2014 年 11 月 25 日 EV Group EV Group、エンジニアド基板とパワーデバイス製作アプリケーションに向けて、 常温ウェーハ接合装置を発表 EVG®580ComBond®では、高度な表面前処理技術を導入 酸化膜を介さない直接接合と、より高いデバイス歩留りを実現 MEMS、ナノテクノロジーおよび半導体分野向けウェーハ接合装置およびリソグラフィー装置のリーディ ングサプライヤーである EV Group（EVG）は、酸化膜を介さず導電性を持たせた常温直接接合を可能 にする高真空ウェーハ接合装置 EVG®580 ComBond®を発表しました。量産要求に対応するためにモ ジュールプラットフォーム上に構築されたこの新しい装置は、異種基板材料を接合するのに理想的で、 以下のような高性能デバイスや新しいアプリケーションを可能にします。 • 多接合型太陽電池 • シリコンフォトニクス • 高真空 MEMS パッケージ • パワーデバイス • 高移動度トランジスタや高性能/低消費電力ロジック、高周波（RF）デバイスなどの“beyond CMOS” アプリケーションと呼ばれる化合物半導体およびその他の先端エンジニアド基板 いくつかのEVG580 ComBond装置は、すでに複数のデバイスメーカーと研究開発機関に出荷されてい ます。お客様向けのデモは、オーストリアのSt. FlorianにあるEVG本社にて対応可能です。製品データ シートは以下よりダウンロード可能です。 http://www.evgroup.com/118694/118810/142472/EVG580_ComBond_ShortBrochure.pdf CEA-Leti のシリコンテクノロジー部門 VP のファブリス・ガイガーは次のように述べています。「私たちの 施設において最近行ったインスタレーションと受入テストにおいて、新しい EVG580 ComBond は、室温 で優れた共有結合を可能にする能力を実証済です。CEA-Leti は、Common Lab に EVG580 ComBond を導入し、いくつかの重要分野でさらなる開発活動を進めていくなかで、EVG と協業することを楽しみに しています。」 EV Group でエグゼクティブ・テクノロジー・ディレクターを務めるポール・リンドナーは次のように述べて います。「EVG580 ComBond 装置は、汚染および酸化膜の無い常温接合を実現するために重要な、表 面前処理工程に優れています。この画期的な技術により、多くの異種材料の組み合わせが可能になり、 ウェーハ形状であれば、ほぼすべてのものが接合可能です。これにより、様々な新規で高成長が期待 できるアプリケーション、すなわち次世代通信向けのシリコンフォトニクスの開発から、一回の充電での 電気自動車の走行距離を延ばすことのできる、より高性能なパワーデバイスまで、お客様の開発活動 をサポートし、新しいデバイスを量産へつなげます。」 化合物半導体とシリコンの組み合わせの課題 シリコン基板上に、窒化ガリウム（GaN)、ガリウム砒素（GaAs）、インジウムリン（InP）などの異なる特性 をもった III-V 化合物半導体材料を組み合わせて電子デバイスを製造すると、より高いキャリア移動度 によりデバイス性能を向上させることができます。また、シリコンを通して発光させることにより光インタ ーコネクトとルータを同時に実現するなど、新しい機能を可能にします。しかし、従来のエピタキシャル 成長プロセスによってこれらの材料を組み合わせることは、格子定数および熱膨張係数（CTE）の違い により、結晶の転移欠陥を発生させ、デバイス性能を低下させることになります。 ウェーハ接合の利点 各半導体材料を、それぞれ最適な成長基板上に成長させ、その後ウェーハ接合により組み合わせるこ とによって、製造上の課題を軽減することができます。特に、常温直接接合は、CTE ミスマッチによりさ らに熱応力が発生する高温アニール工程の必要性がなくなるため、理想的な選択と言えます。しかし、 常温直接接合の一つの制約は、接合界面の厚みと均一性の厳密な制御が維持できないことでした。こ れには、パーティクル汚染と自然酸化膜の効果的な除去も含みます。これらは、接合された材料間に、 十分な接合強度と導電性を持たせるために必要不可欠です。EVG580 ComBond はこれらの制約に対 応することができます。 EVG580 ComBond の主な特徴 • プラットフォームにシームレスに統合された専用 ComBond 活性化モジュール（CAM）。ウェット ケミカルエッチングの代わりに、エネルギー粒子を基板表面に照射することにより、汚染およ び酸化膜の無い接合界面を実現できる、先進の表面前処理を提供します。 • 高真空プロセス環境において動作、接合において前処理されたウェーハの再酸化を防止。 • 最大 5 つのモジュールで構成でき、R&D および HVM アプリケーションの両方をサポートする並 列処理が可能 • 8 インチ（200mm）までのウェーハサイズに対応 EV Group Japan は SEMICON Japan に出展します EVG および EVG580 ComBond やその他の装置についてさらに詳しくお知りになりたい方は、SEMICON Japan の EVG ブースまでお越しください。今年の EVG ブースでは、車載デバイスや LED の製造に活用 されるウェーハ接合・リソグラフィー装置等、最新技術の展示を予定しております。皆様のお越しをお待 ちしております。 ＜SEMICON Japan 2014＞ 2014 年 12 月 3 日（水）～5 日（金）東京ビッグサイト EVG ブース： Hall5 #5420 ＜出展者セミナー＞ 「自動車および LED 向けデバイス製造における EVG の最新ソリューション」 12 月 4 日（木）13:00-14:20 受講料：無料、直接会場にお越しください <EV Group（EVG）について> EV Group（EVG）は半導体、MEMS、化合物半導体、パワーデバイスおよびナノテクノロジーデバイ スの製造装置およびプロセスソリューションのリーディングサプライヤーです。主要製品は、ウェー ハ接合、薄ウェーハプロセス、リソグラフィー/ナノインプリントリソグラフィー（NIL）や計測機器だけ でなく、フォトレジストコーター、クリーナー、検査システムなどがあります。1980 年設立の EVG は お客様および世界中のパートナー様に、弊社のグローバルネットワークを通じて各種サービス、サ ポートを提供します。 EVG に関する詳しい情報は、以下のホームページをご覧下さい。 www.EVGroup.com ###
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