微細加工プラットフォーム利用報告書記入例 (平成 26 年度) 課題番号：F-14-AB-1234 利用形態：機器利用利用課題名（日本語）：機能性酸化物を用いたナノ界面相転移デバイスの開発 Program Title（English）：Development of nano-scale devices which utilize phase transition of functional oxides 利用者名（日本語）：田中一郎 1), 浅沼周太郎 2) Username（English）：I. Tanaka1), S. Asanuma2) 所属名（日本語）：1) 日本海大学大学院工学研究科, 2) 産業技術総合研究所 Affiliation（English）：1) Graduate school of Eng., Univ. of Nihonkai, 2) AIST １．概要（Summary ）：状の最適化が必要であると考えている。半導体素子の微細化限界の問題を解決するための候補の一つとして強相関酸化物の金属‐絶縁体（MI）転移を電界により制御し、その際の抵抗変化を利用する電界効果トランジスタ（FET）、いわゆるモットトランジスタがある。我々は NdGaO 3 (110) 基板上に成膜した (Nd,Sm) NiO 3 (NSNO)膜をチャンネルとしたモットトランジスタを作製することを目的として NPF の設備を利用して微細加工を行った。 Fig. 1 Microscopic image of Mott transistor ２．実験（Experimental）：利用した装置４．その他・特記事項（Others）：・マスクレス露光装置、アルゴンミリング装置、i 線露光装・参考文献置、スパッタ装置薄膜試料にマスクレス露光装置を用いてチャンネルの S. Asanuma et al., APL 97, (2010) 142110. ・CREST( JST) 「○○の研究開発」パターンを転写し、アルゴンミリング装置を用いてチャンネ・共同研究者：△△株式会社山田二郎ルを形成した。次に、スパッタ装置を用いて high-k 材料ゲ・(技術支援者名(組織名))に感謝します。ート絶縁膜を成膜した。最後に、マスクレス露光装置を用いて電極と配線のパターンを転写し、i 線露光装置を用い５．論文・学会発表（Publication/Presentation）：て金属電極を成膜した。 (1) S. Asanuma and I. Tanaka, J. Appl. Phys. 111 (2013) 9999. ３．結果と考察（Results and Discussion）：マスクレス露光装置とアルゴンミリング装置を使い、６．関連特許（Patent）：幅 20 µm、長さ 60 µm のチャンネルを形成した。次に (1) 浅沼周太郎 , “ 不揮発性記憶素子 ”, 特開チャンネル上にスパッタ装置を使い膜厚 8 nm の 2013-123456, 平成 23 年 5 月 10 日 HfO 2 ゲート絶縁膜と金属電極を成膜した（Fig.1）。ソース - ゲート間に 1 V 印加した際ゲート漏れ電流は 3 ×10-9 A/cm2 であり、HfO 2 ゲート絶縁膜が高い絶縁性を保持していることが分かった。またゲートの静電容量は 2 µF/cm2であった。この値から NSNO チャンネル表面に誘起される電荷量を見積もると、V G = 5 V で 6×1013 cm-2 程度であった。今後さらにチャンネル形