2012/05/15 248KB

<TRANSISTOR ARRAY>
M54563FP
8-UNIT 500mA DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY WITH CLAMP DIODE
SOURCE TYPE
概要
M54563FPは、PNPトランジスタとNPNトランジスタで構成さ
れた、8回路の出力ソース形ダーリントントランジスタアレイ
であり、微小入力電流で大電流駆動のできる半導体集積回
路です。
ピン接続図（上面図）
NC
特長
●高耐圧（BVCEO ≧ 50V）
●大電流駆動（IO（max）＝ -500mA）
●出力クランプダイオード付き
●TTL，PMOS IC出力で駆動可能
●出力電流ソース形
入力
1
○
NC
20
IN1→ 2
19 →O1
IN2→ 3
18 →O2
IN3→ 4
17 →O3
IN4→ 5
16 →O4
IN5→ 6
15 →O5
IN6→ 7
14 →O6
IN7→ 8
13 →O7
IN8→ 9
12 →O8
Vs
用途
各種リレー及びプリンターのドライブ、LED・蛍光表示管
及びランプなどのドライブ、MOS-バイポーラの各ロジック系
とリレー、ソレノイド、小型モーターとのインタフェースなど
11
10
出力
GND
外形 20P2N-A
NC：無接続
回路図（各回路）
機能概要
入力インバータと電流ソース形の出力部で構成される回路
が8回路内蔵されています。出力部は、PNPトランジスタと
NPNダーリントントランジスタからなり、PNPトランジスタの
ベース電流は定電流となっています。各出力とGND間にクラ
ンプダイオードが入っており、Vｓ及びGNDは8回路共通です。
入力は、入力抵抗として、3kΩ入っており、最大10Vまで印
加できます。出力電流は最大500mA流し出すことができ、供
給電圧Vｓは最大50Vまで印加できます。
VS
20K
入力IN
3K
7.2K
3K
1.5K
出力OUT
GND
VSとGNDは8回路共通です。
破線で示すダイオードは寄生ダイオードであり使用しないでください。
単位:Ω
絶対最大定格（指定のない場合は、 Ta=-20～+75℃ ）
記号
VCEO #
VS
VI
IO
IF
#
VR
Pd
Topr
Tstg
項
目
コレクタ・エミッタ間電圧
供給電圧
入力電圧
出力電流
クランプダイオード順電流
クランプダイオード逆電圧
消費電力
動作周囲温度
保存温度
条
出力が“L”のとき
出力が“H”のとき，1回路当りの電流
Ta = 25℃，基板実装時
#：使用しない入力ピンは必ずGNDに接続してください。
2012.05
件
1
定格値
–0.5 ～ +50
50
-0.5 ～ +10
–500
-500
50
1.10
–20 ～ +75
–55 ～ +125
単位
V
V
V
mA
mA
V
W
℃
℃
<TRANSISTOR ARRAY>
M54563FP
8-UNIT 500mA DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY WITH CLAMP DIODE
SOURCE TYPE
推奨動作条件（指定のない場合は、Ta = －20～＋75℃）
記号
VS
項
定
目
供給電圧
出力電流
格値
標準
最大
－
50
最小
0
Duty Cycle 5%以下
0
－
-350
Duty Cycle 30%以下
0
－
-100
単位
V
IO
(8回路同時動作時の
1回路当りの電流)
VIH
“H”入力電圧
2.4
－
10
V
VIL
“L”入力電圧
0
－
0.2
V
mA
電気的特性（指定のない場合は、Ta = －20～＋75℃）
記号
項
目
測
IS(leak) #
電源リーク電流
VCE(sat)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
II
入力電流
IS
VF
IR
供給電流
クランプダイオード順電圧
クランプダイオード逆電流
#
VS = 50V, VI
VS = 10V, VI
VS = 10V, VI
VI = 3V
VI = 10V
VS = 50V, VI
IF = -350mA
VR = 50V
定
条
規
件
最小
—
—
—
—
—
—
—
—
= 0.2V
= 2.4V, IO = -350mA
= 2.4V, IO = -100mA
= 3V (all input)
格値
標準*
—
1.6
1.45
0.6
3.0
5.6
-1.35
—
最大
100
2.4
2.0
1.0
5.0
15.0
-2.4
100
格値
標準
100
4800
最大
—
—
単位
μA
V
mA
mA
V
μA
*：標準値はTa = 25℃の値であり、これを保証するものではありません。
#：使用しない入力ピンは必ずGNDに接続してください。
スイッチング特性（指定のない場合は、Ta = 25℃）
記号
ton
toff
項
目
測
ターンオン時間
ターンオフ時間
定
規
件
最小
—
—
CL = 15pF（注1）
ｎｓ
ｎｓ
VS
被測定素子
入力
50%
50%
出力
PG
50Ω
RL
CL
出力
50%
ｔon
(1)パルス発生器(PG)の特性 : PRR = 1kHz,
tw = 10μs, tr = 6ns, tf = 6ns, ZO = 50Ω
VI = 0～2.4V
(2)入出力条件 : RL = 30Ω, VS = 10V
(3)静電容量CLは、結線の浮遊容量及びプローブの
入力容量を含みます。
2012.05
単位
タイミング図
注１測定回路
入力
条
2
50%
ｔoff
<TRANSISTOR ARRAY>
M54563FP
8-UNIT 500mA DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY WITH CLAMP DIODE
SOURCE TYPE
標準特性
出力飽和電圧－出力電流特性
熱低減率特性
-500
2.0
VS=10V
VI=2.4V
出力電流 IO (mA)
許容消費電力 Pd (W)
-400
1.5
1.0
0.5
-300
Ta=75℃
-200
Ta=25℃
-100
Ta=-20℃
0
0
25
50
75
0
100
0
周囲温度 Ta (℃)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
出力飽和電圧 VCE(sat) (V)
デューティサイクル－出力電流特性
デューティサイクル－出力電流特性
-500
-500
①
-400
出力電流 IO (mA)
出力電流 IO (mA)
-400
-300
②
-200
③
④
⑤
⑦⑥
⑧
-100
●出力電流は１回路当りの電流です。
●繰返し周波数≧１０Hz
●○内の数字は同時動作回路数を示す。
●Ta=25℃
0
0
20
40
-300
①
-200
-100
0
60
80
0
100
②
③
④⑤
⑥⑦
⑧
●出力電流は１回路
当りの電流です。
●繰返し周波数≧１０Hz
●○内の数字は同時動作
回路数を示す。
●Ta=75℃
デューティサイクル (%)
20
40
60
80
100
デューティサイクル (%)
クランプダイオード特性
エミッタ接地伝達特性
-500
500
VS=20V
VS-VO=4V
400
順バイアス電流 IF (mA)
出力電流 IO (mA)
-400
-300
Ta=75℃
-200
Ta=25℃
Ta=-20℃
-100
0
0
0.2
0.4
200
Ta=25℃
Ta=75℃
Ta=-20℃
100
0.6
0.8
0
1.0
入力電圧 VI (V)
2012.05
300
0
0.5
1.0
1.5
順バイアス電圧 VF (V)
3
2.0
<TRANSISTOR ARRAY>
M54563FP
8-UNIT 500mA DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY WITH CLAMP DIODE
SOURCE TYPE
入力特性
入力特性
1.0
5
4
入力電流 II (mA)
入力電流 II (mA)
VS=20V
VS=20V
0.8
0.6
0.4
Ta=75℃
Ta=25℃
0.2
3
Ta=-20℃
2
Ta=25℃
Ta=75℃
1
Ta=-20℃
0
0
1
2
3
4
0
5
入力電圧 VI (V)
2012.05
0
2
4
6
入力電圧 VI (V)
4
8
10
<TRANSISTOR ARRAY>
M54563FP
8-UNIT 500mA DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY WITH CLAMP DIODE
SOURCE TYPE
外形図
2012.05
5
<TRANSISTOR ARRAY>
M54563FP
8-UNIT 500mA DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY WITH CLAMP DIODE
SOURCE TYPE
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6

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