対応機種 PHEMOS-1000 THEMOS-1000 iPHEMOS-MP TriPHEMOS N a n oLenso L ens-SHR SHR システム着脱容易な SIL キャップ方式を採用し、発光解析、光照射アプリケーションの両方に対応した超高 N.A. 固浸レンズ！ NanoLens-SHR SIL キャップ正立型設置例 ▲測定例（詳しくは裏面を参照ください。）特長倒立型設置例開口数（N.A.） 3.1 ・最小分解能：約 120 nm ・感度：従来比 10 倍（当社標準 100 倍レンズとの比較）発光解析と IR-OBIRCH 解析、EO プロービング等の光照射アプリケーションに対応様々な Si 基板厚みに対応し、着脱容易かつ確実な密着を実現する専用 SIL キャップ・薄片化したチップから厚い基板の状態のウェーハまでの様々な Si 基板厚みに対応・ SIL キャップは、ガイドにあわせてワンタッチで装着・Si 基板の表面の傾きにあわせて SIL キャップの角度を自動補正し、Si 基板面と密着用途先端デバイス裏面解析・発光解析・時間分解発光解析・ IR-OBIRCH 解析・ DALS 解析・ EO プロービング解析 Failure Analysis Systems Option 測定例 ■ 目的 NanoLens-SHR の実サンプルにおける分解能評価。 ■ 方法市販 38 nm DRAM を裏面研磨し、1.3 μm レーザ顕微鏡による観察をしました。 ■ 結果 10 μm ■ 結論 2 μm 視野 52μm × 52μm において周辺歪のない画像を取得することができました。また、赤枠の部分をデジタルズームし、10μm × 10μm 程度まで拡大しましたが、十分構造を確認できました。原理標準レンズ NanoLens-HSR 対物レンズ対物レンズレーザ集光固浸レンズ発光裏面全反射裏面 Si Si パターン面 N.A.小 N.A.大レーザスポットパターン面レーザスポット ”詳細情報は、半導体故障解析専用サイトから” ホトニクス半導体故障解析装置 LSIの基板であるシリコンは、屈折率が大きく、対物レンズで捉えられる光は中央付近のみとなり、有効利用されていません。NanoLens-HSRは、LSI基板にシリコンレンズを密着させることにより、今までシリコン基板境界で反射していた発光を対物レンズに導き、開口率（N.A.)を上げ、解像度と集光効率を大幅に向上させます。検索 ★ PHEMOS、THEMOSは、浜松ホトニクス（株）の登録商標です。その他の記載商品名、ソフト名等は該当商品製造会社の商標または登録商標です。 ※本カタログの記載内容は2015年1月現在のものです。本内容は改良のため予告なく変更する場合があります。 www.hamamatsu.com □ システム営業推進部〒431-3196 浜松市東区常光町812 TEL (053)431-0150 FAX (053)433-8031 E-Mail [email protected] □ □ □ □ □ □ 仙台営業所筑波営業所東京営業所中部営業所大阪営業所西日本営業所 TEL TEL TEL TEL TEL TEL (022)267-0121 (029)848-5080 (03)3436-0491 (053)459-1112 (06)6271-0441 (092)482-0390 FAX FAX FAX FAX FAX FAX (022)267-0135 (029)855-1135 (03)3433-6997 (053)459-1114 (06)6271-0450 (092)482-0550 Cat. No. SSMS0053J01 JAN/2015 HPK 最新情報や技術情報を掲載しています。ぜひ、アクセスしてください。