金属・ 金属・有機膜の 有機膜の電位評価事例 3.PYSと PYSとケルビンプローブの ケルビンプローブの比較 仕事関数と 仕事関数とイオン化 イオン化ポテンシャルを ポテンシャルを測る 装 置 K P PYS 試料 表面上で金属 チップを振動させる 事により、 D2 ランプの光を分光し て試料に照射 し、光 電効 試料 とチップ間の 静電容量から接触電 位差(仕事 果に よって放出された光 電子を検出器にて測 定す 関数 差)を測定す る る 測定方法 測定 エネルギー 制限なし 3~9eV(分光器に よる) 分解能 1meV (Tipサイズによ る) 20meV 仕事関数校正 Al/Au試料にて 校正 校正なし 測定領域 標準 チップ径:2mm 光照射 形状: 2~ 4mm角 測定値 仕事関 数の相対値とイオン 化ポテンシャ ル 仕事関 数の絶 対値とイオン 化ポテンシャル 試料測定範囲 走 査測定可能 1点測定 測定時間 1点: 10秒以 内 約5分 社内で測定したPYSとケルビンプローブによる各種金属の仕事関数実測値と他機関で公表されている測定値 との比較です テックサイエンスは材料表面の仕事関数とイオン化ポテンシャルを測定できる装置としてケルビンプローブ、PYS 光電子収量分光装置、逆光電子分光装置を用意しています。試料による装置の選択とバンド構造の相互の比較と分析 ができます。とくに太陽電池や燃料電池、光触媒などのデバイス開発において基礎となる材料設計を評価のために、 バンド構造の測定分析が欠かせない項目となります。 有機膜/太陽電池の寿命や変換効率、金属の吸着、腐蝕の観察、有機薄膜・OELD薄膜・ITO表面の汚染・欠陥・酸化状 態、磁気テープの分析に利用されています。 以下は太陽電池材料と有機膜に関するデータの測定事例です。 仕事関数測定方法の 仕事関数測定方法の分類 測定方法 紫外光電子分光 X 線光電子分光法 光電子収量分光 AES 電子分光 ケルビンプローブ 略称 UPS XPS PYS AES KP プローブ 光 HeⅠ (21.22eV) 光 Al (1486.6eV) 光 D2 (3-7eV) 電子 (3kV) 金属プローブ 測定方法 光電子 CMA/CHA 光電子 CMA/CHA 試料電流 光電子 CMA/CHA 接触電位差 測定値 絶対値 相対値 絶対値 相対値 相対値 有機・無機半導体 イオン化ポテンシャル イオン化ポテンシャル イオン化ポテンシャル イオン化ポテンシャル 仕事関数 プローブサイズ >φ1mm >φ1mm >φ2-4mm >φ1mm >φ0.1-10mm 測定環境 真空 真空 大気/真空 真空 大気/真空 仕事関 数比較表 試料 処理 Al 未処理 研磨後 Au 未処理 Cu 研磨後 未処理 PYS KP 他社 大気 中 真空中 大気中 大気中 4.50 4.24 3.63 4.30 3.79 3.60 4.73 4.73 4.78 4.88 4.35 5.30 4.50 4.48 研磨後 4.46 Ni 未処理 4.75 4.13 4.40 4.91 3.95 Pt 研磨後 未処理 5.23 4.80 NIMS 大気中 4.65 千葉大 真空中 大 気中 真空中 1.PYSの PYSの測定事例 仕事関数・イオン化ポテンシャルは真空準位を基準としますので本来、真空中で測定する方が真値を得られます。 テックサイエンスのPYSは大気、窒素雰囲気、真空中にて仕事関数とイオン化ポテンシャルエネルギーを測定でき ますので、3-9eVの広い範囲をカバーします。 4.56 4.25 Zn,Ni,Auの仕事関数の比較 Zn 研磨処理前と後の比較 Ni 高真空と低真空中の比較 Au 大気と真空中の比較 4.60 4.51 5.24 4.75 4.50 研磨後 Zn 未処理 3.90 4.10 SUS 研磨後 未処理 3.69 4.90 3.63 4.75 3.80 光電子収量分光装置 PYSPYS-100型 100型 研磨後 ( eV) eV) 日本総販売代理店 日本総販売代理店 〒 343343-0806 埼玉県越谷市宮本町2 埼玉県越谷市宮本町2-64 E-mail:[email protected] 4 TEL:048TEL:048-964964-3111 FAX:048FAX:048-965965-1500 URL:http://www.techsc.co.jp/ 大気ケルビンプローブにて測定した仕事関数の3D画像 Zn,Ni,Auの仕事関数の比較 Au 大気中と真空中の比較 Ni 高真空と低真空中の比較 Zn 研磨処理前と後の比較 2-1.ケルビンプローブの ケルビンプローブの測定事例 多結晶シリコン太陽電池 仕事関数測定の3D表示 使用チップ材質: 金メッキ 使用チップサイズ: 0.3mm径 アルミと金インターフェースを0.85mmチップ径で 9x7mm走査しました。グラフの右側が金です ITO薄膜上の欠陥 シリコン基板上のクロム蒸着膜 単結晶シリコン表面 太陽電池用多結晶シリコン上のSi3N4保護膜中の欠陥 太陽電池用多結晶シリコン上のSi3N4保護膜 2-2.光起電力ケルビンプローブ 光起電力ケルビンプローブ Si太陽電池にLED光を照射してケルビンプローブで仕事関数を測定した LED 色 波長(暫定) 青 420nm 緑 500 nm 赤 650 nm 市販のSi太陽電池に3色の異なるLED光を照射した時の仕 事関数値の変化を測定。 アースを基盤の表面、および裏面から取ることにより異 なる結果となった。 両面の仕事関数の和と光照射による太陽電池の起電力と の間で相関が取れている事が分かった。 走査型ケルビンプローブ 走査型ケルビンプローブ SKP020型 SKP020型 太陽電池セルに分光された可視光(400nm-750nm)を照射しながら 仕事関数の変化を測定した 真鍮板腐食部仕事関数測定の3D表示 使用チップ材質:金メッキ 使用チップサイズ:0.3mm径 2 3 ED光源からの光強度の増減による仕事関数の変化を ケルビンプローブで測定した
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