2SK2361/2SK2362 - SmartData

データ・シート
MOS形電界効果トランジスタ
MOS Field Effect Transistors
2SK2361/2SK2362
NチャネルパワーMOS FET
スイッチング用
工業用
2SK2361/2SK2362はNチャネル縦型パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種スイッチング電源
用途に最適です。
特
徴
○低オン抵抗です。
2SK2361：RDS（on）= 0.9 Ω最大（＠VGS = 10 V，ID = 5.0 A）
2SK2362：RDS（on）= 1.0 Ω最大（＠VGS = 10 V，ID = 5.0 A）
○低入力容量です。
Ciss = 1050 pF標準
○ゲートカットオフ電圧幅が狭い。
VGS（off）= 2.5 ∼ 3.5 V
○アバランシェ耐量を保証。
15.7 MAX.
3.2±0.2
2
3
4.5±0.2
1
Drain
4.7 MAX.
1.5
7.0
4
内部等価回路
Body
Diode
Gate
19 MIN.
3.0±0.2
20.0±0.2
6.0
1.0
外形図（単位：mm）
Source
2.2±0.2
1.0±0.2 0.6±0.1
5.45
5.45
2.8±0.1
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin（Drain）
MP-88
本製品は絶縁ゲート構造を有しておりますので，取り扱いにご注意ください。
資料番号
D11394JJ2V0DS00（第２版）
（旧資料番号 TC−8061）
発行年月 March 1996
P
© NEC Corporation 1994
2SK2361/2SK2362
絶対最大定格（TA = 25 ℃）
項
目
ドレイン・ソース間電圧
略号
VDSS
条
VGS = 0
件
定
格
単位
2SK2361
450
V
2SK2362
500
V
ゲート・ソース間電圧
VGSS
VDS = 0
± 30
V
ドレイン電流（直流）
ID（DC）
TC = 25 ℃
± 10
A
ドレイン電流（パルス）
ID（pulse）
PW ≦ 10 μs, Duty ≦ 1 ％
± 40
A
全損失
PT1
TC = 25 ℃
100
W
全損失
PT2
TA = 25 ℃
3.0
W
チャネル温度
Tch
150
℃
保存温度
Tstg
−55 ∼ ＋150
℃
単発アバランシェ電流
IAS
Startig Tch = 25 ℃
10
A
RG = 25 Ω，VGS = 20 V → 0
142
mJ
単発アバランシェエネルギ EAS
電気的特性（TA = 25 ℃）
項
略号
目
条
件
MIN.
ドレインしゃ断電流
IDSS
VDS = VDSS, VGS = 0
ゲート漏れ電流
IGSS
VGS = ± 30 V, VDS = 0
ゲートカット電圧
VGS（off）
VDS = 10 V, ID = 1 mA
2.5
順伝達アドミタンス
｜y fs ｜
VDS =10 V, ID = 5.0 A
3.0
TYP.
MAX.
単位
100
μA
± 100
nA
3.5
V
S
ドレイン・ソース間オン抵 RDS（on）
VGS = 10 V
2SK2361
0.7
0.9
Ω
抗
ID = 5.0 A
2SK2362
0.8
1.0
Ω
入力容量
Ciss
VDS = 10 V
1050
pF
出力容量
Coss
VGS = 0
200
pF
帰還容量
Crss
f = 1 MHz
26
pF
オン時遅延時間
td（on）
ID = 5.0 A
15
ns
立ち上がり時間
tr
VGS = 10 V
24
ns
オフ時遅延時間
td（off）
VDD = 150 V
50
ns
下降時間
tf
RG = 10 Ω, RL = 30 Ω
14
ns
ゲート全電荷量
QG
ID = 10 A
26
nC
ゲート・ソース間電荷量
QGS
VDD = 400 V
6.1
nC
ゲート・ドレイン間電荷量 QGD
VGS = 10 V
12
nC
内部ダイオード順電圧
IF = 10 A, VGS = 0
1.0
V
内部ダイオード逆回復時間 trr
IF = 10 A, VGS = 0
350
ns
逆回復電荷量
di/dt = 50 A/μs
2.0
μC
2
VF（S-D）
Qrr
2SK2361/2SK2362
Test Circuit 1 Avalanche Capability
D.U.T.
RG = 25 Ω
PG
VGS = 20-0 V
Test Circuit 2 Switching Time
D.U.T.
L
50 Ω
VGS
RL
RG
RG = 10 Ω
PG.
VDD
VGS
Wave Form
0
VGS（on）
10 ％
90 ％
VDD
ID
90 ％
90 ％
BVDSS
IAS
ID
ID
VGS
0
VDS
I
D
Wave Form
t
VDD
Starting Tch
t = 1 us
Duty Cycle ≦ 1 ％
0
10 ％
10 ％
td（on）
tr
ton
td（off）
tf
toff
Test Circuit 3 Gate Charge
D.U.T.
IG = 2 mA
PG.
50Ω
RL
VDD
3
2SK2361/2SK2362
特性曲線（TA = 25 ℃）
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
140
PT - Total Power Dissipation - W
dT - Percentage of Rated Power - %
100
80
60
40
20
0
20
40
60
80
120
100
80
60
40
20
0
100 120 140 160
20
40
60
80
100 120 140 160
TC - Case Temperature - ℃
TC - Case Temperature - ℃
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
ID（pulse） P
W
d
ite
Lim 0 V)
）
on
=1
S（
S
RD t V G
(a ID（DC）
Po
10
10
0
1
=
20
10
us
us
m
s
we
10
rD
iss
ipa
1.0
Pulsed
2SK2362
2SK2361
ms
tio
n
Lim
ite
0.1
1
10
100
1 000
VDS - Drain to Source Voltage - V
ID - Drain Current - A
Pulsed
10
1
TA = −25 ℃
25 ℃
75 ℃
125 ℃
0.1
0
5
10
VGS - Gate to Source Voltage - V
4
VGS = 20 V
10 V
8V
6V
12
8
0
4
8
12
VDS - Drain to Source Voltage - V
DRAIN CURRENT vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
100
16
4
d
TC = 25 ℃
Single Pulse
ID - Drain Current - A
ID - Drain Current - A
100
15
16
rth（ch-c）（t） - Transient Thermal Resistance - C/W
2SK2361/2SK2362
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1 000
100
Rth（ch-a） = 41.7 ℃/W
10
Rth（ch-c） = 1.25 ℃/W
1
0.1
0.01
0.001
10 u
TC = 25 ℃
Single Pulse
100 u
1m
10 m
100 m
1
10
100
1 000
100
VDS = 10 V
Pulsed
TA = −25 ℃
25 ℃
10
75 ℃
125 ℃
1.0
0.1
1.0
10
100
RDS（on）- Drain to Source On-State Resistance - Ohm
ID - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
1.5
Pulsed
3.0
Pulsed
2.0
1.0
0
1.0
10
ID - Drain Current - A
100
ID = 6 A
3A
1.5 A
1.0
0.5
0
10
20
30
VGS - Gate to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
GATE TO SOURCE CUTOFF VOLTAGE
vs. CHANNEL TEMPERATURE
VGS（off）- Gate to Source Cutoff Voltage - V
｜yfs｜ - Forward Transfer Admittance - S
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
RDS（on）- Drain to Source On-State Resistance - W
PW - Pulse Width - s
VDS = 10 V
ID = 1 mA
4.0
3.0
2.0
1.0
0
−50
0
50
100
150
200
Tch - Channel Temperature - ℃
5
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
Pulsed
1.6
ISD - Diode Forward Current - A
ID = 6 A
3A
1.2
0.8
0.4
0
100
10
1.0
0.1
VGS = 10 V
−50
0
50
100
150
0
Tch - Channel Temperature - ℃
VGS = 0
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
10
100
1 000
tr
tf
100
td（off）
td（on）
10
1.0
0.1
ID - Drain Current - A
trr - Reverse Recovery Time - ns
di/dt = 50 A/us
VGS = 0
1 000
100
1.0
10
ID - Drain Current - A
6
100
VDS - Drain to Source Voltage - V
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
10
0.1
VDS = 150 V
VGS = 10 V
RG = 10 Ω
10
100
1.0
VDS - Drain to Source Voltage - V
10 000
1.5
SWITCHING CHARACTERISTICS
100
10
1
1.0
1 000
td（on）, tr, td（off）, tf - Switching Time - ns
Ciss, Coss, Crss - Capacitance - pF
10 000
0.5
VSD - Source to Drain Voltage - V
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
1 000
VGS = 0
10 V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
400
16
ID = 10 A
14
VDD = 400 V
VGS
250 V
300
12
125 V
10
200
8
6
100
4
VDS
0
10
2
20
30
Qg - Gate Charge - nC
40
VGS - Gate to Source Voltage - V
RDS（on）- Drain to Source On-State Resistance - Ω
2SK2361/2SK2362
2SK2361/2SK2362
SINGLE AVALANCHE ENERGY vs.
STARTING CHANNEL TEMPERATURE
ID（peak） = IAS
RG = 25 Ω
VGS = 20 V → 0 V
VDD = 150 V
150
142 mJ
100
50
25
50
75
100
IAS - Single Avalanche Current - A
EAS - Single Avalanche Energy - mJ
200
SINGLE AVALANCHE CURRENT vs.
INDUCTIVE LOAD
100 125 150 175 200 225
10
RG = 25 Ω
VDD = 150 V
VGS = 20 V → 0
Starting Tch = 25 ℃
IAS = 10 A
EAS
=1
42 m
J
1.0
100 u
1.0 m
10 m
100 m
L - Inductive load - H
Starting Tch-Starting Channel Temperature - ℃
参考資料
資
料
名
資料番号
NEC半導体デバイスの信頼性品質管理
TEM-521
NEC半導体デバイスの品質水準
IEI-620
半導体デバイス実装マニュアル
C10535JJ7V0IF00
半導体デバイスパッケージ・マニュアル
C10943XJ6V0IF00
半導体総合セレクションガイド
X10678JJDV0SG00
半導体デバイスの品質保証ガイド
MEI-603
パワー MOS FET 整流回路
TEA-572
パワー MOS FET 応用回路集
TEA-576
パワー MOS FET の安全動作領域について
TEA-578
パワー MOS FETを用いたDCモータ駆動回路について
TEP-512
4 V駆動パワー MOS FETの特徴と応用
TEA-568
パワーデバイスの自動実装対応について
TEA-571
パワートランジスタの取付方法と取付部品一覧
TEI-603
UPC1100, UPC1150の使い方
IEP-772
表面実装用MP-3形パワーデバイス
TEM-522
高アバランシェア耐量 MOS FET シリーズ
TEA-579
7
2SK2361/2SK2362
〔メモ〕
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製品の故障により結果として，人身事故，火災事故，社会的な損害等を生じさせない冗長設計，延焼対
策設計，誤動作防止設計等安全設計に十分ご注意願います。
○当社は，当社製品の品質水準を「標準水準」，「特別水準」およびお客様に品質保証プログラムを指定
して頂く「特定水準」に分類しております。また，各品質水準は以下に示す用途に製品が使われること
を意図しておりますので，当社製品の品質水準をご確認の上ご使用願います。
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器，産業用ロボット
特別水準：輸送機器（自動車，列車，船舶等），交通用信号機器，防災／防犯装置，各種安全装置，
生命維持を直接の目的としない医療機器
特定水準：航空機器，航空宇宙機器，海底中継機器，原子力制御システム，生命維持のための医療機
器，生命維持のための装置またはシステム等
当社製品のデータ・シート／データ・ブック等の資料で，特に品質水準の表示がない場合は標準水準製
品であることを表します。当社製品を上記の「標準水準」の用途以外でご使用をお考えのお客様は，必
ず事前に当社販売窓口までご相談頂きますようお願い致します。
○この製品は耐放射線設計をしておりません。
M4 94.11
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東
岩
山
郡
い
長
土
水
神
群
太
海道支
北支
手支
形支
山支
わき支
岡支
浦支
戸支
奈川支
馬支
田支
社
社
店
店
店
店
店
店
店
社
店
店
札幌
仙台
盛岡
山形
郡山
いわき
長岡
土浦
水戸
横浜
高崎
太田
名古屋市中区錦一丁目17番１号（NEC中部ビル）
(011)231- 0161
(022)261- 5511
(0196)51- 4344
(0236)23- 5511
(0249)23- 5511
(0246)21- 5511
(0258)36- 2155
(0298)23- 6161
(0292)26- 1717
(045)324- 5511
(0273)26- 1255
( 0276)46- 4011
宇
小
長
松
上
甲
埼
立
千
静
北
福
都宮支
山支
野支
本支
諏訪支
府支
玉支
川支
葉支
岡支
陸支
井支
店
店
社
店
店
店
社
社
社
社
社
店
宇都宮
小山
長野
松本
諏訪
甲府
大宮
立川
千葉
静岡
金沢
福井
大阪 (06) 945-3178
大阪 (06) 945-3200
大阪 (06) 945-3208
(028)621- 2281
(0285)24- 5011
(026)235- 1444
(0263)35- 1666
(0266)53- 5350
(0552)24- 4141
(048)641- 1411
(0425)26- 5981
(043)238- 8116
(054)255- 2211
(0762)23- 1621
(0776)22- 1866
富
三
京
神
中
鳥
岡
四
新
松
九
北
山支
重支
都支
戸支
国支
取支
山支
国支
居浜支
山支
州支
九州支
店
店
社
社
社
店
店
社
店
店
社
店
富山
津
京都
神戸
広島
鳥取
岡山
高松
新居浜
松山
福岡
北九州
(0764)31- 8461
(0592)25- 7341
(075)344- 7824
(078)333- 3854
(082)242- 5504
(0857)27- 5311
(086)225- 4455
(0878)36- 1200
(0897)32- 5001
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