SCTMU001F Datasheet N-channel SiC power MOSFET 外観図 VDSS 400V RDS(on) (Typ.) 120m ID 20A PD 132W TO220AB 内部回路図 特長 1) 低オン抵抗 (2) (1) ゲート (2) ドレイン (3) ソース 2) 高速スイッチングスピード 3) 高速リカバリー *1 (1) 4) 並列使用が容易 *1 内部ダイオード 5) 駆動回路が簡単 (3) 6) Pbフリー対応済み、 RoHS準拠 包装仕様 チューブ 包装形態 用途 ・音楽用 タイプ リールサイズ (mm) - テープ幅 (mm) - 基本発注単位(個) 50 テーピングコード SCTMU001F 標印 絶対最大定格 (Ta = 25C) Parameter ドレイン・ソース間電圧 ドレイン電流(直流) Tc = 25C Symbol Value Unit VDSS 400 V ID *1 20 A 60 A ID,pulse ドレイン電流(パルス) *2 ゲート・ソース間電圧 VGSS -6 ~ 22 V 許容損失 (Tc = 25C) PD 132 W ジャンクション温度 Tj 150 C Tstg -55 to 150 C 保存温度 www.rohm.com © 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/9 2013.12 - Rev.A Data Sheet SCTMU001F 熱抵抗 Parameter Symbol Values Min. Typ. Max. Unit 熱抵抗(ジャンクション・ケース間) RthJC - 0.72 0.95 C/W 実装温度(ウエーブソルダリング 10秒) Tsold - - 265 C 電気的特性 (Ta = 25°C) Parameter ドレイン・ソース降伏電圧 Symbol V(BR)DSS Conditions Values Unit Min. Typ. Max. 400 - - V Tj = 25C - 0.1 1 A Tj = 150°C - 0.5 - VGS = 0V, ID = 1mA VDS = 400V, VGS = 0V ドレイン遮断電流 IDSS ゲート漏れ電流 IGSS+ VGS = +22V, VDS = 0V - - 100 nA ゲート漏れ電流 IGSS- VGS = -6V, VDS = 0V - - -100 nA 1.6 - 4.0 V Tj = 25C - 120 156 m Tj = 100°C - 137 - f = 1MHz, open drain - 14 - ゲートしきい値電圧 VGS (th) VDS = VGS, ID = 3.3mA VGS = 18V, ID = 10A ドレイン・ソース間オン抵抗 ゲート抵抗 RDS(on) RG *3 *1 安全動作領域内でご使用ください。 *2 PW 10s, Duty cycle 1% *3 パルス負荷 www.rohm.com © 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2/9 2013.12 - Rev.A Data Sheet SCTMU001F 電気的特性 (Ta = 25°C) Parameter Symbol Conditions Values Min. Typ. Max. 伝達コンダクタンス gfs *3 VDS = 10V, ID = 10A - 2.7 - 入力容量 Ciss VGS = 0V - 1218 - 出力容量 Coss VDS = 200V - 102 - 帰還容量 Crss f = 1MHz - 14 - VDD = 300V, ID = 5A - 22 - VGS = 18V/0V - 23 - RL = 60 - 67 - RG = 0 - 30 - ターンオン遅延時間 tr 上昇時間 ターンオフ遅延時間 *3 td(on) *3 *3 td(off) tf *3 下降時間 Unit S pF ns ゲート電荷量特性 (Ta = 25°C) Parameter Symbol ゲート総電荷量 Qg *3 ゲート・ソース間電荷量 Qgs *3 ゲート・ドレイン間電荷量 Qgd *3 Conditions Values Min. Typ. Max. VDD = 200V - 59 - ID = 5A - 13 - VGS = 18V - 18 - Unit nC 内部ダイオード特性 (ソース・ドレイン間) (Ta = 25°C) Parameter 順方向電流 Symbol *1 IS ISM *2 順方向電圧 VSD *3 逆回復電荷量 逆回復ピーク電流 www.rohm.com © 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. trr Values Unit Min. Typ. Max. - - 20 A - - 60 A - 4.3 - V - 29 - ns - 53 - nC - 3.1 - A Tc = 25C 尖頭順サージ電流 逆回復時間 Conditions VGS = 0V, IS = 10A *3 Qrr *3 Irrm *3 IF = 10A, VR = 400V di/dt = 165A/s 3/9 2013.12 - Rev.A Data Sheet SCTMU001F 電気的特性曲線 Fig.2 Maximum Safe Operating Area Fig.1 Power Dissipation Derating Curve 140 1000 Operation in this area is limited by RDS(ON) 100 100 Drain Current : ID [A] Power Dissipation : PD [W] 120 80 60 40 PW =100s PW = 1ms PW = 10ms PW =100ms 10 1 Ta = 25ºC Single Pulse 20 0.1 0 0 50 100 150 200 1 10 100 1000 Drain - Source Voltage : VDS [V] Junction Temperature : Tj [°C] Transient Thermal Resistance : Rth [K/W] Fig.3 Typical Transient Thermal Resistance vs. Pulse Width 1 0.1 Ta = 25ºC Single Pulse 0.01 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 Pulse Width : PW [s] www.rohm.com © 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 4/9 2013.12 - Rev.A Data Sheet SCTMU001F 電気的特性曲線 Fig.4 Typical Output Characteristics Fig.5 Tj = 150°C Typical Output Characteristics 20 20 VGS= 18V VGS= 16V VGS= 14V 18 VGS = 18V VGS = 16V VGS = 14V VGS = 12V 18 16 14 14 12 Drain Current : ID [A] Drain Current : ID [A] 16 Ta = 25ºC Pulsed 12 VGS= 12V VGS= 10V VGS= 8V VGS= 6V 10 8 VGS = 10V VGS = 8V VGS = 6V VGS = 4V 10 6 4 2 8 6 4 2 0 0 2 4 6 8 10 12 14 0 6V 16 0 2 4 6 8 10 12 14 16 Drain - Source Voltage : VDS [V] Drain - Source Voltage : VDS [V] Fig.7 Gate Threshold Voltage vs. Junction Temperature Fig.6 Typical Transfer Characteristics 10 4 Gate Threshold Voltage : V GS(th) [V] VDS = 10V Pulsed 1 Drain Current : ID [A] Ta = 150ºC Pulsed Ta= 150ºC Ta= 75ºC Ta= 25ºC Ta= -25ºC 0.1 0.01 0.001 0 2 4 6 8 10 3 2.5 2 1.5 1 0.5 0 -50 0 50 100 150 Junction Temperature : Tj [°C] Gate - Source Voltage : VGS [V] www.rohm.com © 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. VDS = 10V ID = 3mA 3.5 5/9 2013.12 - Rev.A Data Sheet SCTMU001F 電気的特性曲線 0.5 Ta = 25ºC Pulsed 0.4 Fig.9 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Junction Temperature Static Drain - Source On-State Resistance : RDS(on) [Ω] Static Drain - Source On-State Resistance : RDS(on) [Ω] Fig.8 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Gate - Source Voltage 0.3 VGS = 18V Pulsed 0.25 0.3 0.2 ID = 20A 0.15 0.2 ID = 10A 0.1 0.1 ID = 10A 0.05 0 6 8 10 12 14 16 18 20 0 -50 22 Gate - Source Voltage : VGS [V] 100 150 Fig.11 Transconductance vs. Drain Curren 1 10 VGS = 18V Pulsed VDS = 10V Pulsed Transconductance : gfs [S] Static Drain - Source On-State Resistance : RDS(on) [Ω] 50 Junction Temperature : Tj [ºC] Fig.10 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Drain Current Ta = 150ºC Ta = 125ºC Ta = 75ºC Ta = 25ºC Ta = -25ºC 1 0.1 0.1 0 1 10 100 Drain Current : ID [A] www.rohm.com © 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Ta = 150ºC Ta = 75ºC Ta = 25ºC Ta = -25ºC 0.1 0.1 1 10 Drain Current : ID [A] 6/9 2013.12 - Rev.A Data Sheet SCTMU001F 電気的特性曲線 Fig.12 Typical Capacitance vs. Drain - Source Voltage Fig.13 Dynamic Input Characteristics 20 Gate - Source Voltage : VGS [V] Capacitance : C [pF] 10000 Ciss 1000 Coss 100 Ta = 25ºC f = 1MHz VGS = 0V Crss 10 0.1 1 10 100 1000 Drain - Source Voltage : VDS [V] Ta = 25ºC VDD =200V ID = 5A Pulsed 15 10 5 0 0 10 20 30 40 50 60 Total Gate Charge : Qg [nC] Fig.14 Switching Characteristics 1000 Ta = 25ºC VDD = 300V VGS = 18V RG = 0Ω Pulsed Switching Time : t [ns] tf 100 td(off) td(on) tr 10 0.1 1 10 100 Drain Current : ID [A] www.rohm.com © 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 7/9 2013.12 - Rev.A Data Sheet SCTMU001F 測定回路図 Fig.1-1 スイッチング時間測定回路 VGS Fig.1-2 スイッチング波形 Pulse width ID VDS RL D.U.T. 50% 10% VDD RG 90% 50% 10% VGS VDS 10% 90% td(on) 90% td(off) tr ton Fig.2-1 ゲート電荷量測定回路 VGS toff Fig.2-2 ゲート電荷量波形 VG ID VDS Qg RL IG(Const.) tf VGS D.U.T. Qgs VDD Qgd Charge www.rohm.com © 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 8/9 2013.12 - Rev.A Data Sheet SCTMU001F 外形寸法図 (Unit : mm) TO-220AB www.rohm.com © 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 9/9 2013.12 - Rev.A Notice ご 注 意 1) 本資料の記載内容は改良などのため予告なく変更することがあります。 2) 本資料に記載されている内容は製品のご紹介資料です。ご使用に際しては、別途最新の仕様書を必ず ご請求のうえ、ご確認ください。 3) ロームは常に品質・信頼性の向上に取り組んでおりますが、半導体製品は種々の要因で故障・誤作動する 可能性があります。 万が一、本製品が故障・誤作動した場合であっても、その影響により人身事故、火災損害等が起こらない ようご使用機器でのディレーティング、冗長設計、延焼防止、バックアップ、フェイルセーフ等の安全確保 をお願いします。定格を超えたご使用や使用上の注意書が守られていない場合、いかなる責任もローム は負うものではありません。 4) 本資料に記載されております応用回路例やその定数などの情報につきましては、本製品の標準的な動作 や使い方を説明するものです。 したがいまして、量産設計をされる場合には、外部諸条件を考慮していただきますようお願いいたします。 5) 本資料に記載されております技術情報は、製品の代表的動作および応用回路例などを示したものであり、 ロームまたは他社の知的財産権その他のあらゆる権利について明示的にも黙示的にも、その実施また は利用を許諾するものではありません。上記技術情報の使用に起因して紛争が発生した場合、ロームは その責任を負うものではありません。 6) 本製品は、一般的な電子機器(AV機器、OA機器、通信機器、家電製品、アミューズメント機器など) および本資料に明示した用途への使用を意図しています。 7) 本資料に掲載されております製品は、耐放射線設計はなされておりません。 8) 本製品を下記のような特に高い信頼性が要求される機器等に使用される際には、ロームへ必ずご連絡 の上、承諾を得てください。 ・輸送機器(車載、船舶、鉄道など)、幹線用通信機器、交通信号機器、防災・防犯装置、安全確保のため の装置、医療機器、サーバー、太陽電池、送電システム 9) 本製品を極めて高い信頼性を要求される下記のような機器等には、使用しないでください。 ・航空宇宙機器、原子力制御機器、海底中継機器 10) 本資料の記載に従わないために生じたいかなる事故、損害もロームはその責任を負うものではありません。 11) 本資料に記載されております情報は、正確を期すため慎重に作成したものですが、万が一、当該情報の 誤り・誤植に起因する損害がお客様に生じた場合においても、ロームはその責任を負うものではありま せん。 12) 本製品のご使用に際しては、RoHS 指令など適用される環境関連法令を遵守の上ご使用ください。 お客様がかかる法令を順守しないことにより生じた損害に関して、ロームは一切の責任を負いません。 本製品の RoHS 適合性などの詳細につきましては、セールス・オフィスまでお問合せください。 13) 本製品および本資料に記載の技術を輸出又は国外へ提供する際には、「外国為替及び外国貿易法」、 「米国輸出管理規則」など適用される輸出関連法令を遵守し、それらの定めにしたがって必要な手続を 行ってください。 14) 本資料の一部または全部をロームの許可なく、転載・複写することを堅くお断りします。 ローム製品のご検討ありがとうございます。 より詳しい資料やカタログなどご用 意しておりますので、お問合せください。 ROHM Customer Support System http://www.rohm.co.jp/contact/ www.rohm.com © 2013 ROHM Co., Ltd. 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