MAX2690 - Maxim

19-1282; Rev 0; 10/97
NUAL
KIT MA
ATION
U
EET
L
H
A
S
V
E
S DATA
W
O
L
L
FO
低ノイズ、2.5GHz
ダウンコンバータミキサ
特長 ___________________________________
MAX2690は、携帯型民生機器用として設計された
低ノイズ、低電力のダウンコンバータミキサです。RF
入力ポートの信号は、ダブルバランスドミキサを使用
してローカルオシレータ(LO)ポートの信号と混合しま
す。RFポートの周波数範囲は、400MHz∼2500MHz
です。LOポートの周波数範囲は、700MHz∼
2500MHzです。LO周波数とRF周波数を正しく選択し
た場合のIF周波数範囲は、10MHz∼500MHzです。
◆ 3次入力インターセプトポイント(IP3)：7.6dBm
IFポートは差動になっているため、良好なリニアリティ
と低L Oエミッションを提供するだけでなく、CDMA
携帯電話のような差動IFフィルタを使用したアプリケー
ションともコンパチブルです。ミキサの雑音指数は、
900MHzで10dBとなっています。
MAX2690はVCC= 3Vで16mAを消費し、電源+2.7V∼
+5.5Vで動作します。ロジック制御のシャットダウン
モードにより消費電流を1µA以下に低減しているため、
バッテリ動作機器に理想的です。このデバイスは、小型
10ピンµMAXパッケージで提供されています。
◆ ダウンコンバータミキサ雑音指数：10dB
◆ 利得：7.9dB
◆ 400MHz∼2500MHzの広帯域動作
◆ 低コスト
◆ 電源：+2.7V∼+5.5V単一電源動作
◆ シャットダウンモード：1µA以下
◆ 超小型10ピンµMAXパッケージ
型番 ___________________________________
PART
アプリケーション _______________________
MAX2690EUB
TEMP. RANGE
PIN-PACKAGE
-40°C to +85°C
10 µMAX
2.45GHz ISM帯無線
無線ローカルエリアネットワーク(WLAN)
標準動作回路は、データシートの最後に記載されています。
パーソナル通信システム(PCS)
コード分割マルチアクセス(CDMA)通信システム
携帯電話及びコードレス電話
携帯用無線
ピン配置 _______________________________
ファンクションダイアグラム _____________
TOP VIEW
TOP VIEW
MAX2690
LGND 1
GND
2
RFIN
3
10 SHDN
MAX2690
BIAS
10 SHDN
GND
2
9
IFOUT+
9
IFOUT+
8
IFOUT-
RFIN
3
8
IFOUT-
RFBYP
4
7
GNDLO
VCC
5
6
LO
RFBYP
4
7
GNDLO
VCC
5
6
LO
mMAX
LGND 1
mMAX
________________________________________________________________ Maxim Integrated Products
1
MAX2690
概要 ___________________________________
MAX2690
低ノイズ、2.5GHz
ダウンコンバータミキサ
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
VCC to GND ...........................................................-0.3V to +6.0V
RFIN Input Power..............................................................10dBm
LO Input Power .................................................................10dBm
SHDN Input Voltage ...................................-0.3V to (VCC + 0.3V)
Continuous Power Dissipation
10-Pin µMAX (derate 4.1mW/°C above +70°C) ............330mW
Operating Temperature Range
MAX2690EUB ...................................................-40°C to +85°C
Junction Temperature ......................................................+150°C
Storage Temperature Range .............................-65°C to +165°C
Lead Temperature (soldering, 10sec) .............................+300°C
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional
operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to
absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(VCC = +2.7V to +5.5V, no RF signals applied, LO = open, IFOUT+ = IFOUT- = VCC, SHDN = high, LGND = GND = GNDLO = 0V,
TA = TMIN to TMAX. Typical values are at VCC = +3.0V and TA = +25°C, unless otherwise noted. Minimum and maximum values are
guaranteed by design and characterization over temperature.)
PARAMETER
CONDITIONS
Operating Supply Current
Shutdown Input Voltage High
MIN
TYP
MAX
UNITS
9.5
16
20.1
mA
2
V
Shutdown Input Voltage Low
Shutdown Supply Current
Shutdown Input Bias Current
0.5
SHDN = 0V
0.4
SHDN = low
2
0V < SHDN < VCC
-5
4
25
V
µA
µA
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(MAX2690 EV kit; VCC = +3.0V; PLO = -3dBm; PRF = -25dBm; SHDN = high; RFIN matched for 900MHz, 1.95GHz, and 2.45GHz as
noted below. Inductor connected from LGND to GND = 39nH for 900MHz operation, 27nH for 1.95GHz operation, and 6.8nH for
2.45GHz operation. TA = +25°C, unless otherwise noted.)
PARAMETER
Conversion Gain
(Note 1)
CONDITIONS
7.9
fRF = 1.95GHz, fLO = 1.75GHz
6.4
fRF = 2.45GHz, fLO = 2.1GHz
4
fRF = 1.95GHz, TA = TMIN to TMAX (Note 2)
Input Third-Order Intercept
Two tones at
-25dBm per tone,
fRF2 = 1MHz above fRF
2
TYP
fRF = 900MHz, fLO = 1.1GHz
Gain Variation over
Temperature
Noise-Figure
Single Sideband
MIN
±0.6
fRF = 900MHz, fLO = 1.1GHz
7.6
fRF = 1.95GHz, fLO = 1.75GHz
5.3
fRF = 2.45GHz, fLO = 2.1GHz
4.3
fRF = 900MHz, fLO = 1.1GHz
MAX
UNITS
dB
±1.2
dB
dBm
10
fRF = 1.95GHz, fLO = 1.75GHz
11.5
fRF = 2.45GHz, fLO = 2.1GHz
12
_______________________________________________________________________________________
dB
低ノイズ、2.5GHz
ダウンコンバータミキサ
(MAX2690 EV kit; VCC = +3.0V; PLO = -3dBm; PRF = -25dBm; SHDN = high; RFIN matched for 900MHz, 1.95GHz, and 2.45GHz as
noted below. Inductor connected from LGND to GND = 39nH for 900MHz operation, 27nH for 1.95GHz operation, and 6.8nH for
2.45GHz operation. TA = +25°C, unless otherwise noted.)
PARAMETER
LO Emission at IF Port
LO Emission at RF Port
IF/2 Spurious Response
(Note 3)
CONDITIONS
MIN
TYP
fRF = 900MHz, fLO = 1.1GHz
-32
fRF = 1.95GHz, fLO = 1.75GHz
-32
fRF = 2.45GHz, fLO = 2.1GHz
-28
fRF = 900MHz, fLO = 1.1GHz
-30
fRF = 1.95GHz, fLO = 1.75GHz
-27
fRF = 2.45GHz, fLO = 2.1GHz
-25
RF input = -15dBm
fRF = 1.0GHz, fLO = 1.1GHz
-74
fRF = 1.85GHz, fLO = 1.75GHz
-62
fRF = 2.275GHz, fLO = 2.1GHz
-56
MAX
UNITS
dBm
dBm
dBm
Turn-On Time
(Note 4)
1
µs
Turn-Off Time
(Note 4)
1.6
µs
Note 1: Consult the Applications Information section for information on designing a matching network.
Note 2: Guaranteed by design and characterization.
Note 3: This spurious response is caused by a higher-order mixing product (2x2). Specified RF frequency is applied and IF output
power is observed at the desired IF frequency (200MHz for fRF = 900MHz, or 1.95GHz, and 350MHz for fRF = 2.45GHz).
Note 4: From the time SHDN goes high to the time ICC reaches 90% of its final value (on), or from the time SHDN goes low to the
time ICC drops below 10µA (off).
_______________________________________________________________________________________
3
MAX2690
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
標準動作特性 ______________________________________________________________________
(MAX2690 EV kit, VCC = +3.0V, PLO = -3dBm, PRF = -25dBm, fRF = 1.95GHz, fIF = 200MHz, SHDN = high, TA = +25°C, unless
otherwise noted.)
SHUTDOWN SUPPLY CURRENT
vs. SUPPLY VOLTAGE
17
15
TA = +85°C
13
11
9
TA = -40°C
0.6
fRF = 2.45GHz
5.8
5.6
0.4
0
5.4
5.2
5.0
4.8
4.6
4.4
4.2
4.0
2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.2 4.5 4.8 5.1 5.4 5.7
2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.2 4.5 4.8 5.1 5.4 5.7
SUPPLY VOLTAGE (V)
SUPPLY VOLTAGE (V)
IF FREQUENCY (MHz)
CONVERSION GAIN
vs. RF FREQUENCY
NOISE FIGURE
vs. RF FREQUENCY AND TEMPERATURE
RF PORT IMPEDANCE
vs. FREQUENCY
12
4
fIF = 200MHz
2
0
-2
10
TA = +85°C
TA = +25°C
8
TA = -40°C
6
4
fIF = 350MHz
2
-4
fRF
(MHz)
fIF
(MHz)
900
1950
2450
200
200
350
1000
1500
2000
2500
1000
1500
2000
2500
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
CONVERSION GAIN
vs. LO POWER
GAIN AND LINEARITY
vs. LGND INDUCTOR VALUE
MAX2690toc07
10
fRF = 900MHz, fIF = 200MHz
6
4
2
fRF = 1950MHz, fIF = 200MHz
0
fRF = 2450MHz, fIF = 350MHz
-15 -13 -11 -9
-7
-5
-3
LO POWER (dBm)
-1
1
3
5
MAX2690toc06
0
-50
100
-100
IMAGINARY
80
-150
60
-200
40
-250
-300
14
fRF = 1.95GHz
12
-350
500
3000
1000
1500
2000
2500
FREQUENCY (MHz)
LO PORT S11 vs. FREQUENCY
10
0
OIP3
10
IIP3
GAIN
8
6
-10
-20
-30
4
-40
-50
0
-6
350
20
2
-4
300
0
500
3000
250
REAL
LO PORT S11 (dB)
500
GAIN AND LINEARITY (dB or dBm)
0
200
120
0
-6
150
MAX2690toc09
NOISE FIGURE (dB)
6
100
140
REAL IMPEDANCE (W)
fIF = 200MHz
50
MAX2690toc05
14
MAX2690toc04
8
CONVERSION GAIN (dB)
0.8
5
-2
TA = +25°C
1.0
0.2
8
TA = +85°C
1.2
7
10
4
1.4
0
12
27
LGND INDUCTOR VALUE (nH)
47
0
0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 1.8 2.1 2.4 2.7 3.0
FREQUENCY (GHz)
_______________________________________________________________________________________
IMAGINARY IMPEDANCE (W)
TA = -40°C
19
6.0
MAX2690toc08
SUPPLY CURRENT (mA)
21
SHDN = 0V
CONVERSION GAIN (dB)
TA = +25°C
1.6
MAX2690toc02
23
SHUTDOWN SUPPLY CURRENT (µA)
MAX2690toc01
25
CONVERSION GAIN
vs. IF FREQUENCY
MAX2690toc03
SUPPLY CURRENT
vs. SUPPLY VOLTAGE
GAIN (dB)
MAX2690
低ノイズ、2.5GHz
ダウンコンバータミキサ
低ノイズ、2.5GHz
ダウンコンバータミキサ
(MAX2690 EV kit, VCC = +3.0V, PLO = -3dBm, PRF = -25dBm, fRF = 1.95GHz, fIF = 200MHz, SHDN = high, TA = +25°C, unless
otherwise noted.)
CAPACITANCE
14
TA = +85°C
6.5
TA = +25°C
6.0
5.5
5.0
TA = -40°C
4.5
1300
1700
2100
-40
3.0
10
2.5
8
2.0
RESISTANCE
6
1.5
4
1.0
2
0.5
fRF = 900MHz
IF = 200MHz
125
250
375
-3
-4
-5
0
fIF
(MHz)
900
1950
2450
200
200
350
9
8
fRF = 900MHz, fIF = 200MHz
7
fRF = 1.95GHz, fIF = 200MHz
6
5
fRF = 2.95GHz, fIF = 350MHz
4
3
2
1
1500
2000
2500
0
3000
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
RF FREQUENCY (MHz)
VCC (V)
INPUT IP3 vs. SUPPLY VOLTAGE
CONVERSION GAIN
vs. TEMPERATURE
8
7
6
5
4
fRF = 2450MHz, fIF = 350MHz
fRF = 1950MHz, fIF = 200MHz
fRF = 900MHz, fIF = 200MHz
8
CONVERSION GAIN (dB)
fRF = 900MHz, fIF = 200MHz
5.5
9
MAX2690toc15
10
3
0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 1.8 2.1 2.4 2.7 3.0
10
-8
9
LO + RF
FREQUENCY (GHz)
CONVERSION GAIN (dB)
TA = -40°C
1000
2LO - RF
-100
500
MAX2690toc13
TA = +85°C TA = +25°C
500
RF
-70
CONVERSION GAIN
vs. SUPPLY VOLTAGE
-2
-7
3LO - RF
-60
FREQUENCY (MHz)
fRF
(MHz)
2LO
-50
-90
INPUT 1dB COMPRESSION vs.
RF FREQUENCY AND TEMPERATURE
-6
LO = 1.1GHz
-80
0
1
2500
RF FREQUENCY (MHz)
INPUT 1dB COMPRESSION (dBm)
900
3.5
12
0
4.0
-30
7
6.0
MAX2690toc16
7.0
4.0
MAX2690toc14
RESISTANCE (kW)
7.5
-20
MAX2690toc12
16
4.5
OUTPUT POWER (dBm)
8.0
IF PORT OUTPUT SPECTRUM
MAX2690toc11
18
MAX2690toc10
fRF2 = 1MHz ABOVE fRF
8.5
INPUT IP3 (dBm)
INPUT THIRD-ORDER INTERCEPT (dBm)
9.0
SINGLE-ENDED IF PORT EQUIVALENT
SHUNT RC NETWORK
CAPACITANCE (pF)
IIP3 vs.
RF FREQUENCY AND TEMPERATURE
fRF = 1950MHz, fIF = 200MHz
6
5
fRF = 2450MHz, fIF = 350MHz
4
3
2
2
1
1
0
0
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
VCC (V)
4.5
5.0
5.5
6.0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
TEMPERATURE (°C)
_______________________________________________________________________________________
5
MAX2690
標準動作特性(続き)_________________________________________________________________
統計データ ________________________________________________________________________
(MAX2690 EV kit, VCC = +3.0V, PLO = -3dBm, PRF = -25dBm, fRF = 1.95GHz, fIF = 200MHz, SHDN = high, TA = +25°C, unless otherwise noted.) Histograms represent measured data from a 30-unit sample taken from one wafer lot. The Gaussian curve is calculated for the measured data’s mean and standard deviation and is scaled to account for process variations (the listed mean and
standard deviation are from the scaled distribution, as plotted).
GAIN (+85°C)
INPUT IP3 (+85°C)
15
0.8
12
0.6
9
0.4
6
0.2
3
0
0
4.6
5.4
6.2
7.0
0.8
12
0.6
9
0.4
6
0.2
3
0
7.8
0
3.4
4.2
GAIN (dB)
1.4
28
1.2
24
1.0
20
0.8
16
0.6
12
0.4
8
0.2
4
0
6.4
6.8
7.2
7.6
MAX2690toc20
x = 5.25dB
s = 0.390dB
1.0
0.6
12
0.4
8
0.2
4
0
2.9
8.0
3.7
15
0.50
10
0.25
5
0
0
7.0
7.4
GAIN (dB)
6
7.8
8.2
8.6
PROBABILITY DENSITY FUNCTION
0.75
NO. OF UNITS
25
20
6.6
6.1
6.9
7.7
MAX2690toc22
1.2
30
1.00
6.2
5.3
INPUT IP3 (-40°C)
x = 7.00dB
s = 0.272dB
5.8
4.5
INPUT IP3 (dBm)
MAX2690toc21
1.25
20
16
GAIN (-40°C)
1.50
24
0.8
GAIN (dB)
5.4
7.4
0
0
6.0
6.6
1.2
NO. OF UNITS
PROBABILITY DENSITY FUNCTION
x = 6.37dB
s = 0.257dB
32
PROBABILITY DENSITY FUNCTION
MAX2690toc19
5.6
5.8
INPUT IP3 (+25°C)
GAIN (+25°C)
5.2
5.0
INPUT IP3 (dBm)
1.6
4.8
15
N0. OF UNITS
3.8
1.0
18
x = 4.63dB
s = 0.347dB
1.0
18
15
0.8
12
0.6
9
0.4
6
0.2
3
0
0
2.0
2.8
3.6
4.4
5.2
INPUT IP3 (dBm)
_______________________________________________________________________________________
6.0
6.8
N0. OF UNITS
3.0
x = 5.55dB
s = 0.347dB
NO. OF UNITS
1.0
MAX2690toc18
1.2
N0. OF UNITS
PROBABILITY DENSITY FUNCTION
x = 5.76dB
s = 0.338dB
18
PROBABILITY DENSITY FUNCTION
MAX2690toc17
1.2
PROBABILITY DENSITY FUNCTION
MAX2690
低ノイズ、2.5GHz
ダウンコンバータミキサ
低ノイズ、2.5GHz
ダウンコンバータミキサ
端子
名称
機能
1
LGND
誘導性縮退ピン。最大の線形性を得るには、直列インダクタンスを使用せずにLGNDを直接グランドに接続
してください。直線性よりも利得を重視する場合は、LGNDからグランドへの直列インダクタンスを増加し
ます。詳細については、
「アプリケーション情報」を参照してください。
2
GND
RFグランド。インダクタンスを最小にするには、できるだけこのピンの近くにグランドへの別経路を設ける
ことが必要です。
3
RFIN
RF入力ポート。ダウンコンバータミキサのRF入力。RFINのマッチングについては、「アプリケーション情報」
を参照してください。
4
RFBYP
RFバイパスコンデンサピン。RFBYPは、適切な値のコンデンサ(通常1000pF)でグランドにバイパスしてください。
5
VCC
電源電圧入力+2.7V∼+5.5V。VCCとGND間には、0.1µF及び1000pFのコンデンサを(並列に)接続して
ください。
6
LO
ローカルオシレータ入力。LOはACカップリングし、負荷インピーダンスが50Ωになるようにしてください。
詳細については、
「アプリケーション情報」を参照してください。
7
GNDLO
LOポートのグランド。インダクタンスを最小にするには、できるだけこのピンの近くにグランドへの専用経路
を設けることが必要です。
8
IFOUT-
差動IF反転出力。IFOUT-はオープンコレクタ出力で、正しいバイアスを得るには、外部インダクタにより
VCCまで引き上げることが必要です。終端インピーダンスの設定には、インダクタと並列の抵抗を使用するこ
ともできます。I Fポート特性及び周波数の関係については、「標準動作特性」(Single-Ended IF Port
Equivalent Shunt RC Network)を参照してください。
9
IFOUT+
差動IF非反転出力。IFOUT+はオープンコレクタ出力で、正しいバイアスを得るには、外部インダクタでVCC
まで引き上げることが必要です。終端インピーダンスの設定には、インダクタと並列の抵抗を使用すること
もできます。IFポート特性及び周波数の関係については、「標準動作特性」(Single-Ended IF Port Equivalent
Shunt RC Network)を参照してください。
10
SHDN
アクティブローシャットダウン入力。SHDNのディジタルロジックローレベルで全機能を停止し、消費電流を
0.4µAに低減します。
詳細 ___________________________________
IF出力
MAX2690は、与えられた消費電流において最適な
相互変調性能を提供できるように設計された、2.5GHz
ダブルバランスド・ダウンコンバータミキサです。
本製品は、シングルエンドRF及びLOポート接続を持つ
ダブルバランスド・ギルバートセルミキサ及び差動IF
ポートで構成されています。チップ上のバイアスセル
は、低電力シャットダウン機能を提供します。
MAX2690の差動オープンコレクタIF出力は、IFOUT+
ピンとI F O U T -ピンで構成されています。I F出力は、
VCCへのシャントインダクタと負荷への直列コンデンサ
を使って、負荷に結合しています。殆どのアプリケー
ションでは、500Ω(typ)抵抗の終端抵抗をプルアップ
インダクタと並列接続することによって、インピー
ダンスの終端を設定します。この部品の変換利得は、
抵抗を接続した状態で指定されたもので(MAX2690
評価キットの出力ネットワークを使用)、抵抗による
ロスが3dBになっています。従って、正しく設計した
マッチングネットワークを使用することにより、利得
を増大させることが可能です。但し、このポートを
標準のIFフィルタに接続した場合は、この抵抗が最小
通過帯域リップルを提供します。
RF入力
MAX2690のRF入力は、RFINピンとRFBYPピンで構成
されています。シングルエンドR F入力信号は、RFIN
ピンに送られます (「標準動作特性」の R F P o r t
Impedance vs. Frequencyグラフ参照)。RFBYPピン
は、通常1000pFコンデンサでACグランドに接続しま
す。この時コンデンサ値が、RF周波数及びIF周波数の
両方で低インピーダンスになるようにしてください。
バイアス
バイアスセルには、シャットダウン制御回路に加え、
温度範囲における変換利得変化を最小にするための
補償回路があります。SHDNピンを使用することにより、
全機能をディセーブルし、消費電流を0.4 µ A(typ)に
低減できます。
_______________________________________________________________________________________
7
MAX2690
端子説明 ___________________________________________________________________________
MAX2690
低ノイズ、2.5GHz
ダウンコンバータミキサ
アプリケーション情報 ___________________
です。レイアウトでは、低インダクタンスのグランド接続
及び制御インピーダンスラインを使用してください。
ローカルオシレータ(LO)入力
内部バイアスセルのノイズを最小にするには、グランド
への1000pFコンデンサでSHDNをデカップリングする
ことが必要です。SHDNへの高周波信号カップリングを
低減させるには、直列抵抗(100Ω typ)を使用すること
もできます。
LO入力は、900MHzから3GHzまでのリターンロスが
10dB以上(高い周波数ではこれ以上)の、シングルエンド
広帯域50Ω入力です。低周波数LO動作では、シャント
抵抗を使用してLOポートマッチを向上させることがで
きます(詳細については「標準動作回路」を参照してくだ
さい)。ACはLOに結合します。LO信号は入力RF信号と
混合し、ダウンコンバート後の出力は、IFOUT+及び
IFOUT-ピンから得られます。
RF入力
標準的なRF入力周波数の範囲は、400MHz∼2.5GHz
です。最適な性能を得るには、RF入力にインピーダンス
マッチングネットワークが必要です。表1及び「標準
動作特性」のRF Port Impedance vs. Frequencyグラフ
を参照してください。
表1. RF入力インピーダンス
FREQUENCY
直列インダクタは、通常LGNDからGNDに接続します。
このインダクタの値を調整することにより、
MAX2690の利得及び直線性をアプリケーションに
適した値に設定できます。最大の直線性は、LGNDから
グランドへの短絡で得られます。インダクタの値を
増加すると、直線性を犠牲にした利得の向上が図れま
す。この場合インダクタが大きい程、利得も大きくな
ります。インダクタ値を変えた場合の変換利得と直線
性の関係については、
「標準動作特性」のグラフを参照し
てください。最適な性能を得るには、インダクタの
自己共振周波数(SRF)を希望のRF周波数以上か、それ
にできるだけ近い値に設定してください。
レイアウト _____________________________
PART
900MHz
1.95GHz
2.45GHz
45 – j 219Ω
20 – j 110Ω
18 – j 85Ω
Equivalent Shunt R
1100Ω
630Ω
400Ω
Equivalent Shunt C
0.7pF
0.7pF
0.7pF
Series Z
誘導性縮退ピン(LGND)
RF回路では、PCボードの設計が重要になります。最大
の性能を得るには、RFINマッチングネットワークの
レイアウトだけでなく、電源にも注意を払うことが
必要です。
電源レイアウト
IF出力
シングルエンド動作では、IFOUT-ピンを直接V CC に
接続することもできます。
ICの差動部間のカップリングを最小にする電源レイア
ウトは、中央のVCCノードに大きなデカップリングコン
デンサを備えたスター構成です。VCC トレースがこの
ノードから分岐し、それぞれMAX2690内の異なるVCC
ノードに接続されます。各トレースの終端部には、問
題となるRF周波数に好適なバイパスコンデンサが存在
します。このレイアウトでは、各VCCピンによってロー
カルデカップリングが行われます。高周波では、1つの
電源ピンから漏れた信号は、グランドへの低いインピー
ダンス、中央 V CC ノードへの比較的高いインピー
ダンス(VCCトレースインダクタンスによって発生)、さらに
他の電源ピンへのより高いインピーダンスに遭遇します。
電源及びバイパス
マッチングネットワークのレイアウト
高周波R F回路では電源のバイパスが重要になります。
VCC(ピン5)は、1000pFと並列の0.1µFコンデンサを
使用してグランドに正しくバイパスしてください。各
バイパスコンデンサには、グランドプレーンへの個別
経路が必要であり、インダクタンスを低減するために
トレースの長さも最小にすることが必要です。また、各
グランドピンにもグランドプレーンへの個別経路が必要
レイアウトによっては、RFINマッチングネットワークが
寄生回路要素に非常に敏感になることがあります。寄生
インダクタンスを最小に抑えるには、全てのトレースを
短くし、コンポーネントをできるだけチップの近くに
配置してください。又、寄生容量を最小にするには、
マッチングネットワークコンポーネントの下のグランド
プレーン(及び他のプレーン)にカットアウトを使用します。
標準的なIF出力周波数の範囲は、10MHz∼500MHzで
す。正しいバイアスを得るために、IFOUT+及び
IFOUT-ピンにVCCへの外部インダクタが必要です。こ
れらの出力は、高インピーダンスオープンコレクタで
す。多くのアプリケーションでは、出力インピーダン
スを設定するために、抵抗をバイアスインダクタンス
と並列に接続しています。この場合、IFOUT+と
IFOUT-の間に抵抗を接続することも可能です。詳細に
ついては「標準動作特性」を参照してください。
8
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低ノイズ、2.5GHz
ダウンコンバータミキサ
27nH
1
LGND
SHDN
100W
10
1000pF
1pF
RF
INPUT
3.3nH
3
1pF
MAX2690
220nH
500W
IFOUT+
RFBYP
1000pF
VCC
IFOUT5
0.1pF
VCC
RFIN
0.5pF
4
RF = 1.95GHz
SHUTDOWN
CONTROL
VCC
1000pF
GND
2
6
LO
INPUT
ROPTIONAL
(SEE TEXT)
9
IF OUTPUT
TO IF FILTER
8
500W
LO
1000pF
1000pF
IF = 200MHz
220nH
GNDLO
7
VCC
1000pF
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9
MAX2690
標準動作回路_______________________________________________________________________
パッケージ _________________________________________________________________________
10LUMAXB.EPS
MAX2690
低ノイズ、2.5GHz
ダウンコンバータミキサ
10
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