R1LP0108E シリーズ 1Mb Advanced LPSRAM (128k word x 8bit) R10DS0029JJ0200 Rev.2.00 2011.01.14 概要 R1LP0108E シリーズは、シリコンゲート 0.15µm CMOS プロセス技術を用いた 131,072 語 ×8 ビット 構成 を持ち、単一電源で動作する非同期式のスタティク RAM です。メモリセルに TFT 技術を用い、高密度かつ 低消費電力を実現したデバイスです。したがって R1LP0108E シリーズは、低スタンバイ電流かつ低動作電源 電流という特性を有していますので、バッテリ駆動を行なうシステムに最適です。 パッケージの種類は、高密度実装可能な 32 ピンの薄型パッケージ（SOP，TSOP，sTSOP）が用意されてい ます。 特長 • • • • • • • • 4.5V～5.5V 単一電源 低スタンバイ電源電流 1µA（Vcc=5.0V 標準値） 外部クロック及びリフレッシュ操作不要 入出力とも TTL 直結可能 CS1#, CS2 信号によりメモリ容量の拡張可能 データ端子は入力、出力が共通 出力はスリーステートで OR タイが可能 OE#入力による I/O バスでのデータの競合防止可能 R10DS0029JJ0200 Rev.2.00 2011.01.14 Page 1 of 15 R1LP0108E シリーズ 発注情報 Orderable Part Name Access time R1LP0108ESP-5SR#B0 R1LP0108ESP-5SI#B0 R1LP0108ESP-7SR#B0 R1LP0108ESP-7SI#B0 R1LP0108ESP-5SR#S0 R1LP0108ESP-5SI#S0 R1LP0108ESP-7SR#S0 R1LP0108ESP-7SI#S0 R1LP0108ESA-5SR#B0 R1LP0108ESA-5SI#B0 R1LP0108ESA-7SR#B0 R1LP0108ESA-7SI#B0 R1LP0108ESA-5SR#S0 R1LP0108ESA-5SI#S0 R1LP0108ESA-7SR#S0 R1LP0108ESA-7SI#S0 R1LP0108ESF-5SR#B0 R1LP0108ESF-5SI#B0 R1LP0108ESF-7SR#B0 R1LP0108ESF-7SI#B0 R1LP0108ESF-5SR#S0 R1LP0108ESF-5SI#S0 R1LP0108ESF-7SR#S0 R1LP0108ESF-7SI#S0 R1LP0108ESR-5SR#B0 R1LP0108ESR-5SI#B0 R1LP0108ESR-7SR#B0 R1LP0108ESR-7SI#B0 R1LP0108ESR-5SR#S0 R1LP0108ESR-5SI#S0 R1LP0108ESR-7SR#S0 R1LP0108ESR-7SI#S0 R10DS0029JJ0200 Rev.2.00 2011.01.14 55 ns 70 ns 55 ns 70 ns 55 ns 70 ns 55 ns 70 ns 55 ns 70 ns 55 ns 70 ns 55 ns 70 ns 55 ns 70 ns Temperature Range Package Shipping Container Quantity Tube Max. 25pcs/Tube Max. 225pcs/Inner Bag Max. 900pcs/Inner Box Embossed tape 1000pcs/Reel Tray Max. 234pcs/Tray Max. 1872pcs/Inner Box Embossed tape 1000pcs/Reel Tray Max. 156pcs/Tray Max. 1248pcs/Inner Box Embossed tape 1000pcs/Reel Tray Max. 156pcs/Tray Max. 1248pcs/Inner Box Embossed tape 1000pcs/Reel 0 ~ +70°C -40 ~ +85°C 0 ~ +70°C -40 ~ +85°C 0 ~ +70°C -40 ~ +85°C 525-mil 32-pin plastic SOP PRSP0032DA-A (32P2M-A) 0 ~ +70°C -40 ~ +85°C 0 ~ +70°C -40 ~ +85°C 0 ~ +70°C -40 ~ +85°C 8mm×13.4mm 32-pin plastic sTSOP (normal-bend type) 0 ~ +70°C -40 ~ +85°C PTSA0032KB-A (32P3K-B) 0 ~ +70°C -40 ~ +85°C 0 ~ +70°C -40 ~ +85°C 0 ~ +70°C -40 ~ +85°C 8mm×20mm 32-pin plastic TSOP (normal-bend type) 0 ~ +70°C -40 ~ +85°C PTSA0032KA-A (32P3H-E) 0 ~ +70°C -40 ~ +85°C 0 ~ +70°C -40 ~ +85°C 0 ~ +70°C -40 ~ +85°C 8mm×20mm 32-pin plastic TSOP (reverse-bend type) 0 ~ +70°C -40 ~ +85°C 0 ~ +70°C PTSA0032KA-B (32P3H-F) -40 ~ +85°C Page 2 of 15 R1LP0108E シリーズ ピン配置 NC 1 32 Vcc A16 2 31 A15 A14 3 30 CS2 A12 4 29 WE# A7 5 28 A13 A6 6 27 A8 A5 7 26 A9 A4 8 25 A11 A3 9 24 OE# A2 10 23 A10 A1 11 22 CS1# A0 12 21 DQ7 DQ0 13 20 DQ6 DQ1 14 19 DQ5 DQ2 15 18 DQ4 GND 16 17 DQ3 32-pin SOP A11 1 32 OE# A9 2 31 A10 A8 3 30 CS1# A13 4 29 DQ7 WE# 5 28 DQ6 CS2 6 27 DQ5 A15 7 26 DQ4 Vcc 8 25 DQ3 NC 9 24 GND A16 10 23 DQ2 A14 11 22 DQ1 A12 12 21 DQ0 A7 13 20 A0 A6 14 19 A1 A5 15 18 A2 A4 16 17 A3 32-pin sTSOP A11 1 32 OE# A4 16 17 A3 A9 2 31 A10 A5 15 18 A2 A8 3 30 CS1# A6 14 19 A1 A13 4 29 DQ7 A7 13 20 A0 WE# 5 28 DQ6 A12 12 21 DQ0 CS2 6 27 DQ5 A14 11 22 DQ1 A15 7 26 DQ4 A16 10 23 DQ2 Vcc 8 25 DQ3 NC 9 24 GND NC 9 24 GND Vcc 8 25 DQ3 A16 10 23 DQ2 A15 7 26 DQ4 A14 11 22 DQ1 CS2 6 27 DQ5 A12 12 21 DQ0 WE# 5 28 DQ6 A7 13 20 A0 A13 4 29 DQ7 A6 14 19 A1 A8 3 30 CS1# A5 15 18 A2 A9 2 31 A10 A4 16 17 A3 A11 1 32 OE# 32-pin TSOP (normal-bend) R10DS0029JJ0200 Rev.2.00 2011.01.14 32-pin TSOP (reverse-bend) Page 3 of 15 R1LP0108E シリーズ ピン説明 Pin name Vcc Vss A0 to A16 DQ0 to DQ7 CS1# CS2 WE# OE# NC Function Power supply Ground Address input Data input/output Chip select 1 Chip select 2 Write enable Output enable Non connection R10DS0029JJ0200 Rev.2.00 2011.01.14 Page 4 of 15 R1LP0108E シリーズ ブロックダイアグラム A0 A1 ADDRESS ROW MEMORY ARRAY BUFFER DECODER 128k-word x8-bit A16 DQ0 DQ DQ1 BUFFER SENSE / WRITE AMPLIFIER DQ7 COLUMN DECODER CLOCK GENERATOR WE# Vcc Vss CS1# CS2 OE# R10DS0029JJ0200 Rev.2.00 2011.01.14 Page 5 of 15 R1LP0108E シリーズ 動作表 CS1# CS2 WE# OE# DQ0~7 Operation X L X X High-Z Stand-by H X X X High-Z Stand-by L H L X Din Write L H H L Dout Read L H H H High-Z Output disable 【注】１： H: VIH L:VIL X: VIH or VIL 絶対最大定格 Parameter Power supply voltage relative to Vss Terminal voltage on any pin relative to Vss Power dissipation Operation temperature Storage temperature range Storage temperature range under bias Symbol Vcc VT PT Topr*3 Value -0.3 to +7 -0.3*1 to Vcc+0.3*2 0.7 R Ver. 0 to +70 I Ver. -40 to +85 Tstg Tbias*3 -65 to 150 R Ver. I Ver. unit V V W °C °C 0 to +70 -40 to +85 °C 【注】１： パルス半値幅 30ns 以下の場合、-3.0V (Min.) ２： 最大電圧 +7V ３： 周囲温度範囲は R / I 各バージョンによって異なります。１頁の表をご参照下さい。 R10DS0029JJ0200 Rev.2.00 2011.01.14 Page 6 of 15 R1LP0108E シリーズ DC 動作条件 Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Vcc 4.5 5.0 5.5 V Supply voltage Note Vss 0 0 0 V Input high voltage VIH 2.2 - Vcc+0.3 V Input low voltage VIL -0.3 - 0.8 V 1 °C 2 °C 2 0 +70 Ta I Ver. -40 +85 【注】１： パルス半値幅 30ns 以下の場合、-3.0V (Min.) ２： 周囲温度範囲は R / I 各バージョンによって異なります。１頁の表をご参照下さい。 Ambient temperature range R Ver. DC 特性 Parameter Input leakage current Symbol Min. Typ. Max. Unit | ILI | - - 1 μA | ILO | - - 1 μA ICC1 - 25 35 mA ICC2 - 2 5 mA ISB - - 3 mA - 1*1 2 μA ~+25°C - - 3 μA ~+40°C - - 8 μA ~+70°C - - 10 μA ~+85°C VOH 2.4 - - V IOH = -1mA VOH2 Vcc －0.5 - - V IOH = -0.1mA VOL - - 0.4 V IOL = 2mA Output leakage current Average operating current Standby current Standby current Test conditions Vin = Vss to Vcc CS1# =VIH or CS2 =VIL or OE# =VIH, VI/O =Vss to Vcc Min. cycle, duty =100%, II/O = 0mA CS1# =VIL, CS2 =VIH, Others = VIH/VIL Cycle =1μs, duty =100%, II/O = 0mA CS1# ≤ 0.2V, CS2 ≥ Vcc-0.2V, VIH ≥ Vcc-0.2V, VIL ≤ 0.2V “CS2 =VIL” or “CS2 = VIH and CS1# =VIH”, Others = Vss to Vcc ISB1 Output high voltage Output low voltage Vin = Vss to Vcc (1) CS2 ≤ 0.2 or (2) CS1# ≥ Vcc-0.2V, CS2 ≥ Vcc-0.2V 【注】１： Vcc = 5.0V、Ta = +25℃における参考値 R10DS0029JJ0200 Rev.2.00 2011.01.14 Page 7 of 15 R1LP0108E シリーズ 容量 (Vcc = 5V±10%, f = 1MHz, Ta = 0 ~ +70℃ / -40 ~ +85°C*2) Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Test conditions Input capacitance C in 8 pF Vin =0V Input / output capacitance C I/O 10 pF VI/O =0V 【注】１： このパラメータは全数測定されたものではなく、サンプル値です。 ２： 周囲温度範囲は R / I 各バージョンによって異なります。１頁の表をご参照下さい。 Note 1 1 AC 特性 測定条件 (Vcc = 4.5V ~ 5.5V, Ta = 0 ~ +70°C / -40 ~ +85°C*1) • • • • 入力パルスレベル： VIL = 0.6V, VIH = 2.4V 入力上昇／下降時間：5ns 入出力タイミング参照レベル：1.5V 出力負荷：下図参照（スコープ、ジグ容量を含む） 1.5V RL = 500 ohm DQ CL = 30 pF ( -5SI, -5SR) CL = 100 pF ( -7SI, -7SR) 【注】１：周囲温度範囲は R / I 各バージョンによって異なります。１頁の表をご参照下さい。 R10DS0029JJ0200 Rev.2.00 2011.01.14 Page 8 of 15 R1LP0108E シリーズ リードサイクル Parameter Read cycle time Address access time Chip select access time Output enable to output valid Output hold from address change Chip select to output in low-Z Output enable to output in low-Z Chip deselect to output in high-Z Output disable to output in high-Z R10DS0029JJ0200 Rev.2.00 2011.01.14 Symbol tRC tAA tACS1 tACS2 tOE tOH tCLZ1 tCLZ2 tOLZ tCHZ1 tCHZ2 tOHZ R1LP0108E**-5S* R1LP0108E**-7S* Min. 55 5 5 5 5 0 0 0 Min. 70 10 10 10 5 0 0 0 Max. 55 55 55 30 20 20 20 Max. 70 70 70 35 25 25 25 Unit Note ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns 2,3 2,3 2,3 1,2,3 1,2,3 1,2,3 Page 9 of 15 R1LP0108E シリーズ ライトサイクル Parameter Write cycle time Address valid to end of write Chip select to end of write Write pulse width Address setup time Write recovery time Data to write time overlap Data hold from write time Output enable from end of write Output disable to output in high-Z Write to output in high-Z Symbol tWC tAW tCW tWP tAS tWR tDW tDH tOW tOHZ tWHZ R1LP0108E**-5S* R1LP0108E**-7S* Min. 55 50 50 45 0 0 25 0 5 0 0 Min. 70 55 55 50 0 0 30 0 5 0 0 Max. 20 20 Max. 25 25 Unit ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns Note 5 4 6 7 2 1,2 1,2 【注】１： tCHZ、tOHZ、tWHZ は、出力閉回路条件になったときの時間で規定され、 出力電圧レベルによっては判定しません。 ２： このパラメータは全数測定されたものではなくサンプル値です。 ３： 温度・電圧条件が同一の場合、tHZ max は tLZ min より小さくなります。 ４： 書き込みは、CS1#が Low、CS2 が High、WE#が Low のオーバーラップ中（tWP）に行われます。書き込み開 始は、CS1#の Low 遷移、CS2 の High 遷移、WE#の Low 遷移のうち最も遅い遷移点で始まります。書き込 み終了は、CS1#の High 遷移、CS2 の Low 遷移、WE#の High 遷移のうち、最も早い遷移点で終わります。 tWP は書き込み開始から書き込み終了までの時間で測定されます。 ５： tCW は、CS1#の Low 遷移と CS2 の High 遷移の遅い方から書き込み終了までの時間で測定されます。 ６： tAS は、アドレス変化から書き込み開始までの時間で規定されます。 ７： tWR は、WE#または CS1#の High 遷移あるいは CS2 の Low 遷移のいずれか最も早い遷移から書き込みサイク ルの終わりで規定されます。 ８： DQ 端子が出力状態にあるとき、外部から逆位相の信号を印加しないでください。 R10DS0029JJ0200 Rev.2.00 2011.01.14 Page 10 of 15 R1LP0108E シリーズ タイミング波形 リードサイクル tRC A0~16 tOH tAA tACS1 CS1# tCLZ1 CS2 tCHZ1 tACS2 tCLZ2 WE# tCHZ2 VIH WE# = “H” level tOE OE# tOLZ tOHZ High impedance DQ0~7 R10DS0029JJ0200 Rev.2.00 2011.01.14 Valid Data Page 11 of 15 R1LP0108E シリーズ ライトサイクル(1) (WE# CLOCK) tWC A0~16 tCW CS1# tCW CS2 tAW tAS tWP tWR WE# OE# tWHZ tOLZ tOHZ DQ0~7 tOW Valid Data tDW R10DS0029JJ0200 Rev.2.00 2011.01.14 tDH Page 12 of 15 R1LP0108E シリーズ ライトサイクル(2) (CS1#, CS2 CLOCK) tWC A0~16 tAW tAS tCW tWR tAS tCW tWR CS1# CS2 tWP WE# OE# VIH OE# = “H” level tDW DQ0~7 R10DS0029JJ0200 Rev.2.00 2011.01.14 tDH Valid Data Page 13 of 15 R1LP0108E シリーズ データ保持特性 Parameter VCC for data retention Symbol VDR Min. Typ. Max. Test conditions*2 Unit 2.0 - 5.5 V Vin ≥ 0V (1) 0V ≤ CS2 ≤ 0.2V or (2) CS1# ≥ Vcc-0.2V, CS2 ≥ Vcc-0.2V - 1*1 2 μA ~+25°C Vcc=3.0V, Vin ≥ 0V Data retention current - - 3 μA ~+40°C - - 8 μA ~+70°C - - 10 μA ~+85°C ICCDR (1) 0V ≤ CS2 ≤ 0.2V or (2) CS1# ≥ Vcc-0.2V, CS2 ≥ Vcc-0.2V Chip deselect to data retention time tCDR 0 ns See retention waveform. Operation recovery time tR 5 ms 【注】１： Vcc = 3.0V、Ta = +25℃における参考値 ２： CS2 ピンは、アドレスバッファ、WE#バッファ、CS1#バッファ、OE#バッファ、Din バッファを制御します。 CS2 がデータ保持モードを制御する場合、入力レベル（アドレス、WE#、CS1#、OE#、DQ）は High-Z 状態 にしてもかまいません。 CS1#がデータ保持モードを制御する場合、CS2 は CS2≧Vcc-0.2V または 0V≦CS2≦0.2V でなければなりま せん。他の入力レベル（アドレス、WE#、OE#、DQ）は High-Z 状態にしてもかまいません。 R10DS0029JJ0200 Rev.2.00 2011.01.14 Page 14 of 15 R1LP0108E シリーズ データ保持タイミング波形 (1) CS1# コントロール Vcc tCDR 4.5V 4.5V tR VDR 2.2V 2.2V CS1# ≥ Vcc - 0.2V CS1# (2) CS2 コントロール Vcc tCDR CS2 4.5V 4.5V tR VDR 0.2V 0.2V 0V ≤ CS2 ≤ 0.2V R10DS0029JJ0200 Rev.2.00 2011.01.14 Page 15 of 15 R1LP0108E シリーズ データシート 改訂記録 Rev. 発行日 ページ 1.00 2.00 2010.10.20 2011.01.14 P.2 － 改訂内容 ポイント 初版（パッケージ 32P2M,32P3K,32P3H） 製品ラインアップ→発注情報に変更 すべての商標および登録商標は，それぞれの所有者に帰属します。 C-1 ߏᵈᗧᦠ߈ ᧄ⾗ᢱߦ⸥タߐࠇߡࠆౝኈߪᧄ⾗ᢱ⊒ⴕᤨὐߩ߽ߩߢࠅ੍ޔ๔ߥߊᄌᦝߔࠆߎߣ߇ࠅ߹ߔޕᒰ␠ຠߩߏ⾼߅ࠃ߮ߏ↪ߦߚࠅ߹ߒߡߪޔ೨ߦᒰ␠༡ ᬺ⓹ญߢᦨᣂߩᖱႎࠍߏ⏕ߚߛ߈߹ߔߣߣ߽ߦޔᒰ␠ࡎࡓࡍࠫߥߤࠍㅢߓߡ㐿ߐࠇࠆᖱႎߦᏱߦߏᵈᗧߊߛߐޕ ᧄ⾗ᢱߦ⸥タߐࠇߚᒰ␠ຠ߅ࠃ߮ᛛⴚᖱႎߩ↪ߦ㑐ㅪߒ⊒↢ߒߚ╙ਃ⠪ߩ․⸵ᮭ⪺ޔᮭߘߩઁߩ⍮⊛⽷↥ᮭߩଚኂ╬ߦ㑐ߒޔᒰ␠ߪ৻ޔಾߘߩ⽿છࠍ⽶߹ ߖࠎޕᒰ␠ߪ⾗ᧄޔᢱߦၮߠ߈ᒰ␠߹ߚߪ╙ਃ⠪ߩ․⸵ᮭ⪺ޔᮭߘߩઁߩ⍮⊛⽷↥ᮭࠍࠄ⸵⻌ߔࠆ߽ߩߢߪࠅ߹ߖࠎޕ ᒰ␠ຠࠍᡷㅧޔᡷᄌޕߐߛߊߢߥߒ╬ⶄޔ ᧄ⾗ᢱߦ⸥タߐࠇߚ࿁〝ߦࠄࠇߎ߮ࠃ߅ࠕࠚ࠙࠻ࡈ࠰ޔ㑐ㅪߔࠆᖱႎߪޔඨዉຠߩേޔᔕ↪ࠍ⺑ߔࠆ߽ߩߢߔ߅ޕቴ᭽ߩᯏེߩ⸳⸘ߦ߅ߡޔ࿁〝ޔ ࠰ࡈ࠻࠙ࠚࠕ߅ࠃ߮ߎࠇࠄߦ㑐ㅪߔࠆᖱႎࠍ↪ߔࠆ႐วߦߪ߅ޔቴ᭽ߩ⽿છߦ߅ߡⴕߞߡߊߛߐߦ↪ߩࠄࠇߎޕ࿃ߒ߅ቴ᭽߹ߚߪ╙ਃ⠪ߦ↢ߓߚ៊ኂ ߦ㑐ߒޔᒰ␠ߪ৻ޔಾߘߩ⽿છࠍ⽶߹ߖࠎޕ ャߦ㓙ߒߡߪޟޔᄖ࿖ὑᦧ߮ᄖ࿖⾏ᤃᴺઁߩߘޠャ㑐ㅪᴺࠍㆩߒࠆ߆߆ޔᴺߩቯࠆߣߎࠈߦࠃࠅᔅⷐߥᚻ⛯ࠍⴕߞߡߊߛߐ⾗ᧄޕᢱߦ⸥タߐࠇߡ ࠆᒰ␠ຠ߅ࠃ߮ᛛⴚࠍᄢ㊂⎕უེߩ㐿⊒╬ߩ⋡⊛ޔァ↪ߩ⋡⊛ߘߩઁァ↪ㅜߩ⋡⊛ߢ↪ߒߥߢߊߛߐޔߚ߹ޕᒰ␠ຠ߅ࠃ߮ᛛⴚࠍ࿖ౝᄖߩ ᴺ߅ࠃ߮ⷙೣߦࠃࠅㅧ↪⽼ᄁࠍᱛߐࠇߡࠆᯏེߦ↪ߔࠆߎߣ߇ߢ߈߹ߖࠎޕ ᧄ⾗ᢱߦ⸥タߐࠇߡࠆᖱႎߪޔᱜ⏕ࠍᦼߔߚᘕ㊀ߦᚑߒߚ߽ߩߢߔ߇⾗ᧄޔ৻ਁޕࠎߖ߹ࠅߪߢߩ߽ࠆߔ⸽ࠍߣߎߥ߇ࠅ⺋ޔᢱߦ⸥タߐࠇߡࠆᖱႎ ߩ⺋ࠅߦ࿃ߔࠆ៊ኂ߇߅ቴ᭽ߦ↢ߓߚ႐วߦ߅ߡ߽ޔᒰ␠ߪ৻ޔಾߘߩ⽿છࠍ⽶߹ߖࠎޕ ᒰ␠ߪޔᒰ␠ຠߩຠ⾰᳓ḰࠍޟᮡḰ᳓Ḱޟޔޠ㜞ຠ⾰᳓Ḱ․ޟ߮ࠃ߅ޠቯ᳓Ḱߦޠಽ㘃ߒߡ߅ࠅ߹ߔޔߚ߹ޕฦຠ⾰᳓Ḱߪޔએਅߦ␜ߔ↪ㅜߦຠ߇ࠊࠇࠆߎ ߣࠍᗧ࿑ߒߡ߅ࠅ߹ߔߩߢޔᒰ␠ຠߩຠ⾰᳓Ḱࠍߏ⏕ߊߛߐ߅ޕቴ᭽ߪޔᒰ␠ߩᢥᦠߦࠃࠆ೨ߩᛚ⻌ࠍᓧࠆߎߣߥߊ․ޟޔቯ᳓Ḱߦޠಽ㘃ߐࠇߚ↪ㅜߦ ᒰ␠ຠࠍ↪ߔࠆߎߣ߇ߢ߈߹ߖࠎ߅ޔߚ߹ޕቴ᭽ߪޔᒰ␠ߩᢥᦠߦࠃࠆ೨ߩᛚ⻌ࠍᓧࠆߎߣߥߊޔᗧ࿑ߐࠇߡߥ↪ㅜߦᒰ␠ຠࠍ↪ߔࠆߎߣ߇ߢ߈ ߹ߖࠎޕᒰ␠ߩᢥᦠߦࠃࠆ೨ߩᛚ⻌ࠍᓧࠆߎߣߥߊ․ޟޔቯ᳓Ḱߦޠಽ㘃ߐࠇߚ↪ㅜ߹ߚߪᗧ࿑ߐࠇߡߥ↪ㅜߦᒰ␠ຠࠍ↪ߒߚߎߣߦࠃࠅ߅ቴ᭽߹ߚ ߪ╙ਃ⠪ߦ↢ߓߚ៊ኂ╬ߦ㑐ߒޔᒰ␠ߪ৻ޔಾߘߩ⽿છࠍ⽶߹ߖࠎޔ߅ߥޕᒰ␠ຠߩ࠺࠲ࠪ࠻⾗ߩ╬ࠢ࠶ࡉ࠲࠺ޔᢱߢ․ߦຠ⾰᳓Ḱߩ␜߇ߥ ႐วߪޔᮡḰ᳓Ḱຠߢࠆߎߣࠍߒ߹ߔޕ ᮡḰ᳓Ḱ㧦 㜞ຠ⾰᳓Ḱ㧦 ャㅍᯏེ㧔⥄േゞޔ㔚ゞ╬⥾⦁ޔ㧕ޔㅢ↪ାภᯏེޔ㒐ἴ㒐‽ⵝ⟎ޔฦ⒳ోⵝ⟎↢ޔ⛽ᜬࠍ⋡⊛ߣߒߡ⸳⸘ߐࠇߡߥක≮ᯏེ ࠦࡦࡇࡘ࠲ޔ1#ᯏེޔㅢାᯏེ⸘ޔ᷹ᯏེޔ#8ᯏེޔኅ㔚ޔᎿᯏ᪾࡞࠽࠰ࡄޔᯏེ↥ޔᬺ↪ࡠࡏ࠶࠻ 㧔ෘ↢ഭ⋭ቯ⟵ߩ▤ℂක≮ᯏེߦ⋧ᒰ㧕 ․ቯ᳓Ḱ㧦 ⥶ⓨᯏེ⥶ޔⓨቝቮᯏེޔᶏᐩਛ⛮ᯏེޔේሶജᓮࠪࠬ࠹ࡓ↢ޔ⛽ᜬߩߚߩක≮ᯏེ㧔↢⛽ᜬⵝ⟎ੱޔߦၒㄟߺ↪ߔࠆ߽ߩޔᴦ≮ ⴕὑ㧔ᖚㇱಾࠅߒ╬㧕ࠍⴕ߁߽ߩ⋥ઁߩߘޔធੱߦᓇ㗀ࠍਈ߃ࠆ߽ߩ㧕㧔ෘ↢ഭ⋭ቯ⟵ߩ㜞ᐲ▤ℂක≮ᯏེߦ⋧ᒰ㧕߹ߚߪࠪࠬ࠹ࡓ╬ ᧄ⾗ᢱߦ⸥タߐࠇߚᒰ␠ຠߩߏ↪ߦߟ߈ᦨޔߦ․ޔᄢቯᩰޔേ㔚Ḯ㔚▸࿐ޔᾲ․ᕈޔታⵝ᧦ઙߘߩઁ⻉᧦ઙߦߟ߈߹ߒߡߪޔᒰ␠⸽▸࿐ౝߢߏ↪ߊ ߛߐޕᒰ␠⸽▸࿐ࠍ߃ߡᒰ␠ຠࠍߏ↪ߐࠇߚ႐วߩ㓚߅ࠃ߮ߦߟ߈߹ߒߡߪޔᒰ␠ߪ৻ޔಾߘߩ⽿છࠍ⽶߹ߖࠎޕ ᒰ␠ߪޔᒰ␠ຠߩຠ⾰߅ࠃ߮ା㗬ᕈߩะߦദߡ߅ࠅ߹ߔ߇ޔඨዉຠߪࠆ⏕₸ߢ㓚߇⊒↢ߒߚࠅ᧦↪ޔઙߦࠃߞߡߪ⺋േߒߚࠅߔࠆ႐ว߇ࠅ߹ ߔޔߚ߹ޕᒰ␠ຠߪ⠴✢⸳⸘ߦߟߡߪⴕߞߡ߅ࠅ߹ߖࠎޕᒰ␠ຠߩ㓚߹ߚߪ⺋േ߇↢ߓߚ႐ว߽ੱޔりޔἫἴ␠ޔળ⊛៊ኂߥߤࠍ↢ߓߐ ߖߥࠃ߁߅ቴ᭽ߩ⽿છߦ߅ߡ౬㐳⸳⸘ޔᑧኻ╷⸳⸘⺋ޔേ㒐ᱛ⸳⸘╬ߩో⸳⸘߅ࠃ߮ࠛࠫࡦࠣಣℂ╬ޔᯏེ߹ߚߪࠪࠬ࠹ࡓߣߒߡߩ⩄⸽ࠍ߅㗿 ߚߒ߹ߔޔߪࠕࠚ࠙࠻ࡈ࠰ࡦࠦࠗࡑޔߦ․ޕන⁛ߢߩᬌ⸽ߪ࿎㔍ߥߚ߅ޔቴ᭽߇ㅧߐࠇߚᦨ⚳ߩᯏེࠪࠬ࠹ࡓߣߒߡߩోᬌ⸽ࠍ߅㗿ߚߒ߹ߔޕ ᒰ␠ຠߩⅣႺㆡวᕈ╬ߪߡߒ߹߈ߟߦ⚦ޔຠߦᔅߕᒰ␠༡ᬺ⓹ญ߹ߢ߅วߖߊߛߐߦ↪ߏޕ㓙ߒߡߪ․ޔቯߩ‛⾰ߩ㨯↪ࠍⷙߔࠆ4Q*5ᜰ ╬ޔㆡ↪ߐࠇࠆⅣႺ㑐ㅪᴺࠍචಽ⺞ᩏߩ߁߃ࠆ߆߆ޔᴺߦㆡวߔࠆࠃ߁ߏ↪ߊߛߐ߅ޕቴ᭽߇߆߆ࠆᴺࠍㆩߒߥߎߣߦࠃࠅ↢ߓߚ៊ኂߦ㑐ߒ ߡޔᒰ␠ߪ৻ޔಾߘߩ⽿છࠍ⽶߹ߖࠎޕ ᧄ⾗ᢱߩోㇱ߹ߚߪ৻ㇱࠍᒰ␠ߩᢥᦠߦࠃࠆ೨ߩᛚ⻌ࠍᓧࠆߎߣߥߊォタ߹ߚߪⶄߔࠆߎߣࠍ࿕ߊ߅ᢿࠅߚߒ߹ߔޕ ᧄ⾗ᢱߦ㑐ߔࠆ⚦ߦߟߡߩ߅วࠊߖߘߩઁ߅᳇ઃ߈ߩὐ╬߇ߏߑ߹ߒߚࠄᒰ␠༡ᬺ⓹ญ߹ߢߏᾖળߊߛߐޕ ᵈᧄ⾗ᢱߦ߅ߡ↪ߐࠇߡࠆޟᒰ␠ࠬࠢ࠾ࡠ࠻ࠢࠛ ࠬࠨࡀ࡞ޔߪߣޠᩣᑼળ␠߅ࠃ߮࡞ࡀࠨࠬ ࠛࠢ࠻ࡠ࠾ࠢࠬᩣᑼળ␠߇ߘߩ✚ᩣਥߩ⼏ᮭߩㆊඨᢙࠍ ⋥ធ߹ߚߪ㑆ធߦߔࠆળ␠ࠍ߹ߔޕ ᵈᧄ⾗ᢱߦ߅ߡ↪ߐࠇߡࠆޟᒰ␠ຠޔߪߣޠᵈߦ߅ߡቯ⟵ߐࠇߚᒰ␠ߩ㐿⊒ޔㅧຠࠍ߹ߔޕ http://www.renesas.com ع༡ᬺ߅วߖ⓹ญ ̪༡ᬺ߅วߖ⓹ญߩᚲ㔚⇟ภߪᄌᦝߦߥࠆߎߣ߇ࠅ߹ߔᦨޕᣂᖱႎߦߟ߈߹ߒߡߪޔᑷ␠ࡎࡓࡍࠫࠍߏⷩߊߛߐޕ ࡞ࡀࠨࠬ ࠛࠢ࠻ࡠ࠾ࠢࠬ⽼ᄁᩣᑼળ␠ޥޓ100-0004ޓජઍ↰ᄢᚻ↸2-6-2㧔ᣣᧄࡆ࡞㧕 (03)5201-5307 عᛛⴚ⊛ߥ߅วߖ߅ࠃ߮⾗ᢱߩߏ⺧᳞ߪਅ⸥߳ߤ߁ߙޕ ✚ޓว߅วߖ⓹ญ㧦http://japan.renesas.com/inquiry © 2011 Renesas Electronics Corporation. 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