三菱シリコンRFデバイス

三菱シリコンRFデバイス
無線通信ネットワークを支える三菱シリコン R F デバイス
シリコン高周波デバイスは、数 MHz∼1GHz にわたる周波数帯域の移動無線通信機器送信段電力増幅用キーパーツとして、
官公庁向けをはじめとする各種移動業務無線機、アマチュア無線機、および車載 TELEMATICS 市場等に幅広く採用され、
今後も無線通信ネットワークを、力強くサポートしていきます。
ラインアップ
ラインアップ
セレクション
マップ
シリコンRFデバイス
3.6V動作高出力MOSFET
FET
1
〈ディスクリート〉
ページ
7.2V動作高出力MOS FET
1
〈ディスクリート〉
ページ
12.5V動作高出力MOS FET
1
セレクションマップ
〈ディスクリート〉
ハイブリッドIC
ページ
2
7.2V動作高出力MOS FETモジュール
ページ
9.6V動作高出力MOS FETモジュール
ページ
12.5V動作高出力MOS FETモジュール
ページ
2
2
製品
一覧表
3
ページ
3
ページ
3
ページ
5
ページ
5
ページ
6
ページ
製品一覧表
セレクションマップ
■ 3.6V/7.2V/12.5V 動作高出力 MOS FET〈ディスクリート〉
100
RD100HHF1
：12.5V 動作
：7.2V 動作
応用例
：3.6V 動作
RD70HUF2
RD70HHF1
RD70HVF1
RD60HUF1
50
RD45HMF1
パッケージ外形図
出力電力
[W]
RD50HMS2 ★★
RD35HUF2
RD30HMS2 ★★
RD30HVF1
RD12MVP1/RD12MVS1
RD30HUF1
RD20HMF1
RD10MMS2 ★
RD15HVF1
RD16HHF1
10
RD09MUP2
RD06HHF1
5
RD07MUS2B
RD05MMP1
RD02LUS2 ★
RD06HVF1
RD02MUS1B
RD01MUS2B
RD00HVS1
RD00HHS1
10
30
135
175
300
520
周波数 [M H z]
★：新製品 ★★：開発中
1
RD04LUS2 ★
700
RD04HMS2
900
1GHz
RA80H1415M1★
80
60
ラインアップ
■ 7.2V/9.6V/12.5V 動作高出力 MOS FET モジュール
RA60H3847M1/3847M1A★/
4047M1/4452M1/4452M1A★
RA60H1317M/1317M1A/1317M1B★
：12.5V 動作
：9.6V 動作
：7.2V 動作
RA55H3340M/3847M/4047M/4452M
セレクションマップ
50
RA45H4045MR/4047M/4452M
RA45H7687M1
RA45H8994M1
製品一覧表
40
[W]
RA35H1516M
出力電力
RA33H1516M1
RA30H1317M/1317M1/1317M1A★
30
応用例
RA30H1721M
RA30H3340M/3847M1A★/4047M/4047M1/
4452M/4452M1A★/4552M1
RA30H2127M
RA30H0608M
RA20H8087M
RA20H8994M
20
RA07M0608M
10
RA08N1317M RA08H1317M
RA07M1317M
RA13H8891MA/8891MB
RA07N3340M/4047M/4452M
RA07H3340M/4047M/4452M
RA08H3843MD/4547MD
RA07M3340M/4047M/4452M
RA07M2127M
RA07M3843M
RA07H0608M
パッケージ外形図
RA13H3340M/4047M/4452M
RA13H1317M
RA06H8285M
RA03M9595M (8V)
RA02M8087MD
RA03M8087M
RA03M8894M
RA03M3540MD/4043MD/4547MD
68
88
135
175 218
270
330
520
806
870
889
941
周波数 [M H z]
★：新製品
2
製品一覧表
■ 3.6V 動作高出力 MOS FET〈ディスクリート〉
ラインアップ
Type Number
RD02LUS2 ★
RD04LUS2 ★
Structure
Si, MOS †
Si, MOS †
Max.ratings
VDSS [V]
Pch [W]
25
25
15.6
46.3
Vdd [V]
f [MHz]
Pin [W]
3.6
3.6
470
527
0.2
04
Vdd [V]
f [MHz]
Pin [W]
527
175/520
941
135~175
450~527
520
870
175
175
0.03
0.05/0.05
0.7
0.3
0.4
0.8
1
0.5
1
Vdd [V]
f [MHz]
Pin [W]
30
175
135~175
380~470
890~950
30
175
175/520
30
900
175
520
135~175
450~530
900
135~175
450~530
900
135~175
450~530
900
520
30
175/520
135~175
450~530
30
0.004
0.005
0.2
0.2
0.2
0.15
0.3
0.6/3
0.4
3
1
3
3
3
5
3
3
15
4
5.5
7
10
3.5
6/10
4
5.5
7
Po (min)
nd (min)
[W]
[%]
Package
Outline
2.3typ.
4.5typ.
70typ.
65typ.
SOT-89
SLP
Po (min)
nd (min)
[W]
[%]
Package
Outline
1.6typ.
2/2
5.5
6.3
7
8
12typ.
10
11.5
70typ.
55/50
43
58
58
50
58typ.
55
55
SOT-89
SLP
PMM
Po (min)
nd (min)
[W]
[%]
Package
Outline
0.3
0.5
5.5typ.
6typ.
5typ.
6
6
15/15
16
20
30
30
45typ.
43typ.
40typ.
45typ.
43typ.
45
84typ.
75typ.
57typ.
60
70
70/50
84typ.
75typ.
100
55
50
73typ.
62typ.
53typ.
55
60
55/50
55
50
55
50
72typ.
60typ.
55typ.
72typ.
60typ.
45
74typ.
64typ.
55typ.
50
55
55/50
74typ.
64typ.
55
Ta=25℃ ✝：ゲート保護ダイオード内蔵 ★：新製品
■ 7.2V 動作高出力 MOS FET〈ディスクリート〉
Type Number
Structure
Max.ratings
VDSS [V]
Pch [W]
セレクションマップ
RD01MUS2B
RD02MUS1B
RD05MMP1
Si, MOS †
Si, MOS
Si, MOS
25
30
30
3.6
21.9
73
7.2
7.2
7.2
RD07MUS2B
Si, MOS †
25
50
7.2
RD09MUP2
RD10MMS2 ★
RD12MVP1
RD12MVS1
†
30
40
50
50
83
62
125
50
7.2
7.2
7.2
7.2
Si, MOS
Si, MOS †
Si, MOS
Si, MOS
SLP
PMM
SLP
PMM
SLP
Ta=25℃ ✝：ゲート保護ダイオード内蔵 ★：新製品
製品一覧表
■ 12.5V 動作高出力 MOS FET〈ディスクリート〉
Type Number
Structure
Pch [W]
応用例
パッケージ外形図
RD00HHS1
RD00HVS1
Si, MOS
Si, MOS
30
30
3.1
3.1
12.5
12.5
RD04HMS2
Si, MOS †
40
50
12.5
RD06HHF1
RD06HVF1
RD15HVF1
RD16HHF1
RD20HMF1
RD30HVF1
RD30HUF1
Si, MOS
Si, MOS
Si, MOS
Si, MOS
Si, MOS
Si, MOS
Si, MOS
50
50
30
50
30
30
30
27.8
27.8
48
56.8
71.4
75
75
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
RD30HMS2 ★★
Si, MOS †
40
166
12.5
RD35HUF2
Si, MOS †
40
166
12.5
RD45HMF1
Si, MOS
30
125
12.5
RD50HMS2 ★★
Si, MOS †
40
300
12.5
RD60HUF1
RD70HHF1
RD70HVF1
Si, MOS
Si, MOS
Si, MOS
30
50
30
150
150
150
12.5
12.5
12.5
RD70HUF2
Si, MOS †
40
300
12.5
RD100HHF1
Si, MOS
50
176.5
12.5
Ta=25℃ ✝：ゲート保護ダイオード内蔵 ★★：開発中
3
Max.ratings
VDSS [V]
SOT-89
SOT-89
SLP
TO-220S
TO-220S
TO-220S
TO-220S
Ceramic (Small)
Ceramic (Small)
Ceramic (Small)
HPM003
HPM001
Ceramic (Large)
HPM004
Ceramic (Large)
Ceramic (Large)
Ceramic (Large)
HPM002
Ceramic (Large)
SLP
TO-220S
PMM
HPM
Ceramic (Small)
Ceramic (Large)
ラインアップ
SOT-89
セレクションマップ
製品一覧表
応用例
シリコン RF デバイス形名のつけ方
■ 高出力 MOS FET（ディスクリート）
RD 07 M U S 2B
ディスクリート素子
出力電力（W）
動作電圧（V）
動作周波数（MHz）
外形
記号
電圧
記号
動作周波数
記号
区分
M
N
H
7.2V
9.6V
12.5V
H
V
U
M
30MHz
175MHz
520MHz
800MHz
S
F
P
モールド
フランジ
パワーモールドミニ
シリーズ番号
パッケージ外形図
■ 高出力 MOS FET モジュール
RA 07 M 4452 M
モジュール
出力電力（W）
動作電圧（V）
記号
電圧
M
N
H
7.2V
9.6V
12.5V
動作周波数（MHz）
記号〈例〉動作周波数〈例〉
4452
440∼
520MHz
1317
135∼
175MHz
周波数単位
記号
単位
M
G
MHz
GHz
注：形名は、概略の特性を表わしています。正確な規格は、納入規格を確認いただきますようお願いいたします。
4
製品一覧表
■ 7.2V 動作高出力 MOS FET モジュール
ラインアップ
Type Number
セレクションマップ
RA02M8087MD
RA03M3540MD
RA03M4043MD
RA03M4547MD
RA03M8087M
RA03M8894M
RA03M9595M
RA07M0608M
RA07M1317M
RA07M2127M
RA07M3340M
RA07M3843M
RA07M4047M
RA07M4452M
f [MHz]
Max.ratings
Vdd [V]
min
max
9.2
9.2
9.2
9.2
9.2
9.2
9.2
9.2
9.2
9.2
9.2
9.2
9.2
9.2
806
350
400
450
806
889
952
66
135
215
330
378
400
440
869
400
430
470
870
941
954
88
175
270
400
430
470
520
Vdd [V]
Pin [W]
7.2
7.2
7.2
7.2
7.2
7.2
8
7.2
7.2
7.2
7.2
7.2
7.2
7.2
0.01
0.01
0.01
0.01
0.05
0.05
0.05
0.03
0.02
0.02
0.05
0.05
0.05
0.05
Vdd [V]
Pin [W]
9.6
9.6
9.6
9.6
0.02
0.02
0.02
0.02
Po (min)
nd (min)
[W]
[%]
Package
Outline
1.2
3.2
3.2
3.2
3.6
3.6
3
7
6.5
7
7
7
7
7
30*1
34*2
34*2
34*2
32
32
45
45
45
40
40
40
40
H54
H54
H54
H54
H46S
H46S
H46S
H46S
H46S
H46S
H46S
H46S
H46S
H46S
Po (min)
nd (min)
[W]
[%]
Package
Outline
7.5
7.5
7.5
8
43
43
43
50
H46S
H46S
H46S
H46S
Ta=25℃ *1：Po=2.5W 時 *2：Po=6.3W 時
■ 9.6V 動作高出力 MOS FET モジュール
Type Number
製品一覧表
RA07N3340M
RA07N4047M
RA07N4452M
RA08N1317M
f [MHz]
Max.ratings
Vdd [V]
min
max
12.5
12.5
12.5
12.5
330
400
440
135
400
470
520
175
Ta=25℃
応用例
H2M
H46S
H57
パッケージ外形図
H2S
5
H11S
H54
■ 12.5V 動作高出力 MOS FET モジュール
f [MHz]
17
13.2
13.2
13.2
13.2
13.2
17
18
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
820
68
330
400
440
135
380
450
135
330
400
440
889
880
806
896
66
135
135
136
175
210
330
378
400
400
440
440
450
154
154
400
400
440
763
896
330
380
400
RA55H4452M
17
RA60H1317M
RA60H1317M1A
RA60H1317M1B ★
RA60H3847M1
RA60H3847M1A ★
RA60H4047M1
RA60H4452M1
RA60H4452M1A ★
17
17
17
17
17
17
17
17
RA80H1415M1★
17
Pin [W]
851
88
400
470
520
175
430
470
175
400
470
520
915
915
870
941
88
175
175
174
215
270
400
470
470
470
520
520
520
162
162
450
470
520
870
941
400
470
470
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
13.2
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.8
12.8
12.5
12.5
12.5
0.001
0.03
0.02
0.02
0.02
0.02
1.4m
0.3m
0.05
0.05
0.05
0.05
0.2
0.001
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.01
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
440
520
12.5
0.05
135
136
136
378
378
400
440
440
144
136
175
174
174
470
470
470
520
520
148
174
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
12.5
0.05
Po (min)
nd (min)
[W]
[%]
35
6
38
7
40
7
40
7
40
7
40
8
15
6.3
17
7.9
40
13
40
13
40
13
40
13
30
13
35
13
25
20
25
20
40
30
40
30
40
30
45
30
40
30
40
30
40
30
40
30
40
30
42
30
40
30
40
30
42
30
50
33
50
40
35
45
35
45
35
45
33
45
33
45
55
35
55
38
55
35
45 (490-520) 35 (490-520)
55 (440-490) 43 (440-490)
60
40
60
45
60
45
60
40
60
40
60
40
60
40
60
40
80
50
60
Package
Outline
H11S
H46S
H46S
H46S
H46S
H46S
H2S (5 ピン )
H2S (5 ピン )
H2S
H2S
H2S
H2S
H2S
H11S
H2S
H2S
H2S
H2S
H2M
H2M
H2S
H2S
H2S
H2M
H2S
H2M
H2S
H2M
H2M
H57
H2S
H2RS
H2S
H2S
H2M
H2M
H2S
H2S
H2S
H2S
H2S
H2M
H2M
H2M
H2M
H2M
H2M
H2M
パッケージ外形図
RA06H8285M
RA07H0608M
RA07H3340M
RA07H4047M
RA07H4452M
RA08H1317M
RA08H3843MD
RA08H4547MD
RA13H1317M
RA13H3340M
RA13H4047M
RA13H4452M
RA13H8891MA
RA13H8891MB
RA20H8087M
RA20H8994M
RA30H0608M
RA30H1317M
RA30H1317M1
RA30H1317M1A ★
RA30H1721M
RA30H2127M
RA30H3340M
RA30H3847M1A ★
RA30H4047M
RA30H4047M1
RA30H4452M
RA30H4452M1A ★
RA30H4552M1
RA33H1516M1
RA35H1516M
RA45H4045MR
RA45H4047M
RA45H4452M
RA45H7687M1
RA45H8994M1
RA55H3340M
RA55H3847M
RA55H4047M
Vdd [V]
応用例
max
製品一覧表
min
セレクションマップ
Max.ratings
Vdd [V]
ラインアップ
Type Number
H2M
Ta=25℃ ★：新製品
三菱シリコン RF デバイスは、すべての製品が
RoHS 指令（2011/65/EU）に準拠しています。
RoHS：Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment
6
応用例
■ VHF∼800MHz 帯 7.2V 動作推奨ラインアップ
ラインアップ
RD00HVS1
RD02MUS1B
5mW
RD00HVS1
2W
@135−175MHz
RD01MUS2B
2W
@440−520MHz
RD01MUS2B
7W
@135−175MHz
セレクションマップ
RD01MUS2B
5mW
RD07MUS2B
30mW
RD02MUS1B
RD07MUS2B
30mW
7W
@440−520MHz
RD07MUS2B
50mW
5W
@806−870MHz
■ VHF∼UHF 帯 12.5V 動作推奨ラインアップ
製品一覧表
RD15HVF1
RD70HVF1
0.3W
RD15HVF1
50W
@135−175MHz
RD04HMS2
0.2W
3W
RD70HUF2
45W
@440−520MHz
RD04HMS2
70W
@135−175MHz
440−520MHz
RD60HUF1
RD35HUF2
0.2W
35W
@135−175MHz
440−520MHz
応用例
三菱シリコン高周波電力増幅用デバイスRAシリーズおよびRDシリーズのご使用上の注意事項
･本総合カタログに記載の仕様は、保証値ではありません。ご検討にあたり製品の納入規格書を発行いたしますので、規格のご確認をお願いします。
納入規格書の発行につきましては、最終ページに記載の営業お問い合わせ窓口にお問い合わせください。
･ RA シリーズおよび RD シリーズは、一般民生用の移動局用途に設計されています。それ以上の高信頼度を要求されるアプリケーションには設計・製造されていません。連続動作状態または、送信・待ち受け
頻度の高い断続動作の固定局・基地局用途には、ディレーティング設計、冗長システム設計、適正な定期メインテナンス等を十分に留意ください。製品の寿命予測に関するレポートにつきましては三菱電機
パッケージ外形図
または特約店までご照会ください。
･ RA シリーズおよび RD シリーズは、MOS デバイスです。ご使用に際しては、静電気およびサージ対策を実施いただきますようお願いします。
･熱設計に関し、高い信頼性を維持するには、製品の温度を低く保つ必要があります。
RA シリーズの推奨ケース温度は、あらゆる状態で９０℃以下、標準動作状態で６０℃以下です。
この温度以下になるように、
ご使用いただきますようお願いします。
･ RA シリーズは、
５０Ωの負荷状態で使用されることを前提としております。
過負荷状態によっては、最悪の場合ショートに至り、モジュール内部の樹脂基板や、部品が焼損・発煙する危険性があります。
･納入規格書に、負荷変動時の寄生発振に関する規定を掲載しております。寄生発振の確認は、抜き取りによる確認となりますので、無線機での十分な確認をお願いします。
･実装時の注意事項に関しましては、納入規格書の付帯事項を確認いただきますようお願いします。
･製品のキャップを開封したもの及び分解・改造を実施したものは、保証の対象外となります。
･安全設計に関するお願い、本資料ご利用に際しての留意事項に関し、本総合カタログの最終ページをご確認ください。
･納入規格書の付帯事項に注意事項を記載しておりますのでご確認ください。
三菱半導体・デバイス
総合 WEB サイト
7
http://www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/
パッケージ外形図
■ SOT-89
①Gate
②Source
■TO-220S
③Drain
①Gate
②Source
③Drain
9.1±0.7
3.2±0.4
①
②
1.5±0.1
1.5±0.1
12.3MIN
0.8MIN
③
0.4 +0.03/–0.05
9±0.4
ø1.0
0.4±0.07
12.3±0.6
3.9±0.3
2.5±0.1
②
3.6±0.2
②
4.8MAX
1.5±0.1
1.6±0.1
1.3±0.4
ラインアップ
4.4±0.1
1.2±0.4
0.8+0.10/–0.15
0.4±0.07
0.5±0.07
3.0
① ② ③
0.5+0.10/–0.15
5deg
9.5MAX
UNIT: mm
■ SLP
①Drain
②Source
■ PMM
③Gate
3.1±0.6
4.5±0.5
0.1 MAX
①Drain [output]
②Source [GND]
UNIT: mm
セレクションマップ
2.5 2.5
③Gate [input]
④Source
INDEX MARK
[Gate]
0.7±0.1
DETAIL A
UNIT: mm
( ): reference value
①Drain
②Source
7.0±0.5
①Drain
②Source
③Gate
11.0±0.3
4–C2
24.0±0.6
6.6±0.3
14.0±0.4
②
③
2.3±0.3
2.8±0.3
ø3.2±0.15
0.1 +0.05
–0.01
4.5±0.7*
5.0±0.3
6.1±0.5
3.3±0.2
5.1±0.5
18.5±0.25
3.0±0.4*
リード高さは、根元寸法を示す。
パッケージ外形図
ø3.2±0.15
10.0±0.3
①
②
0.10 +0.05
–0.01
UNIT: mm
( ): reference value
4-C1
7.6±0.3
①
＊
②
25.0±0.3
18.0±0.3
③
③
BOTTOM VIEW
DETAIL A
■ Ceramic (Large)
③Gate
22.0±0.3
7.2±0.5
SIDE VIEW
2.6±0.2
1.8±0.1
TOP VIEW
SIDE VIEW
■ Ceramic (Small)
5.6±0.2
4.2±0.2
6.2±0.2
0.95±0.2
応用例
0.2±0.05
0.75±0.05
(4.5)
Standoff=max0.05
(0.25)
INDEX MARK
(Gate)
④
(0.22)
③
(0.25)
(3.6)
(0.22)
2.0±0.05
②
3.5±0.05
4.9±0.15
1.0±0.05
①
7.0±0.2
0.2±0.05
8.0±0.2
製品一覧表
4.6±0.05
3.3±0.05
0.8±0.05
0.2±0.05
6.0±0.15
0.65±0.2
①
②
UNIT: mm
＊
リード高さは、根元寸法を示す。
UNIT: mm
8
パッケージ外形図
■ HPM001
■ HPM002 (with CenterSourceElectrode)
24.60
18.00
24.60
18.00
13.40
⑨
a
⑥
■ HPM003 (with CenterSourceElectrode)
④
Pin ① SOURCE (COMMON)
② DRAIN
③ DRAIN
④ SOURCE (COMMON)
⑤ SOURCE (COMMON)
⑥ GATE
⑦ GATE
⑧ SOURCE (COMMON)
⑨ SOURCE (COMMON)
3.61
③
⑧
⑦
UNIT: mm
⑦
⑥
⑤
③
④
⑤
0.22
3.61
②
①
⑥
⑤
5.88
③
0.10
13.50
⑧
⑦
UNIT: mm
66.0±0.5
60.0±0.5
51.5±0.5
①②
③
2-R2±0.5
④
⑤
ø0.45±0.15
3.1+0.6/–0.4
0.09±0.02
16.5±1
1.5±0.2
(1.5)
+0.04
0.05 – 0
(5.4)
⑧
12.0±1
(5.4)
Area "A"
⑦
①RF Input(Pin)
③Drain Voltage(VDD) ⑤RF Ground(Fin)
②Gate Voltage(VGG) ④RF Output(Pout)
3.5±0.2
6.1±1.0
13.7±1.0
18.8±1.0
23.9±1.0
■ H2S
14.0±1
0.45±0.15
(19.2)
9
6.0±0.2
7.4±0.2
②
⑨
3.63
④
3.0±0.3
7.25±0.8
2- R1.5±0.1
6.0±0.2
10.0±0.2
6.0±1.0
2.3±0.4
パッケージ外形図
①
⑥a
3.10
UNIT: mm
30.0±0.2
26.6±0.2
21.2±0.2
④
43.5±1
55.5±1
(9.8)
⑧
21.0±0.5
9.5±0.5
13.50
Pin ① SOURCE (COMMON)
② DRAIN
③ DRAIN
④ SOURCE (COMMON)
⑤ SOURCE (COMMON)
⑥ GATE
⑦ GATE
⑧ SOURCE (COMMON)
⑨ SOURCE (COMMON)
2.0±0.5
①
0.10
5.88
②
③
ø3
.70
⑤
ø3
.70
0.34
0.22
③
0.60
3.10
3.61
④
② a'
0.34
⑧
3.63
①RF Input(Pin)
③Drain Voltage(VDD) ⑤RF Ground(Fin)
②Gate Voltage(VGG) ④RF Output(Pout)
(1.7)
(4.4)
①
4.0±0.3
⑦
⑨
3.10
応用例
Pin ① SOURCE (COMMON)
② OPEN
③ DRAIN
④ SOURCE (COMMON)
⑤ SOURCE (COMMON)
⑥ OPEN
⑦ GATE
⑧ SOURCE (COMMON)
⑨ SOURCE (COMMON)
■ H46S
0.10
④
3.55
⑥a
⑤
8.35
6.38
③
5.56
3.55
⑤
3.10
⑥
■ HPM004 (with CenterSourceElectrode)
a-a’ SECTION
0.60
①
0.10
24.60
18.00
8.35
6.38
a-a’ SECTION
5.56
製品一覧表
② a'
②
13.50
24.60
18.00
①
⑧
0.22
3.10
⑤
UNIT: mm
0.10
⑦
3.63
17.0±0.5
⑦
⑥
(50.4)
UNIT: mm
( ): reference value
tolerance of no designation ; ±0.5
7.5±0.5
⑧
④
5.88
①
5.87
②
③
2.40
3.65
③
0.10
ø3
.70
3.10
セレクションマップ
Pin ① SOURCE (COMMON)
② OPEN
③ DRAIN
④ SOURCE (COMMON)
⑤ SOURCE (COMMON)
⑥ OPEN
⑦ GATE
⑧ SOURCE (COMMON)
0.34
3.63
2.40
④
⑤
3.10
0.22
3.15
0.60
②
ø3
.70
⑧
5.56
a
①
0.34
⑦
0.10
2.3±0.3
⑥
④
3. 55
⑤
③
12.95
12.69
6.38
②
a-a’ SECTION
①
12.95
12.69
6.38
a-a’ SECTION
0.10
5.56
ラインアップ
a’
a’
UNIT: mm
( ): reference value
①RF Input(Pin)
③Drain Voltage(VDD) ⑤RF Ground(Fin)
②Gate Voltage(VGG) ④RF Output(Pout)
②①
14±0.5
⑤
4.0±0.3
③
17.0±0.5
21.0±0.5
9.5±0.5
60.5±1
57.5±0.5
50.4±1
2–R2±0.5
2.0±0.5
①
21.3±1
43.3±1
51.3±1
⑤
0.45±0.15
3.5±0.2
6.1±1.0
10.4±1.0
13.7±1.0
18.8±1.0
23.9±1.0
7.3±0.5
(5.4)
Area "A"
(19.2)
(1.5)
(5.4)
+0.04
UNIT: mm
( ): reference value
UNIT: mm
( ): reference value
tolerance of no designation ; ±0.5
応用例
(2.6)
⑥
6.0±0.2
7.4±0.2
④
6.0±0.2
10.0±0.2
② ③
(9.9)
3.1+0.6/–0.4
(6.4)
0.09±0.02
2.3±0.4
0.6±0.2
44±1
56±1
①
1.5±0.2
④ ⑤
2- R1.5±0.1
26.6±0.2
21.2±0.2
6.0±1.0
4±0.5
18±1
(3.26)
(1.7)
(4.4)
15±1
③
12.5±1
17±1
①RF Input(Pin)
③Final Stage Gate Voltage(VGG2) ⑤RF Output(Pout)
②First Stage Gate Voltage(VGG1) ④Drain Voltage(VDD)
⑥RF Ground(Fin)
製品一覧表
10.7±1
■ H54
UNIT: mm
( ): reference value
30.0±0.2
67±1
60±1
49.8±1
①②
(49.5)
2.3±0.3
7.5±0.5
(9.8)
UNIT: mm
( ): reference value
①RF Input(Pin)
③Drain Voltage(VDD) ⑤RF Ground(Fin)
②Gate Voltage(VGG) ④RF Output(Pout)
2–R2±0.5
19.4±1
2.3±0.3
(50.4)
セレクションマップ
3.1+0.6/–0.4
0.09±0.02
49.5±1
54.0±1
3.3+0.8/–0.4
22.5±1
■ H57
④ ⑤
8.3±1
ø0.45±0.15
10.5±1
■ H2M
2–R1.6±0.2
②
③
ø0.45±0.15
0.05 – 0
14.0±1
④
①RF Input(Pin)
③Drain Voltage(VDD) ⑤RF Ground(Fin)
②Gate Voltage(VGG) ④RF Output(Pout)
ラインアップ
66.0±0.5
60.0±0.5
51.5±0.5
3.0±0.3
7.25±0.8
■ H11S
6±1 11±0.5
■ H2RS
①RF Input(Pin)
③Drain Voltage(VDD) ⑤RF Ground(Fin)
②Gate Voltage(VGG) ④RF Output(Pout)
46.0
41.0
30.8
(6.3)
2–R1.5±0.3
②
④
⑤
3.0 +0.6
–0.4
0.6±0.03
(2.3)
(6.3)
3.0 +0.6
–0.4
13.00±0.8
18.08±0.8
25.70±0.8
35.86±0.8
③
3.0
①
10±1
7.2±0.5
12.0
パッケージ外形図
14.4
(2.3)
UNIT: mm
( ): reference value
10
三菱シリコンRFデバイス
半導体・デバイス事業部〒100-8310 東京都千代田区丸の内 2丁目7番3号（東京ビル）
（技術・資料お問い合わせ）
お問い合わせ先
http://www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/〈三菱半導体ホームページ〉
（営業お問い合わせ窓口）
（2014年9月1日現在）
特約店
三菱電機本社・支社・支店
本社地区
菱洋エレクトロ株式会社
大宮支店
八王子支店
横浜支店
松本支店
株式会社立花エレテック東京支社
協栄産業株式会社
栃木営業所
日立営業所
群馬営業所
（03）5565-1511
（048）614-8841
（042）645-8531
（045）474-1011
（0263）36-8011
（03）5400-2509
（03）3481-2044
（028）683-3011
（029）272-3911
（027）327-4345
菱電商事株式会社
東京支社神奈川支店
北関東支社
加賀デバイス株式会社
株式会社カナデン
株式会社たけびし東京支店
萬世電機株式会社東京支店
株式会社コシダテック
東海エレクトロニクス株式会社東京支店
（03）5396-6224
（045）641-0977
（027）280-5515
（03）5657-0144
（03）3433-1227
（045）474-3259
（03）3219-1800
（03）5789-1615
（03）3704-2587
菱電商事株式会社東北支社
仙台営業所
株式会社カナデン東北支店
（024）933-8821
（022）217-5722
（022）266-3118
協栄産業株式会社北海道支店
（011）642-6101
菱洋エレクトロ株式会社仙台支店
郡山営業所
協栄産業株式会社東北支店
（022）266-3800
（024）939-3188
（022）232-7711
協栄産業株式会社新潟営業所
（025）281-1171
菱洋エレクトロ株式会社名古屋支店
株式会社立花エレテック名古屋支社
協栄産業株式会社名古屋支店
菱電商事株式会社名古屋支社
静岡支社
浜松営業所
岡谷鋼機株式会社名古屋本店
刈谷支店
（052）
203-0277
（052）935-1619
（052）332-3861
（052）211-1217
（054）286-2215
（053）469-0576
（052）204-8302
（0566）21-3222
菱洋エレクトロ株式会社大阪支店
京都営業所
株式会社立花エレテック
神戸支店
協栄産業株式会社大阪営業所
菱電商事株式会社関西支社
（06）6201-2245
（075）371-5751
（06）6539-2707
（078）332-7812
（06）6343-9663
（06）6399-3456
加賀デバイス株式会社関西支店
株式会社カナデン関西支社
株式会社たけびし
大阪支店
萬世電機株式会社
東海エレクトロニクス株式会社大阪支店
（06）6105-0449
（06）6763-6809
（075）325-2211
（06）6341-5081
（06）6454-8233
（06）6310-6115
立花エレテック北陸支店
協栄産業株式会社北陸営業所
（076）233-3505
（076）234-6511
菱電商事株式会社北陸営業所
（076）224-4102
菱電商事株式会社広島支社
（082）227-5411
山陽三菱電機販売株式会社
（082）243-9300
菱電商事株式会社四国支社
（087）885-3913
菱洋エレクトロ株式会社福岡営業所
菱電商事株式会社九州支社
（092）474-4311
（092）736-5759
中部支社地区
東海エレクトロニクス株式会社本社
津支店
小牧支店
中部三菱電機機器販売株式会社本社
エレックヒシキ株式会社本社
株式会社菱和浜松支店
（052）261-3215
（059）226-0515
（0568）75-4701
（052）889-0032
（052）704-2121
（053）450-3162
関西支社地区
九州支社地区
株式会社カナデン九州支店
株式会社たけびし九州支店
（093）561-6483
（092）473-7580
HG-407M 北-1409（TOT） ©2014 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION. ALL RIGHTS RESERVED.
本社
東京都千代田区丸の内2丁目7番3号（東京ビル）
パワーデバイス営業部
第一営業課
（03）3218-3239
第二営業課
（03）3218-3239
液晶営業部
第二営業課
（03）3218-3736
高周波光デバイス営業第二部
国内営業課
（03）3218-4880
中部支社
愛知県名古屋市西区牛島町6番1号
（名古屋ルーセントタワー）
半導体・デバイス部
第一営業課
（052）565-3339
第二営業課
（052）565-3268
第三営業課
（052）565-3269
関西支社
大阪府大阪市北区堂島2丁目2番2号
（近鉄堂島ビル）
半導体・デバイス部
第一営業課
（06）6347-2456
第二営業課
（06）6347-2471
第三営業課
（06）6347-2441
第四営業課
（06）6347-2752
九州支社
福岡県福岡市中央区天神二丁目12番1号（天神ビル）
本社パワーデバイス営業部
第三営業課九州支社駐在
（092）721-2146
2014 年 9月作成

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