13.3 Si プロセス・配線 - 早稲田大学ナノ理工学研究機構

13 半導体 A（シリコン）
6「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」（30 分）
Chemical Structure of Interfacial Transition Layer Formed on
Si(100)andItsDependenceonOxidationTemperature,Annealingin
FormingGas,andDiﬀerenceinOxidizingSpecies
東北大 1，ステラケミファ 2，都市大 3，JASRI4 ○諏訪智之 1，寺本章伸 1，
熊谷勇喜 1，阿部健一 1，李翔 1，中尾幸久 1，山本雅士 2，野平博司 3，
室隆桂之 44，木下豊彦 4，須川成利 1，大見忠弘 1，服部健雄 1
7 SiO2/Si 界面の緩和エネルギーから推定した誘電率の評価
早大理工 1，東京都市大 2，宇宙研 3　○森谷真帆 1,3，天野裕士 2,3，
小林大輔 3，山本知之 1，廣瀬和之 3
8 分子軌道法を用いて求めた回復率の検討
早大理工 1，宇宙研 2　○若尾周一郎 1,2，廣瀬和之 2，小林大輔 2，山本知之 1
△9 SiN 膜組成制御による MONOS 型メモリ消去速度 - 保持特性両立
東芝　○藤井章輔，草井　悠，佐久間究，小山正人
10低温 Kr/O2プラズマ酸化法による SiO 2/Si 構造の作製および評価
東京農工大工　○藤川雄太，上野智雄，岩崎好孝
△11ポリシラザン塗布膜の CO2レーザーアニールと多結晶シリコン薄膜トランジ
スタ応用
奈良先端大 1，CREST2，九大 3　○菱谷大輔 1，堀田昌宏 1,2，
石河泰明 1,2，渡辺陽介 3，池上　浩 3，浦岡行治 1,2
▲12Improvement of S-factor method for evaluation of MOS interface state
density
Tokyo Univ.1，JST CREST2　○（D）Weili Cai1,2，
Mitsuru Takenaka1,2，Shinichi Takagi1,2
昼食 12:30 ∼ 14:00
19p-A17 - 1 〜 11
1「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分）
HfO2 成膜前アニールにより形成した GaOx パッシベーション層形成による
Sub-1.0nmEOTHfO2/In0.53Ga0.47AsnMISFET の電子移動度向上
産総研 GNC ○小田穣，入沢寿史，ジェバスワンウィパコーン，
前田辰郎，上牟田雄一，手塚勉
△2 窒素プラズマ処理を施した Al2O3/GaSb MOS 構造の特性評価
東京理科大院 1，産総研 2　○（M2）後藤高寛 1,2，藤川紗千恵 1，
藤代博記 1，小倉睦郎 2，安田哲二 2，前田辰郎 1,2
3 ALD 法を用いた Al2O3膜の酸化剤による膜質の検討
早大ナノ機構　○野崎義人，関口哲志，平岩　篤，川原田洋
△4 ALD 形成 Al2O3/GeO2/p-Ge の電気的特性に及ぼす熱処理効果の検討
諏訪東京理科大 1，山梨大 2　○梁池昂生 1，横平知也 1，山田大地 1，
王谷洋平 1，関　渓太 2，佐藤哲也 2，福田幸夫 1
5 Al2O3/GeO2/p-Ge の電気特性に及ぼす酸素ラジカル照射の効果
諏訪東京理科大 1，山梨大 2　○王谷洋平 1，梁池昂生 1，横平知也 1，
山田大地 1，関　渓太 2，佐藤哲也 2，福田幸夫 1
6 ALD により形成した Al2O3/Ge ゲートスタックに於ける Kr/O2 ECR プラズマ
酸化効果
九大院総合理工学府 1，九大産学連携センター 2　○（M2）長岡裕一 1，
永冨雄太 1，山本圭介 2，王　冬 1，中島　寛 2
休憩 15:30 ∼ 15:45
△7 プラズマ後窒化 HfO2/Al2O3/SiGe0.32 MOS 界面の電極依存性
東大院工 1，JST-CREST2　○（D）韓　在勲 1,2，竹中　充 1,2，高木信一 1,2
8 CVD 法による Ge 酸化膜の作製と評価
農工大工　○（M2）松岡悠斗，岩崎好孝，上野智雄
9 Hf-PMA による良質な GeO2/Ge 界面と GeO2絶縁膜の性質変化
東京農工大工　○新井田淳平，中谷友哉，岩崎好孝，上野智雄
10Kr/O2プラズマを用いた GeO 2/Ge 界面特性の改善
東京農工大工　○中谷友哉，新井田淳平，岩崎好孝，上野智雄
11パルス MOCVD 法により作製した GeO2薄膜を用いたゲートスタック構造の
界面構造と電気的特性
名大院工 1，学振特別研究員 2　○柴山茂久 1,2，吉田鉄兵 1，加藤公彦 1，
坂下満男 1，竹内和歌奈 1，田岡紀之 1，中塚　理 1，財満鎭明 1
----------------------------------------------------------------------------------- 13.2絶縁膜技術
9 月 20 日
20a-PA3 - 1 〜 7
----------------------------------------------------------------------------------- 13.3Si プロセス・配線・MEMS・集積化技術
9 月 17 日
17p-PA1 - 1 〜 16
ポスターセッション
1 高温高湿下で絶縁膜上に形成されるシリコン酸化層
三菱電機 1，メルコセミコンダクターエンジニアリング 2　○奥　友希 1，
奥村　学 2，志賀俊彦 1，戸塚正裕 1，渡辺　斉 1
△2 シリコン酸窒化膜の内殻準位化学シフトと表面モフォロジーの関連
弘前大院理工　○高見貴弘，和田　誠，遠田義晴
3 シリコン窒化膜の常磁性欠陥に対する熱処理の効果 ( Ⅲ )
東海大院工 1，東海大工 2　○（M2）鈴木亜嵐 1，
永島大樹 2，林　宏紀 2，小林清輝 1,2
4 低誘電率 SiCN 電荷捕獲層の正孔捕獲特性
東海大院工　○（M1）田中　伸，内藤慎二，小林清輝
5 多結晶 HfO2膜における絶縁破壊箇所の同定
筑波大 1，産総研 2　○戸村有佑 1，蓮沼　隆 1，山部紀久夫 1，右田真司 2
ポスターセッション
17p-PA1-1 ∼ 16 ポスター展示時間 13:30 ∼ 15:30
1 高機能非冷却赤外線センサの高性能化 III - ナノギャップ 3 次元プラズモニッ
クメタマテリアル吸収体の作製三菱電機 1，立命館大 2　○植月満治 1，秦　久敏 1，三崎浩司 1，
小川新平 1，藤澤大介 1，木股雅章 2
2 3D スプリングを用いた可変プラズモニック構造とその光学特性
山形大院理工　○西山宏昭，阿部佑真，市村琢朗，大関透典，齋藤泰登
△3 小型分光器の実現に向けた面内回転型 MEMS 分光デバイス
香川大　○岡　勇作，篠崎亮輔，下川房男，大平文和，高尾英邦
△4 集積化 CMOS-MEMS 加速度センサへ向けた sub-1G 静電容量型センサの検討
東工大 1，NTT-AT2，東大 3　○亀井将太 1，山根大輔 1，小西敏文 2，
松島隆明 2，年吉　洋 3，町田克之 1,2，益　一哉 1
5 積層メタル構造による 3 軸加速度センサの検討
NTT-AT1，東工大 2，東大 3　○松島隆明 1，小西敏文 1，
山根大輔 2，年吉　洋 3，益　一哉 2，町田克之 1,2
6 エネルギーハーベスティングデバイスの検討 (4)
NTT-AT1，東工大 2，東大 3　○小西敏文 1，山根大輔 2，
松島隆明 1，益　一哉 2，年吉　洋 3，町田克之 1,2
7 壁面に熱電対を配置したマイクロ流路デバイス
豊田工大　○（B）柴田真宏，山口貴大，熊谷慎也，佐々木実
8 MEMS によるマイクロ流体界面での反応性プラズマ形成
豊田工大　○柄崎克樹，熊谷慎也，佐々木実
9 連続発振 Si レーザ結晶化におけるマルチラインビーム化の効果
広島大 RNBS1，東北大院 2　○平田達誠 1，黒木伸一郎 1，
山野真幸 1，佐藤　旦 1，小谷光司 2，吉川公麿 1
10高性能 poly-Si TFT 特性とチャネル結晶面方位との相関
広島大ナノデバイス 1，東北大工 2　○山野真幸 1，黒木伸一郎 1，
平田達誠 1，佐藤　旦 1，小谷光司 2，吉川公麿 1
▲11Pulsed-Laser-Microcrystallization of Si Thin Films on Metal Films with
Crystallization-Induction Layers of YSZ by the Two-Step Irradiation
Method
JAIST　〇 Lien Mai，Susumu Horita
△12a-Si 膜の軟 X 線照射結晶化における横方向成長
兵庫県立大院工 1，兵庫県立大高度研 2　○平野翔大 1，
草壁　史 1，部家　彰 1，松尾直人 1，神田一浩 2
13透明導電膜付きポリカーボネート基板上における多結晶シリコン薄膜の結晶
成長
山口大院理工 1，琉球大 2　○河本直哉 1，只友一行 1，野口　隆 2，岡田竜弥 2
14Ni シリサイド化速度の Si 結晶構造依存性 - 分子動力学法による解析早大理工　○橋本修一郎，小杉山洋希，セイソン，
武井康平，木谷　哲，図師知文，渡邉孝信
15金属 Germanide の相図と Ge 界面におけるショットキーバリア
千葉大理　○（DC）飯塚将太，中山隆史
16炭素を用いた Cu 拡散抑制の検討
芝浦工大　○ラーエドアルスバイエ，山下　諒，上野和良
----------------------------------------------------------------------------------- 13.3Si プロセス・配線・MEMS・集積化技術
9 月 18 日　9:00 〜 17:45
18a-A19 - 1 〜 13
20a-PA3-1 ∼ 7 ポスター展示時間 9:30 ∼ 11:30
6 High-k/ High-k 界面におけるダイポール形成の可能性の検討
早大理工 1，早大ナノ機構 2，物材機構 3，明大理工 4，兵庫県立大 5，
JST-CREST6　○橋口誠広 1，志村昂亮 1，功刀遼太 1，知京豊裕 3，
小椋厚志 4,6，佐藤真一 5,6，渡邉孝信 1,2,6
7 Si(001) 上の GaSb ﾅﾉｺﾝﾀｸﾄﾍﾃﾛｴﾋﾟ成長と HfO2/GaSb MOS 特性
産総研 1，物材機構 2，東大院工 3　○宮田典幸 1，大竹晃浩 2，
市川昌和 3，森　貴洋 1，安田哲二 1
1 軟 X 線照射による B10H14注入 Si 基板中の B 原子活性化
兵庫県立大 1，兵庫県立大高度研 2　○部家　彰 1，平野翔大 1，
草壁　史 1，松尾直人 1，神田一浩 2
2 Bi 原子細線をドーパント源とする Si 結晶中の Bi\delta ドーピング法：　EXAFS によるドーピング機構解明
物材機構 1，筑波大院数物 2，JASRI3　村田晃一 1,2，新田清文 3，
宇留賀朋哉 3，寺田靖子 3，日塔光一 1，坂田修身 1，○三木一司 1,2
3 Bi 原子細線をドーパント源とする Si 結晶中の Biδ ドーピング法 : アニール
温度の再考
物材機構 1，筑波大院数物 2　○（M2）金澤　孝 1,2，
村田晃一 1,2，日塔光一 1，三木一司 1,2
4 リン酸溶液中レーザドーピングによる Ge ダイオードの低温形成
名大院工 1，学振 PD2，九大院シス情 3　○高橋恒太 1，黒澤昌志 1,2，
池上　浩 3，坂下満男 1，竹内和歌奈 1，中塚　理 1，財満鎭明 1
5 Sn/Ge コンタクトにおけるショットキー障壁高さの Ge 面方位依存性
名大院工 1，学振特別研究員 2　○鈴木陽洋 1，鄧　云生 1，
黒澤昌志 1,2，坂下満男 1，中塚　理 1，財満鎭明 1
6 WSin/Ge 接合の結合状態とフェルミレベルピニング解除
産総研ナノエレ 1，JST- さきがけ 2，産総研ナノシステム 3，産総研 4
○内田紀行 1，岡田直也 1,2，宮崎剛英 3，福田浩一 1，金山敏彦 4
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