電流︵︶
ILEAK - Ta
20
60
20
周囲温度 (℃)
開路時漏れ電流−周囲温度
0
40
40
VDD=10V
10
-20
20
pA
100
LED順電流 (mA)
10
-40
0
開路時漏れ電流−負荷電圧
(平均値)
1000
VDD=10V
10
10000
-20
周囲温度 (℃)
開路時漏れ電流︵︶
1000
1
0
-40
100
動作、
復帰時間−周囲温度
(平均値)
動作、復帰時間︵︶
動作、復帰時間︵︶
tON, tOFF - IF
60
tOFF
3
1.6
3
周囲温度 (℃)
動作、復帰時間−LED順電流
G
3
V
M
I
2
1
U
R
1
1
1.4
0.1
-0.8
V
S
O
N
1.2
トリガLED順電流−周囲温度
(平均値)
-0.4
µs
1
LED順電圧 (V)
トリガＬＥＤ順電流︵︶
Ta=25͠
0.4
出力オン抵抗−周囲温度
出力オン抵抗︵ Ω︶
連続負荷電流︵︶
(平均値)
1.2
0.8
0.1
0.8
100
周囲温度 (℃)
周囲温度 (℃)
IO - VON
80
0V
COFF - VOFF
(平均値)
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
Ta=25͠
0
0
5
10
15
20
負荷電圧 (V)
0
5
10
15
20
負荷電圧 (V)
G3VM-21UR11
MOS FETリレー
■外観/端子配置/内部接続図
■外観
■端子配置/内部接続図（TOP VIEW）
VSON (Very Small Outline Non-leaded)
VSON4ピン
形名
2UB
1.03
1ピンマーク
LOT.NO.
注. マーキングの内容は各商品で異なります。
2
U
4 B
3
2
■外形寸法
（単位：mm）
サーフェス・マウント端子
実装パッド寸法（推奨値）(TOP VIEW)
1.45±0.1
2.45±0.1
質量：0.01g
0.75
1
1.3±0.1
0.25
0.55
0.8±0.1
0.45±0.1
0.85±0.1
0.85±0.1
注. マーキングの内容は各商品で異なります。
■海外規格認証
UL規格申請予定
■正しくお使いください
• 共通の注意事項は、
「MOS FETリレー共通の注意事項」
をご覧ください。
V
S
O
N
G
3
V
M
I
2
1
U
R
1
1
4

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